Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Люксметр. Назначение, принцип построения




 

В данной работе вентильный фотоэлемент представляет собой полупроводниковый диод (рисунок 1), чувствительным элементом которого является полупроводник p-типа, на котором специальной обработкой образован тонкий слой полупроводника n-типа, и разделяющий их тончайший запорный слой, называемый p-n – переходом.

Сверху полупроводник покрыт полупрозрачным металлическим слоем или сеткой 1 из серебра, золота или платины, служащей верхним электродом. Нижним электродом является металлическое основание 2.

Под действием светового потока, проникающего через полупрозрачный электрод и тонкий слой n-полупроводника, вследствие фотоэффекта в p-полупроводнике образуется повышенная концентрация электронно-дырочных пар. Электроны увлекаются потенциальным барьером на границе p-n – перехода и беспрепятственно проникают в слой n-полупроводника, заряжая его отрицательно, а дырки, оставшиеся в p-полупроводнике, заряжают его положительно. В результате этого процесса между электродами возникает разность потенциалов, значение которой зависит от интенсивности светового потока и интегральной чувствительности фотоэлемента.

Рисунок 1 –Вентильный фотоэлемент и его эквивалентная схема

 

Если к электродам освещаемого вентильного фотоэлемента подключить сопротивление нагрузки Rн, то под действием возникшей фото-ЭДС в цепи потечёт электрический ток, который, как это следует из эквивалентной схемы фотогенератора (рисунок 1б), будет:

 

, (3)

 

где Rn(Ф) –внутреннее сопротивление фотоэлемента, являющееся функцией светового потока;

Rk –сопротивление контактов;

Iф= КФ –первичный фототок, возбуждаемый в фотогенераторе (вентильном фотоэлементе).

При малых значениях потока и малых сопротивлениях нагрузки Rk+ Rn<< Rn(Ф) ток в нагрузке будет линейной функцией светового

потока. При больших световых потоках световые характеристики нелинейны даже в режимах короткого замыкания, так как в этом случае Rn(Ф)< Rk.

Следует отметить, что вентильные фотоэлементы обладают большой инерционностью, из-за чего они могут быть использованы лишь при постоянных световых потоках.

В качестве примера в таблице 1 приведены основные технические характеристики вентильного фотоэлемента ФЭСС-2 (сернисто-серебряный).

 

 

Таблица 1 – Основные параметры вентильного фотоэлемента ФЭСС-2

 

Тип фотоэлемента Интегральная чувствительность, мкА/лм Внутреннее темновое сопротивление, Ом Максимальная частота, Гц Фото-ЭДС, мВ
  ФЭСС-2   3500…8000 1500…3000 5…10 60…150

Люксметр Ю-116 позволяет измерять освещённость в диапазоне от 5 до 100 лк. Существует два основных предела измерений: (5 – 30) лк и (17 – 100) лк. Выбор предела осуществляется дискретно.

На рисунке 2 изображена передняя панель люксметра Ю-116.

Фиксацией кнопок 1 или 2 можно выбрать необходимый предел измерений. Расширение предела осуществляется с помощью светофильтров М10, М100, М1000, обозначенных на рисунке (К, М), (К, Р) и (К, Т) соответственно.

Рисунок 2 – Передняя панель люксметра Ю-116

Функциональная схема люксметра Ю-116 представлена на рисунке 3.

 

Рисунок 3 – Функциональная схема люксметра Ю-11

Обозначения на рисунке следующие: 1 – источник света; 2 – светофильтр; 3 – вентильный фотоэлемент; 4 – делитель напряжения; 5 – усилитель; 6 – микроамперметр.

Проходящий через светофильтр 2, световой поток, преобразуется в вентильном фотоэлементе в электрический сигнал, который после преобразования в блоке 4 и усиления в блоке 5 поступает на микроамперметр. Шкала микроамперметра градуирована в единицах освещённости.

 

Опыт 1. Определение зависимости освещённости от расстояния между источником света и освещаемой поверхностью при U=const

Функциональная схема лабораторного макета представлена на рисунке 4 и состоит из ЛАТРа 1, цифрового вольтметра 2, фотоувеличителя 3, фотоэлемента 4, люксметра с набором фильтров 5.

Данный макет даёт возможность получить зависимости освещённости от расстояния между источником света и освещаемой поверхностью, освещённости от питающего напряжения.

 

Поделиться:





Читайте также:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...