 |
Генератор глин с транзисторным ключом
|
|
|
|
Генератор глин с транзисторным ключом
Рис. 43
В этой схеме транзистор включен параллельно С, который периодически заряжается и разряжается. Обычно устройство на вход которого подаются импульсы лин имеют входное сопротивление являющееся нагрузкой для глин.
Рис. 44
В исходном состоянии транзистор открыт и насыщен. Условия насыщения: 1)Rкh21э> Rб 2)Iб> Iб. граничное=Iк/h21э=Uп/Rк*h21э=Uп/Rб
Напряжение С равно U0=Uкэнас. При подаче отрицательного импульса после закрывания транзисторного ключа начинается процесс разрядки С от источника через Rк. Напряжение на С и следовательно выходное напряжение определяется
При Rн-> бесконечность Uвых=Uп-(Uп-U0)e^(-t/RkC). Процесс разрядки продолжается до окончания входного импульса.
Глин с токостабилизирующим элементом
Рис. 45
Сопротивление Rk не важно. Включается для режима Vt1. Сокращает длительность стадии восстановления. Исходное состояние Vt1 открыт и насыщен конденсатор С заряжен до Uмах=Un-Rkika поэтому этому режиму соответствует точка А на статических характеристиках.
При подаче на базу Vt1 отрицательной полярности последний запирается. Конденсатор начинает разряжаться коллекторным током открытого транзистора Vt2.
Напряжение Uс и Ik2 уменьшается. Что сопровождается движением рабочей точки на статических характеристиках влево.
Время α ≠ 0 приводит к нелинейности выходного сигнала. Для расчетов параметров глин строят линейную аппроксимированную пологую характеристику Vt2. Тогда коллекторный ток транзистора Iк = uc/ri или ток разрядки конденсатора ia = ik2=Io + uc/ri
=(Uэкв + Ua)/ri
Uэкв = Io*ri
Ri как кравеко составляет 10
Uэк(500.. 2000)с
Uк=Uc
Имеем ввиду Uo=Umax
|
|
|
Τ экв=Ri*C
Конденсатор разлагается пока действует вводной импульс длительность этого импульса tи=tраб когда рабочая точка переходит в состояние N на С становится min
Амплитуда ограничена параметрами VT (max возможном из коллекторного направления), при котором рабочая точка не выходит за пределы коллекторного участка характеристики.
Цепи амплитудной модуляции и детектирования
Амплитудное модулирование сигнала может быть записано в виде
, где Um – амплитуда несущего колебания, М – коэффициент модуляции, U(t) – низкочастотный модулирующий сигнал.
Модулированный сигнал представляет собой высокочастотное колебание. Другими словами вч-сигнал в форме модулированного колебания содержит полную информацию о модулирующем сигнале, она заключена как в его временной зависимости так и в частотном представлении, следовательно для сохранения в спектре модулированного колебания, спектрального состава модулирующего сигнала необходимо, чтобы при модуляции происходило перенос его спектра в диапазон высоких частот. Коэффициент модуляции характеризует относительное изменение огибающей амплитуды сигнала.
Рис. 46
На первом рисунке показан график с неглубокой модуляцией, а на втором с глубокой.
Принципиальная схема амплитудной модуляции
Однотональный процесс амплитудной модуляции состоит в том, что на вход нелинейного элемента подают два гармонических сигнала: несущей частоты и частоты модуляции. После частотной фильтрации на выходе получают Ам(/Чм) сигнал. Простейшей частотноизбирательной цепью является параллельный колебательный контур. Для однотональной модуляции напряжении на входе модулятора (Uвх(t)) определится суммой Uн(t)+UΩ (t)=UmΩ cosΩ нt+ UmΩ cosΩ t.
Рис. 47
Резонансный контур цепи коллектора настроен на частоту несущего колебания, усилитель работает в режиме отсечки тока. Амплитуда напряжения первой гармоники на контуре определится как Umвых=Rэкв*Im1. В данном случае модулятор отличается от резонанстного усилителя тем, что синосуидальные импульсы коллекторного тока оказываются промодулированными по амплитуде. Это происходит засчет того, что рабочая точка на ВАХе перемещается в такт с нч-колебаниями.
|
|
|
Схема амплитудной модуляции с модуляцией смещения
Рис. 48
Амплитудную модуляцию осуществляет изменяет напряжение источника питания. В модуляторе по законам изменения модулирующего сигнала изменяется напряжение смещения на базе транзистора, последовательно с источником постоянного смещения включена вторичная обмотка трансформатора, на первичную обмотку которого подается модулирующий сигнал. Если UΩ (t) меняется по гармоническому закону, то результирующее напряжение на базе транзистора
Коэффициент усиления резонансного усилителя изменяется пропорционально Uвх(t), поэтому и амплитуда выходного сигнала изменяется по закону cosΩ t. ВЧ-колебание подается на разделительный конденсатор C3 с входного резонансного контура L1C1 на базу транзистора. Фильтр НЧ L3C4. Поскольку Ω н> Ω катушка имеет большое индуктивное сопротивление для колебаний несущей частоты и малое для модулирующего сигнала. С4 – блокирует колебание несущей частоты, а С5 и С6 – имеют малое сопротивление на несущей частоте, обеспечивают развязку источника коллекторного напряжения по ВЧ напряжению на выходном резонансном контуре. Такая схема имеет малое нелинейное искажение и используется при широкополосных модулирующих сигналах.
|
|
|
