Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Преимущества динамических ЗУ




  1. Высокая степень интеграции.
  2. Мощность потребляется только в моменты записи-чтения информации, вследствие чего снижается потребляемая мощность и появление импульсных помех.

Примеры динамических ЗУ

КР565РУ3 с емкостью 16Кбит и временем считывания 370нс;

РУ5: 64Кбит, 230нс; РУ7: 256Кбит, 340нс; РУ8: 256Кбит, 340нс; РУ9: 1Мбит, 349нс.

Все БИС ЗУ организованы в виде одноразрядных слов и размещаются в корпусах типа ДИП.

ПЗУ- постоянные запоминающие устройства.

ROM- read only memory- данные однократно фиксируются при изготовлении. Элемент памяти состоит из одного компонента- диода (рис.1.6.3,а), транзистора (рис.1.6.3,б).

.

Рисунок 6.3.а - Элемент памяти сост - Рисунок 6.3.б - Элемент памяти состоящий из транзистора

Оящий из диода

К достоинствам ПЗУ относятся: большая надежность, высокая плотность, простота изготовления, самая низкая стоимость.

3.1. ППЗУ (программируемые ПЗУ- PROM- programmable ROM):

  • масочные; прожигаемые.

3.2. РППЗУ (репрограммируемые ПЗУ- RPROM):

  • с ультрафиолетовым (УФ) стиранием; с электрическим репрограммированием.

EAPROM (EAROM).

Масочные и прожигаемые ПЗУ содержат информацию, которая не может быть изменена. В МПЗУ запись информации на этапе изготовления ИМС с помощью специального шаблона (маски), а ППЗУ программируются после изготовления на специальной аппаратуре, что может быть выполнено пользователем. Нет ограничений на время хранения и на число считываний. Запоминание бита информации в обоих видах ЗУ сводится к наличию или отсутствию некоторого элемента связи между выбранной адресной шиной и шиной считывания. Элементом связи может быть диод, биполярный транзистор, МОП-транзистор и т.д.

Фрагмент матрицы интегрального ПЗУ с диодами в качестве элементов связи представлен на рис.1.6.4.

Рисунок 6.4. - Фрагмент матрицы интегрального ПЗУ с диодами в качестве элементов связи

Горизонтальные шины- шины выборки, вертикальные шины- разряды выходного слова. В МПЗУ программирование состоит в изготовлении или неизготовлении элемента связи в узле координатной сетки. ЗЭ может быть резисторным, диодным, транзисторным.

Примеры ПЗУ (БИС)

По технологии ТТЛШ выполнены: КР556РТ4...РТ8, КР556РТ11...РТ18, КР556РТ20,имеют следующие характеристики: емкость: 1-64Кбит, число разрядов: 4 или 8бит, время выборки адреса: 35...86нс.

КР156РТ9, КР156РТ10 имеют емкость 16Кбит и 256Кбит соответственно, 8 разрядов, время выборки адреса 80 нс.

По технологии КМОП выполнены: К1623РТ1 имеет емкость 16Кбит, 8 разрядов, время выборки адреса 200нс, К1623РТ2 имеет емкость 64Кбит, 8 разрядов, время выборки адреса 259нс

  1. Распределители тактов. Схемы реализации. Временные диаграммы работы. Проблема самовосстановления после сбоя.
Поделиться:





Читайте также:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...