 |
Схема замещения и h-параметры биполярного транзистора
|
|
|
|
Для расчета и анализа схем усиления с биполярными транзисторами используют так называемые h-параметры транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. h-параметры справедливы только для линейного режима работы (линейных участков входной и выходной ВАХ) с малыми приращениями входных напряжений и токов.
 |
Для этого режима состояние биполярного транзистора описывается системой из двух уравнений:
h-параметры транзистора могут быть легко определены по входным и выходным характеристикам транзистора и каждая из них имеет определенный физический смысл:
при 
- входное сопротивление биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, измеряется в Омах.
при 
- безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, показывающий как изменяется напряжение база-эмиттер при изменении напряжения коллектор-эмиттер и постоянном токе базы. Значение 
лежит в пределах 0.002-0.0002 и в большинстве практических расчетов его можно принять равным нулю, то есть пренебречь.
при - коэффициент передачи тока, характеризует усилительные свойства транзистора по току.
 |
при - выходная проводимость биполярного транзистора при постоянном токе базы.
Следует отметить, что значения h-параметров биполярного транзистора зависят от положения рабочей точки, относительно которой происходят приращения токов и напряжений. Для линейного режима рабочая точка должна располагаться на линейных участках входной и выходной характеристик. Положение рабочей точки определяется внешними цепями смещения, с помощью которых на базу подается постоянное напряжение смещения, которое однозначно определяет ток базы и ток коллектора в режиме покоя, т.е. при отсутствии внешнего сигнала. Напряжение коллектор-эмиттер в режиме покоя определяется сопротивлением, включенным в цепь коллектора и током коллектора в режиме покоя. На рис. 1.4 показаны способы задания рабочей точки для транзисторов типа р–n–p и n–p-n, а на рис. 1.5 способ определения h-параметров транзистора для заданной рабочей точки (точка П).
|
|
|
На основании h-параметров можно построить упрощенную схему замещения биполярного транзистора. При этом коэффициентом внутренней обратной связи по напряжению в большинстве случаев можно пренебречь (
). На рис. 1.6. приведены схемы замещения биполярных транзисторов типа
 |
р–n–p и n–p-n в режиме малых сигналов (линейный режим), где транзисторы представлены в виде простых элементов электрической цепи (сопротивления и зависимый источник тока). На основе этих схем замещения можно проводить расчет электрических цепей с транзисторами используя любые методы, известные из курса электротехники.
|
|
|
I. ОРИЕНТИРОВОЧНАЯ СХЕМА ИЗУЧЕНИЯ КОММУНИКАТИВНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ УЧИТЕЛЯ НА УРОКЕ
III. Схема строения макулы (пятна маточки).
VI. Схема жизненного цикла
VII. Схема жизненного цикла
А - структурная схема; б - условное обозначение в - временные диаграммы
Абстрактные модели подразделяются на три типа: вербальные, схематические и математические.
Аксіально-поршневі машини. За кінематичними схемами розрізняють гідромашини з нахиленим блоком циліндрів і з нахиленим диском.
Активные элементы схемы замещения
Балансовий метод. Принципова схема міжгалузевого балансу.
БАТАЛЬОН (БАТАЛЬОННАЯ ТАКТИЧЕСКАЯ ГРУППА) В НАСТУПЛЕНИИ (схема 2.)
