 |
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)
|
|
|
|
Студент должен
Знать:
• Назначение, принцип работы ПЗУ, параметры;
• Типы ПЗУ.
Уметь:
• По заданным параметрам выбрать по справочнику микросхему ПЗУ.
Общие сведения
| Постоянное запоминающее устройство ПЗУ предназначено для длительного хранения информации многократного использования (таблицы, стандартные программы и т.п.). |
Запись информации в ПЗУ производится в процессе изготовления и не разрушается при отключении питания.
ПЗУ имеет два режима работы:
· режим хранения;
· режим чтения с высоким быстродействием.
Режим оперативной записи в ПЗУ не предусмотрен.
ПЗУ по способу занесения информации разделяют на:
· масочные (заказные) ПЗУ (программируемые при изготовлении) обозначают ROM;
· программируемые пользователем ППЗУ (однократно) PROM;
· перепрограммируемые (репрограммируемые) с возможностью многократного электрического перепрограммирования с ультрафиолетовым (РПЗУУФ EPROM) или электрическим (РПЗУЭС EEPROM или E2ROM) стирание информации.
Структура ИМС ПЗУ отличается от ОЗУ отсутствием устройства записи и линий, которые его обслуживают, а так же выполнением ЗЭ (рисунок 8.22).
· Общим свойством всех микросхем ПЗУ является: многоразрядная (словарная) организация накопителя;
· режим считывания, как основной режим работы;
· энергонезависимость.
Рисунок 8.22
Вместе с тем в них есть важные расхождения:
· в способе программирования;
· в режимах считывания;
· в обращении к ним при применении.
Рассмотрим каждую группу отдельно.
Масочные ПЗУ
В масочных ПЗУ элементами памяти в накопителе могут быть диоды, биполярные транзисторы, МОП транзисторы.
В матрицу диодного ROM (рисунок 8.23) горизонтальные линии являются линиями выборки слов (или адресными), а вертикальные – линии считывания (разрядные), с них считываются восьмиразрядные двоичные числа.
|
|
|
Считываемое слово определяется расположением диодов между адресной и считывающей линией. При наличии диода высокий потенциал выбранной с помощью дешифратора адресной линии передается на соответствующую считывающую линию, и в данном разряде слова появляется логическая «1». При отсутствии диода потенциал на выходе близок к нулевому.
Если, к примеру, на вход дешифратора поступает двоичный код 102=210 то в активное состояние переходит адресная линия А2 и логическая единица проходит с нее через диоды на считывающие линии Р1,Р5,Р6,Р7 – на выходах устанавливается двоичное число 111000102.
При подаче на вход дешифратора двоичного числа 112 считывается двоичное число 110111002.
Программирование масочных ПЗУ выполняется однократно в процессе изготовления. Оно заключается в нанесении при помощи фотошаблонов (масок) в нужных потребителю местах контактных соединений (в виде диодов или транзисторов). Занесенную в масочное ПЗУ информацию в технической документации называют «прошивкой». Перепрограммировать масочное ПЗУ невозможно.
Рисунок 8.23
ЗУ с масочным программированием отличается компактностью запоминающих элементов и следовательно высоким уровнем интеграции.
Выгодным данный способ программирования будет только при массовом выпуске, так как затраты на проектирование и изготовление шаблона для технологического программирования запоминающего устройства высокие.
Область применения масочных запоминающих устройств – хранение стандартной информации, имеющий широкий круг потребителей.
К масочным ПЗУ относят микросхемы серий 155,568,541,555,1801 и др. Для обозначения данного вида ПЗУ после номера серии помещают две буквы РЕ.
Например, микросхемы К155РЕ21 и К155РЕ22 (рисунок 8.24) имеют в качестве прошивки коды букв русского и латинского алфавитов, а К155РЕ23 «прошита» арифметическими знаками и цифрами.
|
|
|
Рисунок 8.24
|
|
|
