Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Туннельный и обращённый диоды.




Выпрямительные диоды.

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в пульсирующий однополярный ток. Обозначение на схемах:

 

Параметры выпрямительных диодов (ВД)
Статические параметры Динамические параметры Параметры электри- ческого режима Предельно допустимые параметры
Uпрямое при Iпрямом Iобратный при Uобратном   Iвп ср – средний выпрямленный ток Uпр ср при Iпр ср Iобр ср при Uобр ср Uобр ср     rдиф –дифферен-циальное внутреннее сопротивление Cд - емкость диода (Сбар + Сдиф) Iпр макс - (до разрушения перехода) Uобр макс – (до пробоя перехода) Pмакс - максимальная мощность Tопер мин;Tопер макс - диапазон рабочих температур перехода fгр- граничная рабочая частота при которой выпрямленный ток уменьшается до установленного уровня

 

 

Двухполупериодный мостовой (имеется в виду схема «мост» из диодов) выпрямитель:

На вход выпрямительного моста подаётся переменное напряжение, а на выходе (после - фильтра сглаживающего пульсации) получают постоянное напряжение.

Импульсные диоды (ИД)

Параметры импульсных диодов
статические динамические электрические Специальные импульсные параметры
параметры такие же, как у выпрямительных диодов Uпр.имп.макс –максимальное импульсное прямое напряжение tуст –время установления прямого сопротивления перехода (влияет на форму переднего фронта импульсной характеристики) tвос – время восстановления обратного сопротивления перехода (влияет на форму заднего фронта импульсной характеристики)

 

Импульсная характеристика схемы на ИД

Лучшими ИД являются диоды с малыми барьерными (Cбар) и дифференциальными (Сдиф) ёмкостями (т.к. мала площадь переходa - S) или диоды с барьером Шотки (М-пп) т.к. у них нет накопления неосновных носителей и нет Сдиф

Стабилитроны и стабисторы.

Стабилитрон – диод, имеющий на обратной ветви ВАХ участок высокой крутизны.

Обозначение на схемах одноанодного стабилитрона:

 

Схема включения стабилитрона:

 

Классификация стабилитронов: стабилитроны общего назначения;

прецизионные или высокоточные;

импульсные;

двуханодные, обозначение на схемах:

стабисторы (Uст = 0,7 В при 3000К)

Стабистором называют ПП диод, с помощью которого осуществляют стабилизацию напряжения при прямом смещении (т.е. на прямом участке ВАХ).

Принцип действия стабилитрона:

Увеличение напряжения u вызывает рост

D Iст, но Iнагрузки = const. (т.е. напряжение на

нагрузке Uн = Iн Rн - const) т.е. стабилитрон как бы “поглощает” лишний ток.

 

Для изготовления стабилитронов применяют в основном Si т.к. у таких диодов мал обратный ток Iобр; большой диапазон рабочих температур D Т0раб и высокая крутизна ВАХ.

Работают стабилитроны на двух типах пробоя перехода: туннельном Uст < 6,3В и лавинном Uст > 6,3В.

Основными параметрами являются: напряжение стабилизации номинальное - Uст; ток стабилизации номинальный - Iст; токи стабилизации минимальный и максимальный Iст мин; Iст макс; максимальная мощность Рмакс.

Основной параметр рабочей схемы – коэффициент стабилизации по напряжению:

К = u/ DUст >>1 – т.е. отношение величины изменения входного напряжения (напряжения источника питания) к величине изменения выходного, стабилизированного напряжения.

 

Ограничители напряжения.

Ограничитель напряжения – полупроводниковый диод, работающий на обратной ветви ВАХ с лавинным пробоем и (или) на прямой ветви ВАХ. Этот диод используется для защиты от пере-напряжений электрических схем.

Ограничители напряжения бывают несимметричными (применяются для защиты цепей постоянного тока) и симметричными (для защиты цепей переменного тока).

Основным параметром ограничителей напряжения является время срабатывания, которое может быть от единиц пикосекунд (10-12с) до единиц наносекунд (10-9с).

 

 

Вольтамперные характеристики несимметричного (слева) и симметричного ограничителей:

Варикапы.

Варикап – полупроводниковый диод с управляемой напряжением ёмкостью перехода.

Обозначение на схемах:

 

Основные характеристики варикапов
области применения ПП мате-риалы структуры технология основные параметры
- колебательные контура (для авто - подстройки частоты) - умножители и делители частоты - параметрические усилители - Si - Ge - (p - n - n+) - (p – i – n) - MДП - сплавная (резкая зависимость ёмкости от напряжения) - диффузионная (плавная зависимость С от U) - Сном; Смин; Смакс - Кп = Смакс/ Смин - коффициент перекрытия по ёмкости - Qв = Cреактивное/Cполное - доброт-ность варикапа при Uном на заданной рабочей частоте. Учитывают также и температурные коэффициенты изменения величин С и Q

 

Аппроксимация ВАХ: Св = Св о [jк /(jк – Uобр)]m

Величина m = 0,5 для сплавного варикапа и

m = 0,3 для диффузионного. Св о - при напряжении = 0

Св о - ёмкость варикапа при нулевом напряжении на переходе.

При использо вании варикапов в качестве перестраиваемой ёмкости резонансного контура, важно чтобы величина добротности Qв была максимальной.

Для увеличения добротности Qв необходимо уменьшать сопротивление базы rб, а для умень-шения rб нужно увеличивать количество примеси Nпр в базе.

 

 

График зависимости Qв от рабочей частоты f.

 

 

Туннельный и обращённый диоды.

Обозначение на схемах: туннельный

обращённый

Туннельный диод (ТД) – это диод, у которого имеется

участок отрицательного сопротивления на прямой ветви

вольтамперной характеристики.

 

классификация технология основные параметры
- усилительные - генераторные - переключающие - переход т - Nпр»1020см-3 - Lоб»10нм rдиф = (U2-U1)/(I2-I1) = = - DU/DI [Ом]

Вольтамперная характеристика туннельного диода:

 

 

 

Энергетическая диаграмма ТД для четырёх разных

напряжениях смещения на переходе в точках ВАХ: 1; 2; 3; 4.

 
 

 


 

 

ВАХ обращённого

диода (Nпр – 1018 - 1019см-3):

 

Энергетическая диаграмма

обращённого диода:

 

 

Обращённый диод используется в маломощных цепях как переключатель при

обратном напряжении менее 0.7 В (для Si).

P - i - n диоды

Структура p-i-n диода представляет собой три области с p+; i и n+ полупроводниками и содержит два перехода p+ - i и i - n+.

Диоды этого типа используются в качестве переключателей или ограничителей СВЧ сигнала.

Параметры:

- прямое напряжение Uпр – очень мало;

- допустимое обратное напряжение Uобр – очень велико;

- пробивное обратное напряжение достигает киловольта;

- рабочая частота достигает сотен ГГц;

- ёмкость диода – очень мала;

- время включения tвкл – единицы наносекунд;

- время выключения tвыкл – десятки наносекунд.

 

Процессы в p-i-n диоде:

- при прямом смещении Uпр происходит двухсторонняя инжекция электронов и дырок в область i, концентрация носителей в этой области резко возрастает от 1010см-3 до примерно 1017см-3, что приводит к уменьшению прямого (дифференциального) сопротивления (в основном сопротивления базы) до единиц Ом;

- при обратном смещении Uобр всё обратное напряжение прикладывается к базе, в результате сильное электрическое поле выбрасывает из базы свободные носители (происходит экстракция носителей из i области), тем самым, увеличивая обратное сопротивление до Rобр = 109Ом;

- барьерная ёмкость Cбар очень мала, она зависит от размеров слоя i и не зависит от обратного напряжения Uобр т.к. ширина обеднённой области постоянна Lобед = const;

- время включения tвкл определяется временем инжекции дырок и электронов в базу и зависит оно от ширины базы Wб и величины прямого тока Iпр;

- время выключения tвык определяется: а) скоростью рекомбинации носителей в базе; б) шири-нойбазы Wб; в) обратным напряжением Uобр (чем Uобр больше - тем быстрее носители уходят из области базы).

Таким образом, отношение очень малого прямого сопротивления к очень большому обратному сопротивлению, благоприятно для работы p-i-n диодов в переключательных режимах.

 

Диод Шотки

Обозначение на схемах:

 

Диод Шотки (ДШ) изготавливается на основе одноимённого типа перехода – перехода Шотки, т.е. перехода М-ПП (металл-полупроводник). Используется полупроводник n- типа т.к. в нём выше подвижность носителей - электронов e-.

Необходимое условие: работа выхода электрона из полупроводника должна быть меньше работы выхода электрона из металла Апп < Ам.

Области применения: детекторы; переключатели; ограничители СВЧ сигналов.

Особенностью ДШ является инжекция только основных носителей – поэтому Сдиффуз º 0.

У ДШ мала инерционность в работе (т.к. носители - e-; ёмкость перехода - мала) поэтому ДШ используют на сверхвысоких частотах (СВЧ).

j k = (Ам – Апп) /q, обычно j k =0,3¸0,9В Сравнительные ВАХ ДШ и p-n диода

При прямом смещении Uпр энергетический барьер б у ДШ меньше чем у p-n перехода и составляет: б = q (j k - Uпр) При этом происходит инжекция только основных носителей - электронов e-.

При обратном смещении Uобр - обратный ток в ДШ существенно больше, чем у кремниевого p-n перехода т.к. рано начинается туннельный переход электронов, а за тем наступает пробой перехода. Iобр ДШ >> Iобр Si p-n

Диоды Щотки применяются на частотах (fгр) в сотни ГГц. Типичное время переключения – около десятка пикосекунд.

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...