 |
3. Позначення. 4. Призначення діодів. 5. Транзистори. 6. Класифікація транзисторів
|
|
|
|
3. Позначення
Перший елемент буквено-цифрового коду позначає вихідний матеріал (напівпровідник), на основі якого виготовлений діод, наприклад:
• Г або 1 – германій або його сполуки;
• К або 2 – кремній або його сполуки;
• А або 3 – з'єднання галію (наприклад, арсенід галію);
• І або 4 – сполуки індію (наприклад, фосфід індію).
Другий елемент – буквений індекс, що визначає підклас приладів:
• Д – для позначення випрямних, імпульсних, магнітодіоду та термодіоду;
• Ц – випрямних стовпів та блоків;
• В – варикапів;
• І – тунельних діодів;
• А – НВЧ діодів;
• С – стабілітронів, в тому числі стабісторів й обмежувачів;
• Л – випромінюючі оптоелектронні прилади, генератори шуму;
• О – оптопари;
• Н – діодні тиристори;
• Б – з об'ємним ефектом;
• К – стабілізатори струму.
Третій елемент (довідковий) – цифра (або у випадку оптопар – літера), що визначає один з основних ознак приладу (параметр, призначення або принцип дії).
Четвертий елемент – число, що означає порядковий номер розробки технологічного типу виробу.
П'ятий елемент – літерний індекс, умовно визначає класифікацію за параметрами діодів, виготовлених за єдиною технологією.
Крім того, система позначень передбачає (у разі необхідності) введення в позначення додаткових знаків для виділення окремих істотних конструктивно-технологічних особливостей виробів.
Приклад: ГД412А – діод універсальний, для пристроїв широкого застосування, германієвий, випрямляючий, номер розробки 12, група А.
|
|
|
4. Призначення діодів
Випрямляючі – для випрямлення змінного струму ( I ~ ) низької частоти (до 50кГц), основний елемент – кремній.
Високочастотні – для випрямляння струмів в широкому діапазоні (до 100Мгц), для модуляції, детектування, тощо.
Імпульсні – для перетворення імпульсних сигналів (в детекторах відеосигналів TV, логічних пристроях, тощо). На рисунку 85 зображено імпульсні діодні збірки та діодні мости.
Рисунок 85 − Схема імпульсної діодної збірки, діодний міст
5. Транзистори
Транзистори –електроперетворювальний напівпровідниковий прилад з одним або декількома переходами, придатний для посилення потужності, має три або більше виводів.
Біполярний транзистор – транзистор, в якому використовуються заряди носіїв обох полярностей. На відміну від напівпровідникових діодів біполярні транзистори мають два електронно-діркових переходів. Основою приладу служить пластина напівпровідника, має назву база (Б). З двох сторін у неї вплавлена домішка, що створює області з провідністю, відмінної від провідності бази. Таким чином, отримують транзистор типу р–n–р, коли крайні області є напівпровідниками з електронною провідністю, а середня – напівпровідником з дірковою провідністю. А також, транзистор типу n− p− n, коли крайні області є напівпровідниками з дірковою провідністю, а середня − напівпровідником з електронною провідністю. Нижню область називають емітером (Е), а верхню колектором (К). На кордонах областей з різною провідністю утворюються два переходи. Перехід, утворений поблизу емітеру, називають емітерним, поблизу колектору − колекторним. При використанні транзистору в схемах на його переходи подають зовнішню напругу. Залежно від полярності цих напруг кожен з переходів може бути включений або в прямому, або в зворотному напрямку.
|
|
|
Відповідно розрізняють три режими роботи транзистору:
− режим відсічки, коли обидва перехода замкнені;
− режим насичення, коли обидва переходу відімкнуті;
− активний режим, коли емітерний перехід частково відімкнут, а колекторний замкнений.
Якщо ж емітерний перехід зміщений у зворотному напрямку, а колекторний − у прямому, то транзистор працює в зверненому (інверсному) включенні.
Переважно транзистор використовують в активному режимі, де для зміщення емітерного переходу в прямому напрямку на базу транзистору типу p− n− p подається негативна напруга щодо емітеру. Напруга на колекторі зазвичай у кілька разів більше напруги на емітері.
6. Класифікація транзисторів
Транзистори класифікуються по вихідному матеріалу, потужності розсіювання, діапазону робочих частот, за принципом дії, тощо.
За вихідним матеріалом їх поділяють на дві групи: германієві та кремнієві. Германієві транзистори працюють в інтервалі температур від − 60 до +85°С, кремнієві − від − 60 до +150°С. За діапазоном частот: низьких, середніх, високих частот.
По класу потужності: малі, середні, великі.
Транзистори малих потужностей:
− підсилювачі низьких та високих частот;
− малошумні підсилювачі;
− перемикачі насичені, ненасичені, мало струмові.
Транзистори великих потужностей:
− підсилювачі;
− генератори;
− перемикачі.
|
|
|
