Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Объект и средства исследования




 

В работе предлагается для исследования следующие объекты:

а) стенд для исследования полупроводниковых приборов с установленным биполярным транзистором;

б) набор соединительных проводников.

 

ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ

 

Изучить принцип работы биполярного транзистора. Ознакомиться с расположением и назначением органов управления, измерительных приборов и коммутационных гнезд на передней панели стенда исследования полупроводниковых приборов и с принципом сборка схем для исследования.

Стенд позволяет собрать схему для снятия входных и выходных характеристик транзистора.

 

ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА

 

1. С помощью соединительных проводников собрать схему рис. 7 для снятия статических характеристик транзистора.

2. Измерить токи базы транзистора при различных сопротивлениях в цепи базы. Результаты измерений записать в таблицу 1.

2. Снять семейство входных статических характеристик Iб=f(Uэб) при Uкэ=const. Первую входную статическую характеристику снимают при Uкб1 =0 (для гарантированного обеспечения Uкэ =0 достаточно подключить коллекторную цепь не к источнику, а к общему проводнику, т.е. "закоротить на землю).

Результаты измерений занести в табл. 2. Повторить опыт для других значений напряжения Uкэ.

Построить в масштабе графики входных характеристик при различных значениях Uкб. Проанализировать влияние напряжения Uкэ на входные характеристики.

3. Снять семейство выходных статических характеристик Iк = f(Uкб) при Iб=const. Первую выходную статическую характеристику снимают при Iб = 0 (для гарантированного обеспечения Iб=0 достаточно разомкнуть базовую цепь транзистора). Результаты измерений занести в табл.3.

Повторить опыт при других значениях тока базы.

Построить в масштабе графики выходных характеристик транзистора при различных значениях тока базы. Проанализировать форму характеристик и их взаимное расположение.

 

 

Рис. 7.

 

Табл. 1

Iб1 Iб2 Iб3
     

 

Табл. 2

  Ib Iб=0 Iб1 Iб2 Iб3
Uкэ=0 Uбэ        
Uкэ=2 Uбэ        
Uкэ=5 Uбэ        
Uкэ=10 Uбэ        

 

Табл. 3

  Uce   0,5   1,5        
Ib=0                  
Ib1                  
Ib2                  
Ib3                  

 

4. По построенным статическим характеристикам транзистора определить его h- параметры при Uкб= 5 В, Iб = 0,1 мА.

Определить приращения напряжений на входе транзистора между эмиттером и базой и на выходе - между коллектором и эмиттером для двух значений:

;

Рассчитать коэффициент усиления по напряжению транзистора по формуле

 

УКАЗАНИЕ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ОТЧЕТА

 

Отчет должен содержать цель работы, исследуемые схемы, выполненные в соответствии с требованиями ГОСТов, таблицы с экспериментальными результатами, графики полученных характеристик, построенные в масштабе. Характеристики одного типа строятся для сравнения в одних координатах. Приводятся результаты расчетов, выводы, сделанные при исследовании.

 

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

 

1. Объяснить принцип действия биполярного транзистора.

2. Объяснить входные и выходные статические характеристики транзистора в схеме с ОБ (ОЭ).

3. Каково влияние "модуляции базы" на статические характеристики?

4. Сравнить входные и выходные сопротивления транзисторов в схеме с ОБ и с ОЭ.

5. Усилительные свойства транзистора по току в схеме с ОБ (ОЭ).

6. Привести Т-образную схему замещения транзистора, дать характеристику ее элементам.

7. Малосигнальные h -параметры транзистора для схемы с ОБ и ОЭ, их физическая сущность и взаимосвязь между собой и с параметрами Т-образной схемы замещения.

8. Определение h-параметров по статическим характеристикам.

9. Схема замещения транзистора в h- параметрах.

10. Работа транзистора с нагрузкой в коллекторной цепи.

11.Построение нагрузочной прямой, определение усилительных свойств по напряжению транзистора с нагрузкой по статическим характеристикам.

12. Влияние коллекторного сопротивления Rк и напряжения питания Ек на положение нагрузочной прямой и усилительные свойства транзистора с нагрузкой.

13. Анализ усилительных свойств транзистора с нагрузкой по схеме замещения в h -параметрах.

 

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

 

1. Дудин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977. 424 с.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. М.: Высш. школа, 1991. 622 с.


ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №10

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСИЛИТЕЛЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

1. Изучить схему и принцип действия усилительного каскада.

2. Исследовать основные характеристики усилителя и влияние на них отрицательной обратной связи.

 

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...