 |
I. Recall the following words and word-combinations you have come across in special technical texts.
|
|
|
|
МГТУ им. Н.Э. Баумана
Маковская Э.Н.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА
(английский язык)
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
Для студентов 3 курса, 2 семестра по специальности
«Проектирование и технология радиоэлектронных средств»
Калуга 2011
УДК 42:621;38,39
ББК 81.2:32.844
М 16
Данная методическая разработка издаётся в соответствии с методическим планом работы секции английского языка кафедры иностранных языков КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Учебное пособие рассмотрено и одобрено:
кафедрой "Иностранные языки" (СЭ-5 КФ)
" ____ " _________ 2011 г.
Протокол № ___
Зав. кафедрой СЭ5-КФ ________________ Н.К. Власко
Методической комиссией факультета СЭК
" ___ " __________ 2011 г.
Протокол № ___
Председатель методической комиссии _______________ О.А.Артеменко
Рецензенты: к.т.н., доцент кафедры ЭИУК-1
Драч В.Е.
ст. преподаватель кафедры СЭ5-КФ
Лопатина А.Я.
Автор: к.п.н., доцент кафедры СЭ 5КФ
Маковская Э.Н.
Данная лабораторная работа предназначена для самостоятельной работы студентов 1 курса (2-й семестр) специальности РП в лаборатории устной речи и имеет целью развитие навыков устной речи по теме «Попов А.С.».
Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2011 год.
Рецензия
на лабораторную работу по теме «Полевой транзистор»
для студентов 1 курса специальности РП,
разработанную доцентом кафедры СЭ5-КФ
Маковской Эвелины Николаевны.
Рецензируемая лабораторная работа предназначена для студентов 3-го курса специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств.
Работа нацелена на развитие навыков устной речи на английском языке для профессионального общения с носителями языка, и рассчитана на самостоятельную работу студента в лаборатории устной речи (ЛУР) при кафедре.
|
|
|
Лабораторная работа предоставляет возможность повторить важные для понимания текста слова и словосочетания, с которыми уже приходилось встречаться при чтении литературы по специальности, а также дают необходимый запас лексики, на базе которой студентам предстоит подготовить сообщение по теме.
Тренировочные упражнения лабораторной работы записаны на магнитофонную ленту в 1-,2-,3- и 4-х тактовом режимах, что позволяет студенту работать в режиме самоконтроля и самокоррекции.
Предтекстовые упражнения ставят своей целью снятие лексических и грамматических трудностей основного текста ЛР. Послетекстовые задания позволяют студенту тренироваться в многократном повторении грамматических моделей и терминологической лексики для лучшего их усвоения.
Работа построена по образцу лабораторных работ, апробированных на кафедре уже много лет.
Контрольное задание лабораторной работы позволяет преподавателю в аудитории проверить качество самостоятельной работы студента в ЛУР.
Всё вышеизложенное позволяет мне рекомендовать рецензируемую лабораторную работу по теме «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», разработанную Маковской Э.Н., для утверждения её на заседании Методической комиссии факультета СЭК с целью ее использования в учебном процессе по обучению английскому языку в нашем университете.
к.т.н., доцент кафедры ЭИУ-1 В.Е.Драч
КФ МГТУ им.Н.Э. Баумана
Методические указания
Данная лабораторная работа (ЛР) предназначена для самостоятельной работы студентов в лаборатории устной речи (ЛУР) в режиме самоконтроля и самокоррекции для того, чтобы помочь студенту подготовить устный рассказ по теме «А.С Попов».
|
|
|
ЛР состоит из нескольких упражнений-заданий. Все упражнения ЛР строятся и записываются на магнитофонную пленку в режиме одного, двух, трех или четырех тактов. Это означает:
1 такт = звучит голос диктора, студент аудирует (т.е. слушает и понимает то, что говорит диктор);
2 такта = диктор даёт задание (1-й такт), а в паузу студент выполняет это задание (2-й такт);
3 такта = диктор даёт задание (1-й такт), студент в паузу выполняет это задание (2-й такт), затем диктор даёт ключ к этому заданию (3-й такт), во время которого студент проверяет (самоконтроль), правильно ли он выполнил задание;
4 такта = диктор даёт задание (1-й такт), студент в паузу выполняет это задание (2-й такт), диктор даёт ключ к заданию (3-й такт для самоконтроля), студент в паузу повторяет за диктором правильное выполнение задания (4-й такт для самокоррекции).
Последнее упражнение-задание ЛР является контрольным. При выполнении этого задания Вы можете записать свой рассказ на пленку, прослушать его (самоконтроль), а затем исправить, возможно, допущенные языковые ошибки (самокоррекция). Готовый рассказ Вы сдаёте преподавателю (на занятии в аудитории или на консультации).
I. Recall the following words and word-combinations you have come across in special technical texts.
You should write down the unknown words in your notebook. Вспомните следующие слова и выражения, которые уже встречались Вам в текстах по специальности. Незнакомые слова следует записать в тетрадь.
1. unipolar - униполярный
2. bipolar - биполярный
3. predate - предшествовать
4. bias – смещение, погрешность
5. depletion mode – режим обеднения
6. enhancement mode - режим обогащения
7. drain - сток
8. gate - затвор
9. method of insulation – метод изоляции
II. Repeat the following words end word-combinations after the speaker, imitating pronunciation (2 phases): Повторите за диктором следующие слова и выражения, подражая его произношению (2 такта):
1. unipolar transistor
2. bipolar device
3. predate the BJT
4. bias the transistor
5. depletion mode
6. enhancement mode
7. drain
8. gate
9. method of insulation
3. Read the sentences after the speaker with words from exercise 2, mind your pronunciation (2 phases):
1. The field-effect transistor (FET) relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a channel of one type of charge carrier in a semiconductor material.
2. All FETs have a gate, drain, and source terminal that correspond roughly to the base, collector, and emitter of BJTs. Aside from the J
3. The FET controls the flow of electrons (or electron holes) from the source to drain by affecting the size and shape of a "conductive channel" created and influenced by voltage (or lack of voltage) applied across the gate and source terminals.
|
|
|
4. Types of FETs are: IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor), JFET(Junction Field-Effect Transistor), MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) and etc.
5. The most commonly used FET is the MOSFET.
4. Complete the sentences after the speaker (2 phases):
1. FETs are sometimes called unipolar transistors to contrast…….
2. This fourth terminal serves ………..
3. This conductive channel is…………
4. The channel of a FET is doped to produce……..
5. The CMOS (complementary-symmetry metal oxide semiconductor) process technology is………
5. Listen to the text (1 phase): 
Field-effect transistor
The field-effect transistor (FET) relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a channel of one type of charge carrier in a semiconductor material. FETs are sometimes called unipolar transistors to contrast their single-carrier-type operation with the dual-carrier-type operation of bipolar (junction) transistors (BJT). The concept of the FET predates the BJT, though it was not physically implement ed until after BJTs due to the limitations of semiconductor materials and the relative ease of manufacturing BJTs compared to FETs at the time.
Terminals: All FETs have a gate, drain, and source terminal that correspond roughly to the base, collector, and emitter of BJTs. Aside from the JFET, all FETs also have a fourth terminal called the base, bulk, or substrate. This fourth terminal serves to bias the transistor into operation. The names of the terminals refer to their functions. Electrons flow from the source terminal towards the drain terminal is influenced by an applied voltage to the controlling terminal called gate.
FET operation: The FET controls the flow of electrons (or electron holes) from the source to drain by affecting the size and shape of a "conductive channel" created and influenced by voltage (or lack of voltage) applied across the gate and source terminals. This conductive channel is the "stream" through which electrons flow from source to drain.
|
|
|
