Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!

Ключевой повышающий с ШИМ.

Когда ключ замкнут, ток протекает через дроссель, в котором запасается энергия. Когда ключ размыкается, энергия запасенная в дросселе уменьшается и изменяет полярность напряжения на нем таким образом, что напряжение на дросселе складывается с входным. Таким образом, напряжение на дросселе и входное напряжение заряжают конденсатор до напряжения больше, чем входное.

Функциональная схема ключевого источника питания (принципиальная схема). Принцип работы. Функциональная схема ключевого стабилизатора напряжения

Разница напряжений опорного и части выходного усиливается и действует на модулятор таким образом, что при большей величине рассогласования (U”-“) длительность импульса на выходе модулятора увеличивается, а следовательно, увеличивается и время открытого состояния VT и энергия, до которой заряжается понижающий преобразователь. Напряжение на выходе при этом стремится к заданному с помощью делителя напряжения и опорного напряжения.

Ключевые стабилизаторы бывают с самовозбуждением и, чаще всего, с независимым возбуждением. Выходное напряжение сравнивается с опорным и усиленное напряжение ошибки используется для получения выходных импульсов ШИМ, которые управляют ключом стабилизатора таким образом, чтобы поддерживать вых. напряжение на заданном уровне. Импульсы ШИМ могут быть с фиксированной длительностью замкнутого и изменяющейся длительностью разомкнутого состояния, с изменяющейся длительностью замкнутого и разомкнутого состояний, но с фиксированной частотой.

Принципиальная схема ключевого стабилизатора с защитой от к.з.

VT1 – предварительный усилитель,

VT2 – ключ понижающего преобразователя (стабилизатора).

VT5 приоткрывается при Uвых > 9,7 В (UVD1+UБЭVT5=9.1+0.6=9.7В) и изменяет пороговое напряжение на выводе 5 ДА, шунтируя два нижних резистора внутреннего делителя напряжения ДА. Этим самым мы изменяем длительность импульса на выходе ДА, а следовательно длительность открытого состояния ключа. R7, VT3 и VT4 служат для защиты выхода от к.з., когда UR7 становится ≥ 0,6В (Iн ≥ 120mA) VT3, а затем и VT4 открываются, делая U4 ДА меньше 1В, что приводит к аварийному останову микросхемы.

У ключевых стабилезаторов масса достоинств, но существуют и недостатки:

- повышенный уровень помех и пульсаций;
- силовой транзистор работает в очень тяжёлом состоянии (большие рассеиваемые мощности).

Последовательный компенсационный стабилизатор напряжения на транзисторе. Схема и принцип работы.

VT2 открывается/закрывается таким образом, чтобы поддерживать на выходе напряжение, кот. задаст на базе 5,3В.

Если напряжение на выходе увеличилось, то и напряжение база-эмиттер увеличивается (Uэ=const); это вызывает приоткрывание VT2 и увеличение тока через него, увеличение UR1, а, следовательно, уменьшение UVT1 и UВЫХ.

Изменяя часть подаваемого на базу напряжения с помощью R3, мы изменяем Uвых.

R4 и VT3 –– для защиты от к.з.

При увеличении выходного тока увеличивается UR4. При достижении им 0,6В VT3 открывается, что препятствует увеличению выходного тока, т.к. Uбэ1 не увеличивается.

Интегральный стабилизатор напряжений. Схема. Принцип работы

Тепловое сопротивление

Тепловое сопротивление показывает, на сколько градусов по Цельсию увеличится температура кристалла при подведении к нему мощности в 1 Вт.

, где Р – мощность.

К U tu max, Pu max

Uкэ

Б пост. ток

Для выравивания Э

0 I
область безопасной

работы.

Тепловое сопротивление показывает, на сколько градусов по Цельсию увеличится температура при рассеивании мощности в 1 Вт.

Определяется конструкцией прибора (площадью, способом присоединения кристалла к внутренней теплопроводящей пластине, материалом пластины, наличием или отсутствием электрической изоляции между кристаллом и охладителем) – указывается в справочнике на силовые приборы.

Зависит от качества обработки и плоскостности силового прибора и радиатора, а также от наличия между ними теплопроводящих прокладок либо паст. Зависит от площади соприкосновения и усилия прижатия. Также может указываться в справочнике и составляет 0,1-1 ºС/Вт.

Зависит от конструкции, площади поверхности, материала охладителя и степени его черноты, расположения в пространстве, наличия воздушного или водяного охлажения, разницы температур. Указывается в справочниках на радиаторы.

54. Параллельное и последовательное включения транзисторов. Схемы и их назначение.

Параллельное соединение исп., если недостаточно тока или мощности. При параллельном соединении транзисторов (без их предварительного подбора, но из одной пачки) обязательно включение R_Э, которое вводит ООС и делает практическими одинаковыми коллекторные токи транзисторов. При использовании транзисторов партий при режимах, близких к max, желательно также включение R_б (в базе после точки), выравнивающее входное сопротивление и точки баз.