 |
Для группы УК - 81 на 2011/12 учебный год
|
|
|
|
1. Понятие об электронике и электронных приборах. Классификация электронных приборов и области их применения.
2. История развития электроники и характеристика первого этапа ее развития (Этап пассивной электроники). Основные открытия и параметры электронных устройств.
3. История развития электроники и характеристика второго этапа ее развития (Этап вакуумной электроники). Основные открытия в области вакуумной электроники и параметры электронных приборов.
4. Классификация электровакуумных приборов и их основные параметры. Общие недостатки ЭВП.
5. История развития электроники и характеристика третьего этапа ее развития (Этап твердотельной полупроводниковой электроники). Основные открытия в области полупроводниковой электроники.
6. Основные (базовые) технологические процессы планарной технологии.
7. Основные преимущества транзистора перед электровакуумными приборами.
8. История развития электроники и характеристика четвертого этапа ее развития (Этап интегральной микроэлектроники). Основные открытия в области полупроводниковой интегральной микроэлектроники.
9. Основные параметры кристаллов современных ИМС.
10. Основные особенности развития современной технологии полупроводниковой МЭ и нанотехнологии.
11. Технологический процесс изготовления полупроводниковых пластин. Управление параметрами процесса.
12. Основные технологические процессы планарной технологии. Технологическая схема изготовления дискретного полупроводникового транзистора по планарной технологии. Процессы очистки поверхности пластины и формирования окисной пленки.
13. Основные технологические процессы планарной технологии. Технологическая схема изготовления дискретного полупроводникового транзистора по планарной технологии. Процессы формирования базовой области транзистора.
|
|
|
14. Основные технологические процессы планарной технологии. Технологическая схема изготовления дискретного полупроводникового транзистора по планарной технологии. Процессы формирования области эмиттера транзистора.
15. Основные технологические процессы планарной технологии. Технологическая схема изготовления дискретного полупроводникового транзистора по планарной технологии. Процессы формирования контактных областей транзистора.
16. Физическая сущность и технология процессов нанесения композиционных ТПП методом центрифугирования. Управление параметрами процесса.
17. Области применения тонкопленочных диэлектрических покрытий в технологии микроэлектроники.
18. Классификация методов выращивания тонкопленочных диэлектрических покрытий в технологии микроэлектроники. Кинетика и параметры процессов.
19. Физическая модель процесса термического окисления кремния. Основные стадии процесса окисления. Общее кинетическое уравнение процесса термического окисления полупроводников. Управление параметрами процесса.
20. Кинетика процесса термического окисления кремния. Предельные случаи кинетики процесса. Зависимость скорости окисления от технологических параметров процесса. Управление параметрами процесса.
21. Практические методы термического окисления кремния. Технологическая оснастка и технология проведения процесса. Диапазон значений параметров процесса. Управление параметрами процесса.
22. Физико-химические основы процесса фотолитографии. Типы фоторезистов и их основные параметры. Характеристическая кривая фоторезистов.
23. Технологическая схема процесса фотолитографии. Назначение, физическая сущность и технология процессов получения фоторезистивного покрытия на подложке. Управление параметрами процесса.
|
|
|
24. Технологическая схема процесса фотолитографии. Назначение, физическая сущность и технология процессов передачи изображения в системе фотошаблон-фоторезист. Управление параметрами процесса.
25. Технологическая схема процесса фотолитографии. Назначение, физическая сущность и технология процессов передачи изображения в системе фоторезистивная маска-подложка. Управление параметрами процесса.
26. Трафаретные и лучевые методы локальной микрообработки тонкопленочных покрытий. Оптическая фотолитография. Параметры процесса. Управление параметрами процесса.
27. Трафаретные и лучевые методы локальной микрообработки тонкопленочных покрытий. Электронолитография. Параметры процесса. Управление параметрами процесса.
28. Трафаретные и лучевые методы локальной микрообработки тонкопленочных покрытий. Рентгенолитография. Параметры процесса. Управление параметрами процесса.
29. Трафаретные и лучевые методы локальной микрообработки тонкопленочных покрытий. Ионно-лучевая литография. Параметры процесса. Управление параметрами процесса.
30. Диффузионное легирование полупроводников. Физические основы диффузионного легирования. Механизмы процесса диффузии. Законы Фика и их физическая сущность.
31. Параметры процесса диффузионного легирования полупроводников. Управление параметрами процесса диффузии.
32. Математическая модель процесса диффузии из неограниченного источника. Начальные и граничные условия. Функция распределения концентрации легирующей примеси. Зависимость глубины залегания рп-перехода от параметров процесса. Технологические параметры процесса. Управление параметрами процесса диффузии.
33. Математическая модель процесса диффузии из ограниченного источника. Начальные и граничные условия. Функция распределения концентрации легирующей примеси. Зависимость глубины залегания рп-перехода от параметров процесса. Технологические параметры процесса. Управление параметрами процесса диффузии.
34. Локальная диффузия в планарной технологии. Сущность процесса двухстадийного диффузионного легирования. Зависимость концентрации легирующей примеси у поверхности от параметров процессов загонки и разгонки. Основные преимущества и недостатки двухстадийной диффузии.
|
|
|
35. Классификация типов диффузионных источников. Понятие о внешних и поверхностных диффузионных источниках.
36. Процесс диффузионного легирования полупроводников. Практические методы диффузионного легирования. Процессы вакуумной диффузии. Управление параметрами процесса диффузии.
37. Процесс диффузионного легирования полупроводников. Практические методы диффузионного легирования. Процессы диффузии из твердых источников. Управление параметрами процесса диффузии.
38. Процесс диффузионного легирования полупроводников. Практические методы диффузионного легирования. Процессы диффузии по методу «открытой трубы». Управление параметрами процесса диффузии.
Вопросы составил
|
|
|
