Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Зеленоградский Центр микроэлектроники: предпосылки создания и создание.




К концу 50-х годов и в СССР, и за рубежом уже созрели предпосылки для создания интегральных схем (ИС) — были промышленно освоены интегральные технологии производства как полупроводниковых приборов, так и толстопленочных и тонкопленочных керамических плат. Вопрос был лишь в том, кого первым озарит счастливая идея использовать их для изготовления многоэлементных изделий — ИС

В руководстве страны пришли к выводу о том, что необходима принципиально новая подотрасль — микроэлектроника. Именно подотрасль, то есть система НИИ, КБ, опытных и серийных заводов, распределенных по всей стране и решающих все специальные проблемы по созданию и тиражированию изделий микроэлектроники

Центр Микроэлектроники (ЦМ) предполагал создание локального, функционально полного комплекса НИИ с опытными заводами. В ЦМ должны разрабатываться технологические процессы, специальные материалы, технологическое и контрольно-измерительное оборудование, непосредственно ИС, а также РЭА на их основе. Все это должно отрабатываться на опытных заводах ЦМ, а затем передаваться для массового тиражирования на серийные заводы

Нашлось и место для ЦМ. С 1958 года у станции Крюково вблизи Москвы строили для легкой промышленности новый город Спутник (Зеленоградом он стал в 1963 г.)

8 августа 1962 года постановление ЦК КПСС и Совмина СССР было подписано. Это было концептуальное постановление — первое в череде за ним последовавших. В нем узаконивалось, что Центр микроэлектроники будет создан в Спутнике, и отныне проблема построения и развития отечественной микроэлектроники стала национальной задачей

Главные задачи ЦМ:

-обеспечение разработок и опытного производства ИС на мировом уровне (догнать и перегнать Америку) в интересах обороны страны и народного хозяйства

-обеспечение перспективного научного задела

- разработка принципов конструирования радиоэлектронной аппаратуры и ЭВМ на основе микроэлектроники, организация их производства

- унификация ИС, условий их применения в аппаратуре на предприятиях страны

- подготовка кадров, в том числе специалистов высшей квалификации

Постановление определяло первоначальный состав предприятий ЦМ — пять новых НИИ с тремя опытными заводами: НИИ теоретических основ микроэлектроники, НИИ микросхемотехники, НИИ технологии микроэлектроники, НИИ машиностроения, НИИ специальных материалов

Cоздание ЦМ было не обособленной акцией, а частью масштабной программы построения новой подотрасли — микроэлектроники. В Москве, Ленинграде, Киеве, Минске, Воронеже, Риге, Вильнюсе, Новосибирске, Баку и других регионах начиналось перепрофилирование имеющихся или создание новых НИИ с опытными заводами и серийных заводов с КБ. Первые должны были разрабатывать, а вторые массово производить ИС, специальные материалы и специализированное технологическое и контрольно-измерительное оборудование

Постановление давало ЦМ (позже — Научный центр, НЦ). право принимать на работу специалистов из любой точки СССР. Строительный задел в Спутнике позволял сразу выделять жилье сотрудникам. Это привлекало в ЦМ высококлассные кадры

К началу 1971 года в НЦ работало 12,8 тыс., человек. В 1976 году на его базе было создано НПО “Научный центр” — 39 предприятий в разных городах страны с персоналом численностью в общей сложности около 80 тыс. человек

 

Зеленоградский Центр микроэлектроники: расцвет и закат.

ЦМ сразу приступил к созданию принципиально новой продукции. Необходимо было проверить их на реальном изделии и публично продемонстрировать возможности микроэлектроники

Решили сделать микроприемник. Это модель — «Микро». У него была очень острая настройка, в СССР это было недостатком. Но когда Хрущев в 1964 году привез этот приемник в США, он произвел там мировую сенсацию! Статьи в газетах, фотографии: как СССР смог нас обогнать?

В Нью-Йорке, где было около 30 местных радиостанций острая настройка нашего приемника пришлась в самый раз. «Микро» продавали потом за валюту также во Франции, Англии, и везде там за ним в 60-е годы очереди стояли

В 1965 году “Микрон” начал выпуск первой в Зеленограде полупроводниковой ИС “Иртыш”. ИС была разработана в НИИМЭ на основе планарной технологии, созданной в НИИ-35 и поставленной на “Микроне”

В 1966 году “Элма” выпускает уже 15 видов разработанных в НИИМВ специальных материалов, а “Элион” — 20 типов созданного в НИИТМ технологического и контрольно-измерительного оборудования

В 1969 году “Ангстрем” и “Микрон” производят более 200 типов ИС, а к 1975 году в НЦ было разработано 1020 типов ИС. Все разработки передавались на серийные заводы отрасли

Первые результаты

Следует учитывать, что отечественная микроэлектроника создавалась и развивалась в особых условиях — практически в полной изоляции от передовых зарубежных стран. Специальный международный комитет КоКом установил систему правил, запрещающих поставку в СССР и его союзникам все передовые продукты и технологии

Конечно, спецслужбам частично удавалось окольными путями добывать кое-какие изделия, документацию, материалы и оборудование. Но добывалось далеко не все и в крайне малых количествах. Вести разработки и тиражировать изделия в нужных объемах отечественная микроэлектроника вынуждена была самостоятельно

Иногда полученные образцы копировались, но точную копию сделать было невозможно из-за различий в материалах, технологиях, оборудовании и т.п. Иногда делали функциональные аналоги, иногда — целиком собственные разработки. Но всегда разрабатывали и тиражировали сами

Расцвет

Уже первое изделие — радиоприемник “Микро” — не имело равных в мире. Первые гибридные ИС соответствовали мировому уровню. Кстати, первыми в мире ИС, облетевшими Луну (в 1969 г.) и вернувшимися обратно, были ангстремовские “Тропы”. В 1972 г. в НИИП было освоено новое направление — многослойные ИС “Талисман”. Технология создания этих ИС тогда не имела мировых аналогов

Но! В полупроводниковых ИС мы заметно отставали. В 1970-е годы наиболее преуспевающей полупроводниковой компанией стала Intel. По сравнению с ней НИИТТ и “Ангстрем” на ведущих направлениях имели отставание. Но отставание было небольшим.

Например, динамическое ОЗУ емкостью 4 Кбит Intel выпустила в 1974 г. — “Ангстрем” в 1975-м, 16 Кбит — соответственно в 1977-м и начале 1978 г

В 1979г. НИИТТ разработал однокристальную 16-разрядную ЭВМ К1801ВЕ1 с архитектурой “Электроника НЦ” (в нынешней терминологии — микроконтроллер). По заключению межведомственной госкомиссии, принимавшей разработку, такой ЭВМ за рубежом тогда еще не было

В целом в период с 1964 по 1980 год отставание разработок в НЦ по различным типам ИС по сравнению с зарубежным уровнем колебалось в пределах от нуля до трех лет. Таким образом, можно утверждать, что разработки зеленоградского НЦ в те годы в целом соответствовали мировому уровню

Рядом НИИ был разработан комплект технологического оборудования “Корунд”, обеспечивающий массовый выпуск ИС и полупроводниковых приборов по планарной технологии

Оборудование было принято в качестве базового комплекта для оснащения промышленных предприятий отрасли на следующую пятилетку (1971-1975 г.). Накопленный положительный опыт эксплуатации опытных линий “Корунд” на заводе “Микрон”, Воронежском заводе полупроводниковых приборов, опытном заводе НИИ “Пульсар”, позволил приступить к разработке новых высокопроизводительных автоматизированных линий для массового промышленного выпуска полупроводниковых ИС, планарных транзисторов и диодов на пластинах повышенного диаметра (до 75 мм), что должно было привести к резкому снижению их стоимости, повышению производительности труда

Сроки были жесткие — предъявить линии для эксплуатации в начале 1971 г. Это были очень сложные задачи для всех предприятий, т. к. НИИМЭ и завод “Микрон” в 1968 г. еще работали на пластинах диаметром 25-30 мм, в 1969-70 — на пластинах диаметром 40 мм. Технологически минимальные размеры в 1968 г. были 8-10 мкм, в 1970 г. — 2-5 мкм

Закат

Однако по объемам выпуска интегральных схем СССР значительно отставал от зарубежного уровня. Средств для развития производственных мощностей серийных заводов (а они в микроэлектронике очень дороги) не хватало. В результате резко возросла нагрузка на зеленоградские опытные заводы. Создавшееся положение, когда опытные заводы НЦ в основном оказались загруженными серийным производством интегральных схем, начало пагубным образом сказываться на дальнейших перспективах развития микроэлектроники

В 1957 г. в СССР было выпущено 24 млн. приборов, в том числе 2,7 млн. транзисторов, против 28 млн. транзисторов, выпущенных в США, а к 1967 году эти объемы составили соответственно 134 млн. и 900 млн. штук

Примерно с 1980 года началось прогрессирующее отставание. Причин много:

- навязанная заказчиками политика и практика воспроизводства зарубежных образцов, заведомо программирующая отставание

- нежелание других отраслей народного хозяйства разрабатывать и производить материалы и спецоборудование для электронной промышленности с соответствующими характеристиками по чистоте и точности

- загрузка опытных заводов серийной продукцией

- отвлечение ресурсов отрасли на массовое производство непрофильной продукции: товаров народного потребления, видеотехники, вычислительной техники

Наступившая “мода” по разработке и производству продукции народного потребления на оборонных предприятиях значительно отвлекало средства для развития микроэлектроники. Разработка и производство магнитофонов никак не гармонировала с его основной специализацией. Было требование: на каждый рубль заработной платы — рубль товаров народного потребления

В США, Японии, Западной Европе вкладывались огромные средства в развитие микроэлектроники, понимая, что именно она является ключом к прогрессу в научно-технической и промышленной составляющей экономического развития. Несмотря на жестокую конкурентную борьбу, между западными странами была широко развита продажа лицензий, патентов, имелась возможность оперативно закупать документацию на технологические процессы, новейшие технологическое контрольно-измерительное и оптико-механическое оборудование, материалы и т. д.

 

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...