 |
Пример расчета h-параметров транзистора ОЭ
|
|
|
|
Изобразим транзистор ОЭ с его входными и выходными токами и напряжениями:
а) Определим входное сопротивление транзистора. Для этого запишем формулу: 
при 
. Заменив амплитуды на малые приращения и подставив значения входного тока, входного и выходного напряжений конкретно для транзистора ОЭ, получим: 
при 
,т.е. при 
индекс «э» означает, что транзистор собран по схеме ОЭ
Входное сопротивление транзистора определяется по входным вольт-амперным характеристикам. Точка А – это рабочая точка, в которой определяются h-параметры.
Iб (mA)
0,75 Uкэ=5В
б 
=
0,25 Uбэ (В)
0,3 
бэ 0,55
Чтобы определить 
, необходимо выполнить дополнительное построение: это построение обязательно должно проходить через рабочую точку А и при этом должно выполняться условие 
(в данном случае 
). Исходя из вышесказанного, строим небольшой прямоугольный треугольник таким образом, чтобы его гипотенуза прилегала к входной характеристике и делилась рабочей точкой А пополам. Тогда катеты этого треугольника и будут искомыми значениями 
и 
, зная которые, легко определить входное сопротивление транзистора: 
Б) Определим коэффициент обратной связи по напряжению.
Заменив в формуле 
при 
амплитуды на малые приращения, получим: 
при 
, т.е. при 
.
Коэффициент обратной связи по напряжению определяется по входным вольт-амперным характеристикам транзистора. Дополнительное построение должно проходить через рабочую точку А и при этом должно выполняться условие 
. В данном случае это будет прямая, параллельная осинапряжений и проходящая через точку А.
Iб(mA)
кэ
Uкэ=0 Uкэ=5В
А` 
А
Uбэ(В)
0,5 
бэ 0,7
в)Определим коэффициент усиления по току.
|
|
|
Заменив в формуле 
при 
амплитуды на малые приращения, получим: 
при 
, т.е. при 
.
Коэффициент усиления по току определяется по выходным вольт-амперным характеристикам транзистора. Дополнительное построение должно проходить через рабочую точку А и при этом должно выполняться условие 
. В данном случае это будет прямая, параллельная оси токов и проходящая через точку А.
Iк(mA)
40 Iб=1,5mA
А
Iб=1mA
к 
б
Iб=0,5mA
20 Iб=0
Uкэ(В)
Для транзистора, собранного по схеме ОЭ: 
, где 
- коэффициент передачи тока базы в коллектор.
г) Определим выходную проводимость и выходное сопротивление транзистора.
Заменив в формуле 
при 
амплитуды на малые приращения, получим: 
при 
, т.е. при 
.
Дополнительное построение должно проходить через рабочую точку А и при этом должно выполняться условие 
. В данном случае это будет прямоугольный треугольник, у которого гипотенуза делится рабочей точкой А пополам.
Iк(mA)
Iб=1mA
A Iб=0,5mA
к 
6 Iб=0
Uкэ(В)
5 
кэ 10
; 
Примечание:
· Чтобы перенести рабочую точку А с входных характеристик на выходные, необходимо определить ток базы в рабочей точке (IБА). Затем на выходных характеристиках выбирают характеристику, соответствующую этому току. Точка пересечения выбранной характеристики и перпендикуляра, соответствующего указанному на входных характеристиках рабочему значению напряжения UКЭ, и даст положение рабочей точки на выходных ВАХ.
· Чтобы перенести рабочую точку А с выходных характеристик на входные, необходимо определить ток базы в рабочей точке (IБА). Затем на входных характеристиках на оси токов отмечают это значение и через полученную точку проводят прямую, параллельную оси напряжений, до пересечения с рабочей входной характеристикой. Точка пересечения и даст положение рабочей точки на входных ВАХ.
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы – это полупроводниковые приборы с управляемым каналом для тока ОНЗ.
|
|
|
Полевой транзистор содержит 3 электрода:
· Исток – электрод, через который в канал втекают НЗ, создающие ток канала;
· Сток – электрод, через который НЗ вытекают из канала;
· Затвор – управляющий электрод, регулирующий поток НЗ в канале.
Полевой транзистор относится к однополярным транзисторам, т.к. в нем используется движение НЗ только одного знака (через канал движутся либо электроны, либо дырки).
НЗ в полевом транзисторе движутся от Истока к Стоку через канал под действием продольного электрического поля, создаваемого напряжением 
.
Затвор управляет величиной тока канала с помощью поперечного электрического поля, создаваемого напряжением 
.
Наличие этих 2-х полей объясняет название “полевой транзистор”.
Полевые транзисторы бывают:
| Полевые транзисторы |
| С изолированным затвором (МОП – транзисторы) металл оксид полупроводник |
| С управляющим p-n переходом (с p-n затвором) |
| С наведенным каналом |
| Со встроенным каналом |
|
|
|
