ристикам транзистора

Визначення вихідних параметрів.

Починають визначити h-параметри з постійної величини!!!

Коефіцієнт підсилення визначають за формулою 4. Постійною величиною є струм бази транзистора (дивись рисунок 4). Вихідна характеристика знята при чотирьох значеннях струму бази Іб = 0,2; Іб = 0,4; Іб = 0,6; Іб = 0,8 міліампер. (Можна вибрати одне із чотирьох значень).

Приклад 2:

– Вибираю Іб = 0,6 мА.

– На вихідній характеристиці, що знята при Іб = 0,6 мА вибираю робочу – лінійну ділянку АБ.

– Роблю проекцію цієї ділянки на вісь напруги Uке(дивись рисунок 4 точки аU і бU).

– Визначаю межу зміни напруги на робочій ділянці (DUк)

DUк = 55 – 10 = 45 (В).

– Роблю проекцію цієї ділянки на вісь струму Ік (дивись рисунок 4 точки аІ і бІ).

– Визначаю межу зміни струму колектора на робочій ділянці (DІк).

DІк = 34 – 28,25 = 2,125» 5,75 (мА).

– Визначаю межу зміни струму бази на робочій ділянці (DІб).

D Іб = 0,6 – 0,54 = 0,06 (мА).

=

h21 =

U2

Другий варіант визначення коефіцієнту підсилення транзистора:

– На вихідній характеристиці (дивись рисунок 4) задаю постійну ве-личину Uк = 60 вольт.

– Ставлю перпендикуляр до цієї точки.

– Точки перетину перпендикуляра з базовими характеристиками проекціюю на вісь Ік

– Визначаю межу зміни струму бази і колектора

D Іб = 0,6 – 0,4 = 0,2 (мА).

D Ік = 35 – 19,5 = 15,5 (мА).

– Отримані результати підставляю у формулу 4 і визначаю коефі-цієнт підсилення транзистора

– Другий спосіб вважають простішим але не точним, так як коефі-цієнт підсилення визначено не на робочій ділянці і порівнюючи отриманий результат із довідниковим він суттєво відрізняється:

Коефіцієнт підсилення транзистора у довіднику Терещук В.М. Справочник по полупроводниковым приборам – М.: ВШ,1979 – ст.124 лежить для даного транзистора в межаж 100 ¸ 120 разів. Тому отриманий результат в першому варіанті 98,5 більший за резуль-тат другого варіанта 77,5 і більше підходить до значення із довідника.

– Для визначення h 22 – вихідної провідності підставляю у формулу 7 значення DІк і DUк

5 Характеристика робочого місця:

	Рисунок 3 Схема для зняття статичних характеристик

6 Порядок та методика виконання практичної роботи:

6.1 Уважно прочитати теоретичну частинуінструкції довиконанняпрактичної роботи (пункт 4).

6.2 У заготовці звіту (де накреслені вхідні і вихідні характеристики пункт 4) провести розрахунки вхідних та вихідних параметрів транзистора за методикою описаною в теоретичній частині приклад 1 і приклад 2.

6.3 Зробити аналіз отриманих результатів шляхом порівняння їх з довідниковими даними.

7 Зміст звіту:

7.1 Мета роботи.

7.2 Завдання.

7.3 Характеристика робочого місця (Схема для зняття статичних ха-рактеристик транзистора).

7.4 Хід роботи (Статичні вхідні і вихідні характеристики транзис-тора з визначеними по ним параметрами).

7.5 Аналіз отриманих результатів з вказаною літературою, яка була використана при підготовці і виконанні практичної роботи.

8 Контрольні питання для самоперевірки:

8.1 Призначення транзистора.

8.2 Схема включення транзистора із СЕ.

8.3 Схема включення транзистора із СЕ.

8.4 Схема включення транзистора із СБ.

8.5 Схема включення транзистора із СК.

8.6 Вхідні характеристики для схеми із СЕ.

8.7 Вхідні характеристики для схеми із СБ.

8.8 Вхідні характеристики для схеми із СК.

8.9 Вихідні характеристики для схеми із СЕ.

8.10 Вихідні характеристики для схеми із СБ.

8.11 Вихідні характеристики для схеми із СК.

8.12 Визначення вхідного опору транзистора.

8.13 Визначення коефіцієнт зворотного зв’язку транзистора.

8.14 Визначення коефіцієнту підсилення транзистора.

8.15 Визначення вихідної провідності транзистора.

9 Варіанти завдань до практичної роботи №1