 |
77. Задание {{ 77 }} ТЗ № 197. Свободными носителями электрического заряда в полупроводниках, не содержащих примесей, являются
|
|
|
|
77. Задание {{ 77 }} ТЗ № 197
Две электролитические ванны соединены последовательно. В первой ванне выделилось 2, 8 г трехвалентного железа (атомная масса 56 г/моль). За это время во второй ванне с двухвалентным магнием (атомная масса 24 г/моль) выделилось...
£ 50 с
R 25 мин
£ 50 мин
£ 2 ч
78. Задание {{ 78 }} ТЗ № 199
Свободными носителями электрического заряда в полупроводниках, не содержащих примесей, являются...
£ только электроны
£ только " дырки"
£ электроны и ионы
R электроны и " дырки"
79. Задание {{ 79 }} ТЗ № 200
Проводимость полупроводников с акцепторными примесями...
R в основном дырочная
£ в основном электронная
£ ионная
£ электронная и дырочная в равной истепени
80. Задание {{ 80 }} ТЗ № 201
Проводимость полупроводников с донорными примесями...
£ в основном дырочная
R в основном электронная
£ ионная
£ электронная и дырочная в равной степени
81. Задание {{ 81 }} ТЗ № 202
В четырехвалентный германий добавили первый раз трехвалентный галлий, а во второй раз пятивалентный мышьяк. Проводимость полупроводника в каждом случае будет в основном
R в первом – дырочной, во втором -- электронной
£ в первом – электронной, во втором – дырочной
£ в обоих случаях электронной
£ в обоих случаях дырочной
82. Задание {{ 82 }} ТЗ № 203
Примесь является донорной в том случае, когда ее валентность
£ равна валентности основного полупроводника
R больше валентности основного полупроводника
£ меньше валентности основного полупроводника
£ больше валентности основного полупроводника в два раза
|
|
|
83. Задание {{ 83 }} ТЗ № 204
Примесь является акцепторной в том случае, когда ее валентность
£ равна валентности основного полупроводника
£ больше валентности основного полупроводника
R меньше валентности основного полупроводника
£ больше валентности основного полупроводника в два раза
84. Задание {{ 84 }} ТЗ № 205
Полупроводниковый диод – это устройство
R содержащее один p-n – переход и используемое для выпрямления переменного электрического тока в пульсирующий ток одного направления
£ содержащее два p-n – перехода и используемое для выпрямления переменного электрического тока в пульсирующий ток одного направления
£ содержащее один p-n – переход и используемое для усиления напряжения
£ содержащее два p-n – перехода и используемое для усиления напряжения
85. Задание {{ 85 }} ТЗ № 206
Полупроводниковый триод – это устройство
£ содержащее один p-n – переход и используемое для выпрямления переменного электрического тока в пульсирующий ток одного направления
£ содержащее два p-n – перехода и используемое для выпрямления переменного электрического тока в пульсирующий ток одного направления
£ содержащее один p-n – переход и используемое для усиления напряжения
R содержащее два p-n – перехода и используемое для усиления напряжения
86. Задание {{ 86 }} ТЗ № 207
Полупроводники р-типа – это полупроводники
£ не содержащие примесей
£ с донорной примесью
R с акцепторной примесью
£ с малой примесью
87. Задание {{ 87 }} ТЗ № 208
Полупроводники n-типа – это полупроводники
£ с малой примесью
|
|
|
£ с акцепторной примесью
R с донорной примесью
£ не содержащие примесей
88. Задание {{ 88 }} ТЗ № 209
P-n – переход – это граница соприкосновения
£ двух полупроводников с электронной проводимостью
£ двух полупроводников с дырочной проводимостью
R двух полупроводников с разной проводимостью
£ полупроводника и металла
89. Задание {{ 89 }} ТЗ № 210
На рисунке представлены два случая приложенного к р-n – переходу внешнего электрического поля. P-n – переход
R в первом – открыт, во втором – закрыт
£ в первом – закрыт, во втором – открыт
£ в обоих случаях открыт
£ в обоих случаях закрыт
90. Задание {{ 90 }} ТЗ № 211
Зависимость удельного сопротивления полупроводника от температуры имеет вид
£ 
R 
£ 
£ 
|
|
|
