Выходные характеристики транзисторов с ОЭ.

Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ пока­заны на рис.. По сравнению с выходными характеристиками транзистора в схеме с ОБ они имеют больший наклон. Это объяс­няется более сильной зависимостью коэффициента передачи тока базы от напряжения UK э. Кроме того, в схеме с ОЭ сильнее ска­зывается эффект умножения носителей заряда в коллекторном переходе. Возникающие в результате умножения электроны, проникая в базу, смещают эмиттерный переход в прямом направ­лении. Поэтому ток (а следовательно, ток /к) при постоянном токе базы возрастает с увеличением UK3. Последнее обстоятель­ство приводит к пробою коллекторного перехода транзистора при более низких напряжениях на коллекторе (UK3_ Проб < С^и. проб)-При больших токах базы характеристики заметно сгущаются. Начальные участки выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ сходятся в начало координат, так как при UKa = 0 разность потенциалов на коллекторном переходе практически равна нулю, а следовательно, равен нулю ток коллектора 1К.

Значительно более чувствительны к температуре наклон и форма выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ. При ченного в цепь коллектора. Однако при расчетах последний спо­соб применяется реже.) Внутренняя обратная связь по напряже­нию вследствие модуляции толщины базы отражена включением генератора iaKUK в цепь эмиттера. Объемное сопротивление базы г'б включено между внутренней точкой базы Б' и внешним выводом базы Б. Емкости эмиттерного перехода обычно не учитываются (основную долю в емкости эмиттера составляет диффузионная емкость, а ее влияние учитывается автоматически через зависи­мость коэффициента передачи тока от частоты). Емкость коллек­тора Ск шунтирует сопротивление ги. В ряде случаев учитываются токи утечки коллектора.

Семейство выходных характеристик- зависимость тока коллектора, .

Область 2- нормальный активный режим (НАР), 3-область электрич пробоя,1-область насыщения, все ветви располагаются в 1 квадранте и выходят из нуля,про Ukэ=0, Ukб на коллекторе перехода=Uбэ. Этим колл переход открыт и инжектирует дырки в базу. Потоки дырок через кол перехода взаимно уравновеш при этом Iэ≠0, по мере возрастания Iкэ Uкб снижается, но инжекция падает и ток коллектора Ik возрастает. На линии насыщения транзистора работает в режиме двойной инжекции. На границе с областью 2 прямое напряжение на коллекторе перех становится обратным напряжением. В области 3 на переходе коллектор- база действуе обратное напряжение, выразим Iэ через ток базы:

, – коэффициет передачи базового тока (статический). β- показатель связи между током базы и коллектора, если α=0,9…0,99, то β=9…99. Транзистор с оэ позволяет усиливать входной ток. Формулу можно записать проще если взять и

Схема оэ обладает меньшим диф сопротивлением коллекторного перехода и большим примерно в β раз значением тока Ik0 по сравнению с об. Р/м нулевой ток, U<0, при нулевом токе базы через базу протекает сквозной ток I=(1+β)Ik0. Область лежащая ниже Ib=0- область тсечки, область насыщ и облатсь отсечки – НАР

14. Входные характеристики транзисторов с ОБ.

Представляет собой. Вид характеристики близок к прямой p-n перехода, полученная характеристика при более высоком напряжении располагается левее и выше – причина эффект модуляции базы. Градиент концентрации дырок в базе высок, высок ток эмиттера. Iвых> Iвх, входная мощность тк Ubэ не может быть больше 0,5 вольт будет значительно меньше чем выходная мощность, но Ukb мб достаточно большим.

Схема с ОЭ

В схеме с общим эмиттером вывод эмиттера является общим для входнойи выходной цепи транзистора. В транзисторе н-п-н типа полярности будут противоположны,необходимы 2 источника питания Ubэ и Uкэ, на эмиттерном переходе определяется Ubэ, напряжение на коллекторном переходе = Uкэ- Ubэ.