ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛя низкой частоты

Цель работы: исследование влияния эмиттерного и разделительного конденсаторов, а также паразитной емкости на АЧХ усилителя низкой частоты.

Основные положения

В данной лабораторной работе исследуется усилитель низкой частоты на биполярном транзисторе. Его схема приведена на рис.1

Рисунок 1 Схема с общим эмиттером

Принцип действия усилителя основан на двух свойствах транзистора:

ü На возможности управления коллекторным током транзистора с помощью усиливаемого сигнала, подаваемого между базой и эмиттером;

ü На весьма слабой зависимости коллекторного тока от коллекторного напряжения и весьма сильной его зависимости от базового тока.

Усиливаемый сигнал, который будем называть входным, подается между базой и эмиттером транзистора, а усиленный сигнал, который будем называть выходным, на сопротивлении в цепи коллектора R_к. В реальных схемах сигнал снимается с транзистора между его коллектором и землей.

Резисторы R_Б1 и R_Б2 называются базовым делителем и определяют потенциал базы:

Конденсаторы С_Р1 и С_Р2 называются разделительными и обеспечивают развязку цепей усилителя по постоянному току.

Резистор R_Э в цепи эмиттера используется для создания отрицательной обратной связи, обеспечивающую термостабилизацию усилителя. Для того чтобы при этом коэффициент усиления не снижался параллельно с R_Э включают конденсатор С_Э, шунтирующий R_Э в диапазоне рабочих частот.

Резистор R_К определяет выходной ток каскада.

Основной характеристикой усилителя является его амплитудно-частотная характеристика (АЧХ);

АЧХ – зависимость коэффициента усиления усилителя от частоты усиливаемых сигналов. Примерный вид АЧХ показан на рис.2. Снижение коэффициента усиление допустимо до значения равного 0,707К_max и разность частот F_вгр и F_нгр составляет полосу пропускания усилителя:

Рисунок 2 Амплитудно-частотная характеристика

Спад частотной характеристики в области низких частот определяется наличием разделительных конденсаторов С_Р1, С_Р2 и Сэ в схеме усилителя, спад в области верхних частот – наличием паразитных емкостей С_пар и снижением усилительных свойств транзистора.