Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!

Схема с общим эмиттером

⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2

Определение h_11Э:

Кривая U_кэ = 0,1 В соответствует условию ∆U_вых =0.

h_11Э=∆U_вх/∆I_вх=∆U_бэ/∆I_б=r_вх.

r_вх - дифференциальное входное сопротивление.

Определение h_12Э:

h_12Э=∆U_вх/∆U_вых=∆U_бэ/∆U_кэ =КОС;

∆U_кэ= U_{кэ раб.точке}- U_кэ(0).

КОС - коэффициент обратной связи по напряжению.

Определение h_21Э:

Выбираем ВАХ, соответствующую току базы, при котором определялись параметры h₁₁ и h₁₂. Выбираем на ней рабочую точку А. Двигаясь по прямой ∆U_вых = const, находим ∆I_вых и ∆I_вх.

h_21Э=∆I_вых/∆I_вх=∆I_к/∆I_б=β

∆I_б = I_б5-I_б4

β - коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером.

Определение h_22Э:

Рабочая точка А берется также, что и при определении h₂₁ _.На характеристике I_б = const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆I_вых и ∆U_вых.

h_22Э==∆I_вых/∆U_вых=∆I_к/∆U_кэ=1/r_i

r_i - дифференциальное внутреннее сопротивление.

Схема с общей базой

Определение h_11Б:

Выберем рабочую точку А на прямолинейной части входной характеристике. На характеристике U_кб = const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆I_вх и ∆U_вх.

h_11Б=∆U_вх/∆I_вх=∆U_эб/∆I_э=r_вх,

r_вх -дифференциальное входное сопротивление.

Определение h_12Б:

h_12Б=∆U_вх/∆U_вых=∆U_эб/∆U_кб =КОС

Из-за недостатка экспериментальной информации - получена всего одна кривая - найти h₁₂ нельзя.

Определение h_21Б:

Выбираем ВАХ, соответствующую току эмиттера, при котором определялся параметр h₁₁. Выбираем на ней рабочую точку А. Двигаясь по прямой U_вых = const, находим ∆I_вых и ∆I_вх.

h_21Б=ΔI_вых/ΔI_вх=ΔI_к/ΔI_э= α;

α -коэффициент передачи по току в схеме с общей базой.

Определение h_22Б:

Рабочая точка А берется таже, что и при определении h_21Б _.На характеристике I_э = const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆I_вых и ∆U_вых.

h_22Б= ΔI_вых/ΔU_вых=ΔI_к/ΔU_кб=1/r_i

r_i=1/h_22Б - дифференциальное внутреннее сопротивление.

ОТЧЕТ

по лабораторной работе студент:

группа:

дата:

тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Схемы включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) и с общей базой (ОБ).