Структура и топология МДП-транзистора
⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2 Данные из варианта: L = 4 мкм W = 20 мкм xj = 0.6 мкм
ГЛАВА 1. Расчет параметров МДП транзисторА. Раздел 1.1. Расчет и корректировка порогового напряжения
При
где: - φGB – контактная разность потенциалов затвор - полупроводник, - φG, φB – их потенциалы соответственно, - QSS –плотность поверхностного заряда на границе диэлектрик-полупроводник, - QSB0 – поверхностная плотность заряда в канале, - CS – удельная емкость диэлектрика.
Выберем в качестве материала затвора n+ - Si*. Тогда
Эффективное значение поверхностной плотности заряда на границе диэлектрик – полупроводник:
Для обеспечения заданной величины порогового напряжения
Необходимая доза подлегирования составляет:
а средняя концентрация доноров в подзатворном слое:
ВЫВОД: При заданных условиях пороговое напряжение Раздел 1.2. Расчет ВАХ в рамках идеализированной модели В этом приближении действие подложки не учитывается, а толщина ОПЗ под затвором считается постоянной и равной
где
Для значения
Для значения
Для значения
Для значения
Для значения
Раздел 1.2.1. Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором
Для случая неоднородности ОПЗ под затвором ВАХ будет выглядеть, и рассчитываться несколько иначе. Крутая область ВАХ Для крутой области ВАХ:
- коэффициент влияния подложки. Расчет проведем для При
Пологая область ВАХ Приближенно для заданного
где ES = 15 кВ/см — поле насыщения скорости электронов,
толщина ОПЗ под стоком на границе с пологой областью,
контактная разность потенциалов сток-подложка. Из (1.18) и (1.19): Ток стока при ВЫВОДЫ: Для построения реальной ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором необходимо провести прямую через 2 точки:
Раздел 1.3. Факультативное задание: расчет и корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала С учетом эффекта короткого канала изменение порогового напряжения рассчитывается по формуле (1.21):
– толщина ОПЗ под затвором, истоком и стоком,
– контактная разность потенциалов Считаем случай, когда С учетом эффекта узкого канала изменение порогового напряжения рассчитывается по формуле (1.26):
Раздел 1.4. Факультативное задание: расчёт реальной ВАХ, зависящей от Расчет реальной ВАХ при Крутая область ВАХ Для крутой области ВАХ:
При
Пологая область ВАХ Приближенно для заданного контактная разность потенциалов сток-подложка. Ток стока при ВЫВОДЫ:
Реальная выходная ВАХ с учётом неоднородности ОПЗ
Воспользуйтесь поиском по сайту: ![]() ©2015 - 2025 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|