 |
Учебно-методические указания
|
|
|
|
Лабораторно-практическая работа № 7
По предмету «Электроника и импульсной техники»
Тема: «Расчёт параметров биполярных транзисторов по характеристикам»
Цель:
- научиться применять знания, полученные при изучении дисциплины;
- приобрести навыки сборки лабораторных схем для изучения режимов работы транзисторов с последующим расчетом, анализом и экспериментальным определением параметров;
- воспитать у студентов целеустремленность при изучении учебного материала в течение всего учебного года.
Оборудование: методические и справочные материалы, индивидуальное задание.
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
Лабораторно-практическая работа предназначена для усвоения (закрепления) материала теоретических занятий, развития практических умений.
Выполнение практической работы включает этапы: изучение исходных данных; выполнение работы; оформление материалов; защита работы.
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
Транзисторы - полупроводниковые приборы, служащие для генерации, усиления и преобразования сигналов электромагнитной природы.
Параметры транзистора:
h11=D U 1/D I 1 – входное сопротивление транзистора при неизменном выходном напряжении (DU2=0);
h21=D I 2/D I 1 – коэффициент передачи тока при неизменном выходном напряжении (D U 2=0);
h12=D U 1/D U 2 – коэффициент обратной связи по напряжению при неизменном входном токе (D I 1=0);
h22=D I 2/D U 2 – выходная проводимость транзистора при неизменном входном токе (D I 1=0).
Цифра 1 соответствует входным параметрам, цифра 2 - выходным параметрам токов и напряжений. При расчете h-параметров вместо цифр 1 и 2 подставляют индексы: Э, Б, К для значений токов и напряжений соответствующей схемы включения транзистора.
|
|
|
Параметры зависят от выбранного режима транзистора. Режим задается подачей исходных напряжений смещения на эмиттерный и коллекторный переходы. Эти напряжения определяют положение исходной (рабочей) точки на статических характеристиках. Для выбранного режима малосигнальные параметры определяют по семействам входных и выходных характеристик.
б) входные характеристики при ВАХ при фиксированных значениях напряжения UКЭ
а) выходные характеристики при ВАХ при фиксированных значениях IБ
Рис.1.
Рассмотрим методику определения h-параметров транзистора, включенного с ОЭ. По семейству выходных характеристик (рис.1,а) в рабочей точке А определяем h21э и h22э.
Чтобы определить h21э находим приращение токов ΔIб и ΔIк между точками А и В при равном Uкэ = 10В:
Чтобы определить h22э изменяют напряжение на коллекторе на величину ΔUк′ и находят соответствующее ему приращение тока ΔIб ′ при неизменном токе базы Iб3 = 100мкА:
Параметры h11 и h12 определяют по характеристическому треугольнику АСD, построенному в семействе входных характеристик (рис.1,б), на которых рабочая точка А обозначена для того же режима, что и в семействе выходных характеристик.
По координатам точек А и С находят приращение ΔIб и ΔUбэ при неизменном значении Uкэ = 10В:
При неизменном токе базы Iб3 =100 мкА по точкам А и D вычисляют приращение ΔUбэ и ΔUкэ, откуда:
Недостатком малосигнальных параметров является их зависимость от способа включения транзистора в схему, что усложняет расчеты.
|
|
|
