Анизотропия магнитных свойств
При отсутствии внешнего магнитного поля вектор суммарной намагниченности под действием сил магнитной анизотропии в магнитном материале направлен не произвольным образом, а в определенных кристаллографических направлениях, в аморфном материале – в определенном направлении по отношению к плоскости пленки или ленты. Эти направления называются направлениями (осями) легкого намагничивания (НЛН, ОЛН). Направления (оси), в которых необходимо приложить самое большое магнитное поле для намагничивания, называются направлениями (осями) трудного намагничивания (НТН, ОТН). Для поворота вектора намагниченности Ферромагнитные домены В ферромагнетике при температурах ниже температуры Кюри все спиновые моменты атомов с недостроенными d- или f-оболочками (электронными подуровнями) ориентируются параллельно друг другу. В результате этого намагниченность (3) макроскопического образца должна быть близка к намагниченности насыщения. Однако опыт обычно показывает размагниченное состояние ферромагнитных тел. При помещении такого образца в магнитное поле результирующий магнитный момент возрастает и в достаточно слабых полях достигает насыщения. Объяснение этому эффекту было дано П. Вейссом, который предположил, что при отсутствии поля кристалл разбивается на магнитные области – домены – размером 10–4¸
Рис. 2. Магнитная доменная структура: энергетически выгодная плоская четырехдоменная структура с замкнутым магнитным полем. Стрелками показаны направления векторов спонтанной намагниченности
Каждый домен спонтанно намагничен до насыщения, но равновероятное пространственное расположение векторов магнитных моментов приводит к образованию замкнутых магнитных цепей (рис. 2) внутри образца, и результирующий магнитный момент равен нулю.
а б в Рис. 3. Влияние магнитного поля на доменную структуру: схема доменной структуры магнитоодноосного кристалла в размагниченном состоянии (а) и изменение структуры в процессе намагничивания (б и в). Стрелками показаны векторы спонтанной намагниченности
При включении поля, направленного по оси легкого намагничивания (рис. 3, б) происходит смещение доменных границ, увеличение объема доменов, имеющих Доменная стенка (граница магнитных доменов) представляет собой переходный слой шириной 10–7¸10–8 м от одного домена к другому, внутри которого спиновые магнитные моменты постепенно поворачиваются (рис. 4).
Рис. 4. Изменение ориентации магнитных моментов атомов в магнитной стенке: белым цветом показана доменная – стенка, серым – домены
Число доменных стенок в ферромагнитном образце зависит от доменной структуры кристалла в основном состоянии и, в конечном счете, от числа эквивалентных осей легкого намагничивания. Магнитный гистерезис Намагничивание ферромагнитного образца, имеющего нулевую намагниченность M, происходит за счет изменения формы и ориентации доменов (cм. рис. 2). В слабых полях происходит смещение границ доменов (cм. рис. 3, б). Этот процесс обратим. Если внешнее поле
– взаимодействия доменных стенок с дефектами; – скачкообразного вращения вектора спонтанной намагниченности – затруднения образования зародышей перемагничивания (непараллельность векторов В области высоких полей (область III на рис. 5) намагниченность выходит на насыщение (техническое насыщение), которому соответствует точка (M s; H s). Последующий рост напряженности магнитного поля приводит к очень медленному нарастанию намагниченности, которое обусловлено тем, что при T ¹0 K не все спины внутри доменов ориентированы строго параллельно. В сильных полях достигается параллельная ориентация магнитных моментов. Этот процесс носит название парапроцесса (область IV на рис. 5).
Рис. 5. Зависимость намагниченности ферромагнетика от величины приложенного поля: штриховой кривой показана частная петля гистерезиса
Если намагниченный до насыщения образец начать размагничивать, уменьшая внешнее поле
и определяется площадью ПГ. Отметим, что при проведении неполного (частного) цикла намагничивания до некоторых значений H < H max мы получим частную петлю гистерезиса (рис. 5). Частная ПГ может быть несимметричной, если поля намагничивания и размагничивания не равны. Петля гистерезиса в координатах M (H) в соответствии с (5) может быть преобразована в петлю в координатах B (H) (рис. 6). Зависимость B (H) или M (H) при монотонном изменении напряженности магнитного поля от нуля до H max называется первоначальной кривой намагничивания. Для расчетов пользуются основной кривой намагничивания, создаваемой соединением вершин частных симметричных петель гистерезиса, полученных при различных максимальных значениях H (рис. 7).
Рис.8. Зависимость дифференциальной относительной магнитной проницаемости от напряженности поля
Поскольку магнитная индукция зависит от напряженности поля нелинейно (cм. рис. 7), относительная магнитная проницаемость, определяемая по петле гистерезиса, будет дифференциальной:
зависящей от напряженности поля (рис. 8). Полученная таким образом величина m в полях с напряженностью, близкой к нулю, носит название начальной относительной магнитной проницаемости mнач, а максимальное ее значение на всей кривой намагничивания – максимальной относительной магнитной проницаемости mmax. Площадь ПГ (потери при перемагничивании), коэрцитивная сила, остаточная намагниченность (индукция) и другие важные электротехнические величины существенно зависят от характеристики образца: химического состава, структурного состояния, распределения дефектов, деталей технологии получения и обработки. Варьирование обработки позволяет широко изменять свойства магнитного материала. Так, на движение стенок доменов влияют несовершенства кристаллической решетки. Особенно эффективна в этом отношении сетка дислокаций. Поэтому металл в состоянии после холодной механической обработки (деформации) обладает большей магнитной стабильностью, чем металл, подвергнутый отжигу. Именно это обстоятельство послужило причиной использования терминов «магнитомягкий» и «магнитотвердый» при оценке стабильности магнитов.
Отметим, что по виду ПГ все ферромагнетики делятся на две большие группы: магнитомягкие, имеющие H c < 800 А/м, и магнитотвердые с H c > 4 кА/м.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ![]() ©2015 - 2025 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|