Анизотропия магнитных свойств
При отсутствии внешнего магнитного поля вектор суммарной намагниченности под действием сил магнитной анизотропии в магнитном материале направлен не произвольным образом, а в определенных кристаллографических направлениях, в аморфном материале – в определенном направлении по отношению к плоскости пленки или ленты. Эти направления называются направлениями (осями) легкого намагничивания (НЛН, ОЛН). Направления (оси), в которых необходимо приложить самое большое магнитное поле для намагничивания, называются направлениями (осями) трудного намагничивания (НТН, ОТН). Для поворота вектора намагниченности (3) из легкого в трудное направление необходимо затратить энергию, которая пропорциональна энергии магнитной кристаллографической анизотропии (для аморфных магнетиков – энергии магнитной анизотропии), характеризуемой константами анизотропии K 1, Ферромагнитные домены В ферромагнетике при температурах ниже температуры Кюри все спиновые моменты атомов с недостроенными d- или f-оболочками (электронными подуровнями) ориентируются параллельно друг другу. В результате этого намагниченность (3) макроскопического образца должна быть близка к намагниченности насыщения. Однако опыт обычно показывает размагниченное состояние ферромагнитных тел. При помещении такого образца в магнитное поле результирующий магнитный момент возрастает и в достаточно слабых полях достигает насыщения. Объяснение этому эффекту было дано П. Вейссом, который предположил, что при отсутствии поля кристалл разбивается на магнитные области – домены – размером 10–4¸
Рис. 2. Магнитная доменная структура: энергетически выгодная плоская четырехдоменная структура с замкнутым магнитным полем. Стрелками показаны направления векторов спонтанной намагниченности
Каждый домен спонтанно намагничен до насыщения, но равновероятное пространственное расположение векторов магнитных моментов приводит к образованию замкнутых магнитных цепей (рис. 2) внутри образца, и результирующий магнитный момент равен нулю.
а б в Рис. 3. Влияние магнитного поля на доменную структуру: схема доменной структуры магнитоодноосного кристалла в размагниченном состоянии (а) и изменение структуры в процессе намагничивания (б и в). Стрелками показаны векторы спонтанной намагниченности .
При включении поля, направленного по оси легкого намагничивания (рис. 3, б) происходит смещение доменных границ, увеличение объема доменов, имеющих . Появляется суммарная намагниченность . При больших значениях границы уменьшающихся доменов смыкаются в средней части. В результате полосовые домены превращаются в клиновидные, которые затем, с дальнейшим ростом , уменьшаются, стягиваясь к краям образца, и исчезают. Образец намагничивается до насыщения M = M s. Доменная стенка (граница магнитных доменов) представляет собой переходный слой шириной 10–7¸10–8 м от одного домена к другому, внутри которого спиновые магнитные моменты постепенно поворачиваются (рис. 4).
Рис. 4. Изменение ориентации магнитных моментов атомов в магнитной стенке: белым цветом показана доменная – стенка, серым – домены
Число доменных стенок в ферромагнитном образце зависит от доменной структуры кристалла в основном состоянии и, в конечном счете, от числа эквивалентных осей легкого намагничивания. Магнитный гистерезис Намагничивание ферромагнитного образца, имеющего нулевую намагниченность M, происходит за счет изменения формы и ориентации доменов (cм. рис. 2). В слабых полях происходит смещение границ доменов (cм. рис. 3, б). Этот процесс обратим. Если внешнее поле убрать, то домены восстановят исходные форму и размер (область I на рис. 5). Увеличение поля приводит к тому, что рост выгодно расположенных доменов происходит при необратимых процессах (область II на рис. 5):
– взаимодействия доменных стенок с дефектами; – скачкообразного вращения вектора спонтанной намагниченности (из-за магнитной анизотропии, что характерно особенно для однодоменных кристаллов, частиц); – затруднения образования зародышей перемагничивания (непараллельность векторов – в результате взаимодействия с дефектами существуют , непараллельные оси легкого намагничивания). В области высоких полей (область III на рис. 5) намагниченность выходит на насыщение (техническое насыщение), которому соответствует точка (M s; H s). Последующий рост напряженности магнитного поля приводит к очень медленному нарастанию намагниченности, которое обусловлено тем, что при T ¹0 K не все спины внутри доменов ориентированы строго параллельно. В сильных полях достигается параллельная ориентация магнитных моментов. Этот процесс носит название парапроцесса (область IV на рис. 5).
Рис. 5. Зависимость намагниченности ферромагнетика от величины приложенного поля: штриховой кривой показана частная петля гистерезиса
Если намагниченный до насыщения образец начать размагничивать, уменьшая внешнее поле , то изменение намагниченности будет описываться уже другой кривой (рис. 5). Из-за необратимого смещения границ доменов при H = 0 сохраняется некоторая намагниченность M r, называемая остаточной. Для достижения нулевой намагниченности необходимо приложить размагничивающее поле противоположной направленности H c, называемое коэрцитивной силой. При достижении больших значений размагничивающего поля образец намагничивается до насыщения в противоположном направлении. Последующее размагничивание уже этого направления M s происходит по аналогичной кривой, симметричной предыдущей относительно точки (M = 0; H = 0). В результате полный цикл перемагничивания при изменении поля от – H max до H max описывается петлей гистерезиса (ПГ) (рис. 5). Петля гистерезиса наглядно показывает, что процесс размагничивания отстает от уменьшения поля. Это означает, что энергия, полученная ферромагнетиком при намагничивании, не полностью отдается в процессе размагничивания. Часть энергии теряется. Теряемая за один полный цикл энергия в единице объема материала (потери на гистерезис) выражается формулой:
(8) и определяется площадью ПГ. Отметим, что при проведении неполного (частного) цикла намагничивания до некоторых значений H < H max мы получим частную петлю гистерезиса (рис. 5). Частная ПГ может быть несимметричной, если поля намагничивания и размагничивания не равны. Петля гистерезиса в координатах M (H) в соответствии с (5) может быть преобразована в петлю в координатах B (H) (рис. 6). Зависимость B (H) или M (H) при монотонном изменении напряженности магнитного поля от нуля до H max называется первоначальной кривой намагничивания. Для расчетов пользуются основной кривой намагничивания, создаваемой соединением вершин частных симметричных петель гистерезиса, полученных при различных максимальных значениях H (рис. 7).
Рис.8. Зависимость дифференциальной относительной магнитной проницаемости от напряженности поля
Поскольку магнитная индукция зависит от напряженности поля нелинейно (cм. рис. 7), относительная магнитная проницаемость, определяемая по петле гистерезиса, будет дифференциальной: , (9) зависящей от напряженности поля (рис. 8). Полученная таким образом величина m в полях с напряженностью, близкой к нулю, носит название начальной относительной магнитной проницаемости mнач, а максимальное ее значение на всей кривой намагничивания – максимальной относительной магнитной проницаемости mmax. Площадь ПГ (потери при перемагничивании), коэрцитивная сила, остаточная намагниченность (индукция) и другие важные электротехнические величины существенно зависят от характеристики образца: химического состава, структурного состояния, распределения дефектов, деталей технологии получения и обработки. Варьирование обработки позволяет широко изменять свойства магнитного материала. Так, на движение стенок доменов влияют несовершенства кристаллической решетки. Особенно эффективна в этом отношении сетка дислокаций. Поэтому металл в состоянии после холодной механической обработки (деформации) обладает большей магнитной стабильностью, чем металл, подвергнутый отжигу. Именно это обстоятельство послужило причиной использования терминов «магнитомягкий» и «магнитотвердый» при оценке стабильности магнитов.
Отметим, что по виду ПГ все ферромагнетики делятся на две большие группы: магнитомягкие, имеющие H c < 800 А/м, и магнитотвердые с H c > 4 кА/м.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|