 |
Оптоэлектронные приборы
|
|
|
|
ЗАДАНИЯ КОНТРОЛИРУЮЩЕГО
ЭКЗАМЕНАЦИОННОГО (ЗАЧЕТНОГО) ТЕСТА
ДЛЯ СТУДЕНТОВ ФЗО (сфера СПО)
По дисциплине
«Электронная техника»
Для специальностей
11.02.09 - «Многоканальные телекоммуникационные системы»
11.02.10 - «Радиосвязь, радиовещание и телевидение»
11.02.11 - «Сети связи и системы коммуникаций»
Г. Хабаровск
2015
Задания контролирующего экзаменационного (зачетного) теста разработаны на основе Федерального государственного образовательного стандарта (ФГОС) по специальностям :
11.02.09 - «Многоканальные телекоммуникационные системы»
11.02.10 - «Радиосвязь, радиовещание и телевидение»
11.02.11 - «Сети связи и системы коммуникаций»
среднего профессионального образования и рабочей программы учебной дисциплины «Электронная техника»
Разработчики:
Набатникова Ирина Николаевна – преподаватель кафедры «ОПД»
ХИИК ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»
Рецензенты:
Щербаков Алексей Георгиевич – старший преподаватель кафедры «ОПД»
ХИИК ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»
Рассмотрена на заседании кафедры «Общепрофессиональных дисциплин»
Протокол № ___________от «»________________2015г
Зав. кафедрой ____________________ / В.Н. Кудашов /
Утверждено на заседании совета ФЗО
Протокол №______________ от «» ___________ 20____г.
декан ФЗО __________________ /А.Г. Щербаков/
М.П.
ИНСТРУКЦИЯ К ТЕСТОВЫМ ЗАДАНИЯМ
Всего составлено 100 вопросов.
Они разбиты на 10 групп по основным разделам дисциплины. В каждой группе - 10 вопросов. На каждый вопрос - 4 ответа, один из них – верный.
В произвольном порядке компьютерной программой выбирается 1 вопрос из каждой группы. Таким образом, студент должен ответить на 10 вопросов.
|
|
|
Критерии оценки:
| Результат дистанционной сдачи экзамена | Оценка |
| экзамен | |
| 61%-80% | «удовлетворительно» |
| 81%-90% | «хорошо» |
| 91%-100% | «отлично» |
| зачет | |
| 61%-100% | «зачтено» |
Время ответа – 10 минут.
Вопросы тестирования студентов ФЗО СПО
для специальностей:
11.02.09 - «Многоканальные телекоммуникационные системы»
11.02.10 - «Радиосвязь, радиовещание и телевидение»
11.02.11 - «Сети связи и системы коммуникаций»
По дисциплине: «Электронная техника»
ИНСТРУКЦИЯ К ТЕСТОВЫМ ЗАДАНИЯМ
Всего составлено 100 вопросов.
Все вопросы разбиты на 10 блоков по темам:
Блок 1. Полупроводниковые диоды.
Блок 2. Биполярные транзисторы.
Блок 3. Полевые транзисторы.
Блок 4. Тиристоры.
Блок 5. Оптоэлектронные приборы
Блок 6. Приборы для отображения информации.
Блок 7. Структурная схема, параметры и характеристики усилителя
Блок 8. Обратная связь и ее влияние на показатели усилителя.
Блок 9. Оконечные каскады
Блок 10. Операционные усилители (ОУ).
В каждом блоке по 10 вопросов. На каждый вопрос имеется 4 варианта ответа, один из них верный.
Программа в случайном порядке выбирает по одному вопросу из каждого блока, на которые должен ответить студент в течении 10 минут.
Если количество правильных ответов составляет 61% и выше, студент получает «зачтено».
Если количество правильных ответов составляет менее 61%, студент получает «не зачтено».
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
Назовите основное достоинство точечного диода.
1) малые размеры
2) простота конструкции
3) малая емкость PN-перехода
4) малая мощность
(*)
Из какого материала может быть изготовлена таблетка примеси для получения PN-перехода методом сплавления в кристалле P-типа?
1) из индия
2) из бора
3) из галлия
4) из мышьяка
(*)
С какой целью мощные диоды изготавливают в массивных металлических корпусах?
|
|
|
1) для повышения прочности
2) для повышения пробивного напряжения
3) для лучшего отвода теплоты
4) для увеличения емкости
(*)
Какие диоды применяют в качестве электрически управляемой емкости?
1) варикапы
2) стабилитроны
3) стабисторы
4) туннельные диоды
(*)
Какие диоды работают в режиме электрического пробоя?
1) варикапы
2) стабилитроны
3) туннельные диоды
4) импульсные диоды
(*)
Какие диоды используют для усиления и генерации электрических колебаний?
1) варикапы
2) стабилитроны
3) туннельные диоды
4) импульсные диоды
*
Какими буквами маркируют высокочастотные и туннельные диоды соответственно?
1) И и Д
2) В и С
3) А иС
4) А и И
*
Назовите причину хорошей работы диодов Шоттки в диапазоне СВЧ.
1) отсутствует инжекция и накопление неосновных носителей заряда, благодаря чему такие диоды имеют малую инерционность
2) электроны более подвижны, чем дырки
3) это плоскостные диоды, имеющие большую емкость
4) это точечные диоды, имеющие малую площадь PN-перехода
(*)
Назовите причину влияния температуры на ВАХ диода.
1) увеличивается длина свободного пробега электронов
2) изменяется количество пар свободных носителей заряда «электрон-дырка»
3) изменяется толщина PN-перехода
4) изменяется напряжение
(*)
Какой вид пробоя опасен для диодов?
1) лавинный
2) электронный
3) тепловой
4) электрический
(*)
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
В каком направлении включаются эмиттерный и коллекторный переходы в активном режиме работы транзистора?
1) эмиттерный – в обратном, коллекторный – в прямом
2) оба – в прямом направлении
3) оба – в обратном направлении
4) эмиттерный – в прямом, коллекторный – в обратном
(*)
Какие особенности отличают базу от эмиттера и коллектора?
1) толщина
2) тип примеси
3) концентрация примеси
4)все, указанное выше
(*)
Что произойдет, если эмиттерный переход маломощного транзистора включить в обратном направлении, а коллекторный – в прямом?
1) прибор выйдет из строя
2) все токи в транзисторе резко возрастут
3) транзистор работать не будет
4) уменьшится коэффициент усиления
(*)
В чем заключается сущность процесса инжекции в биполярном транзисторе?
|
|
|
1) образование пары «электрон-дырка»
2) исчезновение пары «электрон-дырка»
3) переход ОНЗ через РN - переход при прямом включении
4) переброс ННЗ через PN- переход при обратном включении
(*)
При включении транзистора по схеме с общей базой коэффициент усиления по току равен 0,95. Чему равен коэффициент усиления по току этого транзистора, если его включить по схеме с общим эмиттером?
1) 0,95
2) 0,05
3) 19
4) 20
(*)
При включении транзистора по схеме с общей базой коэффициент усиления по току равен 0,95. Чему равен коэффициент усиления по току этого транзистора, если его включить по схеме с общим коллектором?
1) 0,95
2)1
3)19
4) 20
(*)
Какая схема включения транзистора имеет наибольший коэффициент усиления по мощности и фазовый сдвиг 180°?
1) схема с общей базой
2) схема с общим эмиттером
3) схема с общим коллектором
4) все три схемы
(*)
Какая схема включения имеет наибольшее входное сопротивление, наименьшее выходное и не дает усиления по напряжению?
1)схема с общей базой
2)схема с общим эмиттером
3)схема с общим коллектором
4)все три схемы
(*)
Какая схема включения имеет наименьшее входное сопротивление, наибольшее выходное и не дает усиления по току?
1) схема с общей базой
2) схема с общим эмиттером
3) схема с общим коллектором
4) все три схемы
(*)
Что такое граничная частота?
1)частота, при которой h21э становится равным единице
2)частота, при которой коэффициент передачи тока падает на 3 дБ
3)частота, на которой коэффициент усиления по мощности = 1
4)частота, на которой коэффициент усиления уменьшается в √2 раз
(*)
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
У какого транзистора входное сопротивление максимально?
1) у полевого транзистора с управляющим PN-переходом
2) у биполярного транзистора структуры NPN
3) у биполярного транзистора структуры PNP
4) у МДП-транзистора
(*)
Что является изоляцией между каналом и управляющим электродом (затвором) у полевого транзистора с управляющим PN-переходом?
1) диэлектрик
|
|
|
2) воздушная среда
3) оксид кремния
4) обратно включенный PN-переход
(*)
Какой электрод полевого транзистора является затвором?
1) электрод, от которого перемещаются носители заряда в канале
2) электрод, к которому стекаются носители заряда в канале
3) электрод, на котором выполняют PN-переходы
4) электрод, который управляет электрическим полем
(*)
Чем обусловлены усилительные свойства полевых транзисторов?
1)неосновными носителями заряда
2)тепловыми носителями заряда
3)основными носителями, протекающими через канал, управляемый электрическим полем
4)Электронами и дырками, образованными в процессе генерации
(*)
Схема с общим истоком усиливает сигнал:
1) по напряжению
2) по току
3) по мощности
4)По всем трем параметрам
(*)
Почему наибольшее применение нашла схема включения полевого транзистора с общим истоком?
1) она имеет большое входное сопротивление и наибольший Ку. по мощности
2) она имеет наибольшее входное сопротивление и наибольший Ку. по напряжению
3) она имеет наименьшее входное сопротивление и наибольший Ку. по току
4) она имеет большое входное сопротивление и малое выходное
(*)
Почему электронно-дырочный переход (затвор) у транзисторов с управляющим PN-переходом включают в обратном направлении?
1) чтобы увеличить толщину PN-перехода
2) чтобы уменьшить толщину PN-перехода
3) чтобы увеличить входное сопротивление и уменьшить потери мощности на входе
4)чтобы уменьшить входное сопротивление и увеличить выходное
(*)
Почему большое входное сопротивление является достоинством электронного прибора?
1) позволяет обеспечить согласованный режим на выходе
2) с увеличением входного сопротивления увеличивается входной ток и напряжение
3) уменьшается входной ток и потери мощности на управление потоком носителей заряда
4) при большом входном сопротивлении получаем большое напряжение на выходе
(*)
Как называется режим, при котором число носителей заряда в канале увеличивается?
1) режим насыщения
2)режим отсечки
3) режим обогащения
4) режим обеднения
(*)
В каком режиме могут работать МДП-транзисторы с индуцированным каналом?
1) режим насыщения
2) режим отсечки
3) режим обогащения
4) режим обеднения
(*)
ТИРИСТОРЫ
Динистор – это полупроводниковый прибор, имеющий два электрода (анод и катод) и два устойчивых состояния открытое и закрытое. Динистор состоит из:
1) одного PN-перехода
2) двух PN-переходов
3) трех PN-переходов
4) четырех PN-переходов
(*)
Тринистор – это полупроводниковый тиристор, имеющий три PN-перехода и три вывода (анод, катод и управляющий электрод). Управляющий электрод предназначен:
|
|
|
1) для увеличения напряжения на одном из переходов
2) для уменьшения напряжения на одном из переходов
3) для увеличения тока на одном из переходов
4) для уменьшения напряжения включения на аноде
(*)
Симистор – это полупроводниковый тиристор, имеющий четыре PN-перехода и может быть включен:
1) только при прямом напряжении
2) только при обратном напряжении
3)только находясь в равновесном состоянии
4) как при прямом так и при обратном напряжении
(*)
Тиристор состоит:
1) из трех эмиттерных переходов
2) из трех коллекторных переходов
3) из двух крайних коллекторных переходов и среднего – эмиттерного
4) из двух крайних эмиттерных переходов и среднего – коллекторного
(*)
При прямом включении тиристора, до момента переключения:
1) все три перехода открыты
2) все три перехода закрыты
3) два крайних перехода открыты, средний - закрыт
4) два крайних перехода закрыты, средний - открыт
(*)
С увеличением прямого напряжения, подаваемого на управляющий электрод, напряжение включения:
1) уменьшается
2) увеличивается
3) остаётся неизменным
4) увеличивается в два раза
(*)
Условие переключения тиристора:
1) а1 = 1
2) а2 = 1
3) а1 – а2 = 1
4) а1 + а2 = 1
(*)
Участок вольт- амперной характеристики на котором отрицательное дифференциальное сопротивление:
1)при прямом включении, соответствует малому току при котором коллекторный переход закрыт
2)при прямом включении, соответствует лавинообразному переключению коллекторного перехода,
3) при прямом включении соответствует резкому возрастанию тока при малом напряжении, все три перехода открыты
4) при обратном включении тиристора
(*)
Маркировка тиристора. Расшифровать КУ-203А.
1) кремниевый динистор с током Iпр max ≤ 10 А
2) кремниевый тринистор с током Iпр max ≤ 10 А
3) кремниевый симистор с током Iпр max ≤ 0,3 А
4) кремниевый тиристор с током Iпр max ≤ 0,3 А
(*)
Тиристоры применяют:
1) в управляющих выпрямителях
2) в стабилизаторах напряжения
3) в аппаратуре связи как переключающие устройства, работающие в импульсном режиме
4) во всех выше перечисленных устройствах
(*)
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
Что такое оптроны?
1) фотоэлектрические приборы, преобразующие световую энергию в электрическую
2) фотоэлектрические приборы, обеспечивающие электрическую изоляцию входных и выходных цепей
3) фотоэлектрические приборы, преобразующие электрическую энергию в световую
4) фотоэлектрические приборы, обеспечивающие преобразование сигналов
(*)
Каковы достоинства оптронов?
1) электрическая изоляция входных и выходных цепей
2) отсутствие паразитных обратных связей между входом и выходом
3) возможность передачи большого объема информации
4) все, перечисленное выше
(*)
Что используют для создания фотоприборов?
1) сернистый свинец
2) сернистый кадмий
3) селенид свинца и селенид кадмия
4) все, перечисленное выше
(*)
Какое явление используется в фотоэлектронных умножителях для усиления тока?
1) внутренний фотоэффект
2) электрический пробой
3) вторичная электронная эмиссия
4) лавинный пробой
(*)
Что такое внутренний фотоэффект?
1) генерация пар носителей заряда «электрон-дырка» под воздействием светового потока
2) рекомбинация пар носителей заряда «электрон-дырка» под воздействием светового потока
3) уменьшение электропроводности под воздействием светового потока
4) увеличение сопротивления под воздействием светового потока
(*)
Что из перечисленного относится к фотоэлектронным приборам
с внутренним фотоэффектом?
1) фоторезисторы, фотодиоды
2) фототранзисторы, фототиристоры
3) оптроны
4) все, перечисленное выше
(*)
Из чего состоит оптрон?
1) из источника света
2) из фотоприбора
3) из оптической среды
4) из всего, перечисленного выше
(*)
Что такое светодиод?
1) полупроводниковый прибор на основе PN-перехода, преобразующий электрическую энергию в световую
2) прибор, преобразующий световую энергию в электрическую
3) прибор, который используют в качестве солнечной батареи
4) прибор на основе нити накала, который излучает свет
(*)
Какими свободными носителями заряда обусловлен ток в фоторезисторе
1) дырками
2) электронами
3) электронами и дырками
4) ионами
(*)
Какие фотоприборы обладают наибольшей чувствительностью?
1) фотоэлементы
2) фоторезисторы
3) фотодиоды
4) фототранзисторы
(*)
|
|
|
