Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!

Технология изготовления печатных плат

Печатная плата представляет собой изоляционное основание с нанесёнными на него элементами печатного монтажа. К элементам печатного монтажа относятся: проводники, контактные площадки, зазоры, отверстия и т.д.

Печатная плата является несущим элементом. На ней размещаются навесные элементы (интегральные схемы и дискретные радиокомпоненты), разъёмы и другие детали. В качестве оснований печатных плат используют обычно листовые фольгированные материалы, которые представляют собой слоистый прессованный пластик (гетинакс или стеклотекстолит), облицованный с одной или двух сторон медной фольгой толщиной 0.035 или 0.05 мм. В радиоэлектронной аппаратуре и приборах в основном применяют фольгированный стеклотекстолит по ГОСТ 10316-62.

Существуют два вида конструкции печатных плат – однослойные и многослойные.

Как правило, однослойные печатные платы выполняются с двухсторонним монтажом – проводники располагаются с двух сторон. Переходы с одной стороны платы на другую осуществляются через металлизированные отверстия в ней.

В основе технологии изготовления двусторонних печатных плат (ДПП) лежит использование фольгированных диэлектриков.

В настоящее время для изготовления ДПП применяется комбинированный метод, который включает в себя два способа: негативный и позитивный.

Технологический процесс получения ДПП комбинированным негативным способом состоит из следующих этапов: получение заготовок и подготовка поверхности фольги, нанесение на плату защитного покрытия (фоторезиста), получение изображения печатных проводников экспонированием и проявлением, удаление незащищенных участков фольги травлением, удаление фоторезиста с проводников, нанесение на основание защитного поврытия, обработка отверстий, подлежащих металлизации, химическая металлизация отверстий, электролитическая металлизация отверстий и печатных проводников, покрытие печатных проводников сплавом олово-свинец, механическая обработка контура платы.

Технологический процесс получения ДПП комбинированным позитивным способом состоит из следующих этапов: получение заготовок и подготовка поверхности фольги, нанесение на плату защитного покрытия (фоторезиста), получение изображения печатных проводников экспонированием и проявлением, нанесение защитной лаковой плёнки, сверление отверстий и их химическое меднение, удаление защитной лаковой плёнки, электролитическое меднение отверстий и проводников, нанесение кислостойких сплавов, удаление фоторезиста, химическое травление фольги с пробельных мест, осветление проводящих покрытий, механическая обработка контура печатной платы.

В том случае, если ДПП не удовлетворяет требованиям, в частности не позволяет разместить большое число навесных элементов из-за малого объёма, применяют многослойные печатные платы (МПП).

Известно несколько способов изготовления МПП, однако все они имеют недостатки: большую стоимость и длительность проектирования, значительные затраты времени на изготовление, на налаживание производства, трудности внесения изменений.

Исходным документом при конструировании печатных плат является принципиальная электрическая схема. Для одной принципиальной схемы можно построить несколько вариантов топологии печатной платы, т.е. печатного монтажа.

СПЕЦИФИКАЦИЯ

Резисторы

Позиционное обозначение	Наименование	Количество
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R28, R29,R30, R31, R32, R33, R34, R35, R41, R42, R43	МЛТ-0,125	35
R26, R39	МЛТ-0,25	2
R25, R36, R37, R38, R40	МЛТ-0,5	5
R27	МЛТ-1	1
R44	СП3-13	1

Конденсаторы

Позиционное обозначение	Наименование	Количество
C3, C8, C11	К53-1	3
C16, C17	К50-12	2
C1, C2, C4, C5, C6, C7, C9, C10, C12, C13, C14, C15, C18, C19	К50-16	14

Транзисторы

Позиционное обозначение	Наименование	Количество
VT1	КТ301Б	1
VT2, VT3, VT5, VT6, VT7, VT8	КТ315Б	6
VT4	КТ340Б	1
VT11	КТ814Б	1
VT10	КТ815Б	1
VT12, VT13	КТ817Б	2
VT9	КТ961Б	1

Стабилитроны

Позиционное обозначение	Наименование	Количество
VD1	КС515Г	1
VD2	КС212Ж	1
VD3	КС191С	1

КАРТА РЕЖИМОВ

Резисторы

Позиционное обозначение	Напряжение, В	Ток, А	Мощность, Вт	Номинальное сопротивление, Ом	Тип
R1	0.0179	0.000066	0.000001187	270	МЛТ-0,125
R2	0.0869	0.000054	0.0000047	1600	МЛТ-0,125
R3	13.55	0.0024	0.033	5600	МЛТ-0,125
R4	1.38	0.00203	0.0028	680	МЛТ-0,125
R5	12.13	0.00404	0.049	3000	МЛТ-0,125
R6	0.8	0.00444	0.0036	180	МЛТ-0,125
R7	0.71	0.0000866	0.00006	8200	МЛТ-0,125
R8	11.29	0.0000868	0.00098	130000	МЛТ-0,125
R9	0.0084	0.00000008	0.000000007	10000	МЛТ-0,125
R10	9.88	0.0021	0.021	4700	МЛТ-0,125
R11	0.0842	0.000077	0.00000645	1100	МЛТ-0,125
R12	1.499	0.000062	0.000097	24000	МЛТ-0,125
R13	10.285	0.0000935	0.00096	110000	МЛТ-0,125
R14	1.3	0.000072	0.000094	18000	МЛТ-0,125
R15	6.842	0.00311	0.0213	2200	МЛТ-0,125
R16	0.626	0.00313	0.00196	200	МЛТ-0,125
R17	2.627	0.000164	0.00043	16000	МЛТ-0,125
R18	6.473	0.000155	0.0004	43000	МЛТ-0,125
R19	0.0155	0.0000015	0.000000024	10000	МЛТ-0,125
R20	5.057	0.00389	0.0197	1300	МЛТ-0,125
R21	2.4255	0.000475	0.00115	5100	МЛТ-0,125
R22	6.6745	0.000445	0.00297	15000	МЛТ-0,125
R23	0.0445	0.00000445	0.000000198	10000	МЛТ-0,125
R24	5.23	0.01113	0.0582	470	МЛТ-0,125
R25	30	0.01	0.3	3000	МЛТ-0,5
R26	33	0.006	0.195	5600	МЛТ-0,25
R27	35.9	0.01908	0.716	1800	МЛТ-1
R28	1.32	0.0066	0.0087	200	МЛТ-0,125
R29	10.668	0.0067	0.07113	1600	МЛТ-0,125
R30	1.365	0.0015	0.00205	910	МЛТ-0,125
R31	2.145	0.00165	0.00354	1300	МЛТ-0,125
R32	2.4	0.015	0.036	160	МЛТ-0,125
R33	0.40452	0.02023	0.00818	20	МЛТ-0,125
R34	19.8	0.00165	0.03267	12000	МЛТ-0,125
R35	4.01516	0.02008	0.08061	200	МЛТ-0,125
R36	24.091	0.02008	0.48364	1200	МЛТ-0,5
R37	2.46683	0.13705	0.33807	18	МЛТ-0,5
R38	0.73388	0.40771	0.29921	1,8	МЛТ-0,5
R39	1.91865	0.10659	0.20451	18	МЛТ-0,25
R40	0.7766	0.43144	0.33506	1,8	МЛТ-0,5
R41	0.04	0.0018	0.000073	22	МЛТ-0,125
R42	0.366	0.001525	0.00056	240	МЛТ-0,125
R43	1.782	0.0002376	0.00042	7500	МЛТ-0,125
R44	2.043	0.001857	0.0038	1100	СП3-1

Конденсаторы

Позиционное обозначение

Ёмкость, мкФ

Расчетное напряжение, В

Тип

Номинальное напряжение, В

220

1,49

К50-16

6.3

150

0,18

К50-16

6.3

0,33

8,41

К53-1

150

1,41

К50-16

6.3

9,88

К50-16

3,858

К50-16

6.3

150

0,624

К50-16

6.3

0,33

1,3

К53-1

6.3

100

1,416

К50-16

6.3

C10

5,057

К50-16

6.3

C11

0,68

6,63

К53-1

C12

100

1,44

К50-16

6.3

C13

330

5,23

К50-16

6.3

C14

330

1,365

К50-16

6.3

C15

2,4

К50-16

6.3

C16

3300

3,51

К50-12

6.3

C17

2200

0,40452

К50-12

6.3

C18

220

40,98484

К50-16

C19

330

20,0824

К50-16

Транзисторы

Позиционное обозначение	U_кэ, В	U_бэ, В	I_к, А	I_б, А	P, Вт	Тип
VT1	2.15	0.7	0.004034	0.0004034	0.009	КТ301Б
VT2	1.42	0.7	0.0000422	0.0000008	0.00006	КТ315Б
VT3	2.12	0.7	0.002108	0.0000422	0.0045	КТ315Б
VT4	4.54	0.7	0.031	0.0000312	0.014	КТ340Б
VT5	3.343	0.7	0.000076	0.0000016	0.00026	КТ315Б
VT6	4.043	0.7	0.00388	0.0000776	0.0157	КТ315Б
VT7	3.17	0.7	0.000227	0.0000045	0.00072	КТ315Б
VT8	3.87	0.7	0.1135	0.000227	0.0439	КТ315Б
VT9	20.559	0.7	0.015	0.00015	0.30838	КТ961Б
VT10	20.159	0.7	0.10152	0.005076	2.04646	КТ815Б
VT11	20.159	0.3	0.10152	0.005076	2.04646	КТ814Б
VT12	20.859	0.7	0.38068	0.025379	8.20386	КТ817Б
VT13	20.859	0.7	0.38068	0.025379	8.20386	КТ817Б

Стабилитроны

Позиционное обозначение		Расчетный ток, мА	Iст min, мА	Iст max, мА	Uст, В		Pст max, Вт		Тип
VD1	10		3	31	15	0.25		КС515Г
VD2	6		0.5	13	12	0.125		КС212Ж
VD3	19.08		3	20	9.1	0.25		КС191С

Список литературы

1. Бочаров Л.Н. и др.

Расчёт электронных устройств на транзисторах/ Бочаров Л.Н., Жебряков С.К., Колесников И.Ф.–М.: Энергия,1978.

2. Верховцев О.Г., Лютов К.П.

Практические советы мастеру-любителю: Электроника. Электротехника. Материалы и их применение.–3-е изд., перераб. и доп.–С.Пб.: Энергоатомиздат. Санкт-Петербург. Отд-ние, 1991.

3. Крамнюк А.И.

Электроника и схемотехника: Учебное пособие. Ч 3-5.–Тюмень: ТюмГНГУ, 2001.

4. Московкин Л.Н., Сорокина Н.Н.

Сборка электромеханических и радиотехнических приборов и систем: Учеб. пособ. пля сред. проф.-техн. училищ. – М.: Высш. шк.,1984.

5. В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 109/ Сост. И.Н. Алексеева.– М.: Патриот,1991.

6. В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 110/ Сост. И.Н. Алексеева.– М.: Патриот,1991.

7. Методические указания по курсовому проектированию для студентов дневного и заочного обучения специальности «Автоматика и управление в технических системах» по курсу «Электроника и микросхемотехника» (часть1.Усилители мощности)./Сост. К.т.н., доцент Крамнюк А.И.–Тюмень:ТюмИИ,1988.

8. Методические указания по курсовому проектированию для студентов дневного и заочного обучения специальности «Автоматика и управление в технических системах» по курсу «Электроника и микросхемотехника» (Расчёт предварительных каскадов)./Сост. К.т.н., доцент Крамнюк А.И.–Тюмень: ТюмИИ,1989.

9. Транзисторы/ Чернышев А.А., Иванов В.И., Галахов В.Д. и др.; под общ. ред. А.А. Чернышева. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергия, 1980.

12	Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: