Снятие входных и выходных характеристик биполярного транзистора

Цель работы:

1. Снять статические входные и выходные характеристики транзистора.

2. Определить по характеристикам транзистора в рабочей точке его статические параметры.

Оборудование:

1. Два источника постоянного тока (выпрямители).

2. Вольтметр постоянного тока 6 В (V₁).

3. Вольтметр постоянного тока I5 B (V₂).

4. Миллиамперметр постоянного тока 5 мА (mA₁).

5. Миллиамперметр постоянного тока 50 мА (mA₂).

6. Транзистор П701А.

Порядок выполнения работы:

1. Соберите схему согласно рисунку.

2. Подключите схему к клеммам источников постоянного тока.

 

3. Снятие входных характеристик.

Изменяя напряжение базы U_б от 0 до 1 B, измерьте ток базы I_б для трех фиксированных значений коллекторного напряжения: U_к = 0; U_к = 4В; U_к = 6В

Данные измерений занести в таблицу.

Uб (В)		0,2	0,4	0,6	0,8
Iб (мА)для Uк = 0
Iб (мА)для Uк = 4 В
Iб (мА)для Uк = 6В

 

4. Снятие выходных характеристик.

Изменяя коллекторное напряжение U_к от 0 до 10 В, измерьте коллекторный ток I_к для трех фиксированных значений тока базы: I_б=1мА; I_б=1,5мА; I_б=2 мА. Полученные данные свести в таблицу:

Uк (В)
Iк (мА)для Iб=1 мА
Iк (мА)для Iб=1,5 мА
Iк (мА)для Iб=2 мА

 

5. По данным измерений постройте графики зависимости:

Iб= f (Uб) при Uк=const

Iк= f (Uк) при Iб=const

6. Определить параметры транзистора β, R_вх, R_вых в рабочей точке, указанной преподавателем.

- коэффициент передачи тока базы,

- входное сопротивление

- выходное сопротивление

Контрольные вопросы:

1. Дать определение биполярного транзистора и назначение его областей.

2. Объяснить принцип действия транзистора.

3. Объяснить схемы включения биполярных транзисторов.

4. Объяснить получение входных и выходных вольт-амперных характеристик транзистора.

Общие теоретические положения

Биполярным транзистором называют полупровод­никовый прибор, содержащий два взаимодействующих p-n-перехода и который имеет три вывода.

Транзистор p-n-p- типа структура условное обозначение	Транзистор n-p-n- типа структура условное обозначение
Э – эмиттер, Б – база,К– коллектор

Структура биполярного тран­зистора p-n-p- типа

1 – пластинка германия n- типа (область базы); 3 – две таблетки (или капли) индия (акцептора); 2 – области p- типа (эмиттер и коллектор); 4 – контакт базы.

На границе областей, об­разуются два p-n- перехода: слева – эмиттерный, справа – коллекторный. Эмиттерный, коллекторный пе­реходы и база имеют выводы для включения транзистора в цепь (Э, Б, К).

Принцип действия биполяр­ного транзистора

При включении транзистора в режиме уси­ления эмиттерный переход смещен в прямом на­правлении, а коллекторный – в обратном.

Назначение эмиттерного перехода – инжекция (впрыскивание) основных носителей из эмит­тера в базу. Т.к. p-n- переход является тормозящим для основных носителей, на него подают прямое смещение, уменьшая потенциальный барьер.

Инжектируемые эмиттером основные носители в базовой области являются неосновными. Количество неос­новных носителей в базе вблизи эмиттерного перехода возрастает. В результате в базе создается диффузионный поток неосновных носителей в на­правлении от эмиттерного перехода (где они в избытке) к коллекторному переходу (где их меньше).

Часть неосновных носителей рекомбинируют в базе. Для уменьшения рекомбинации базовую область делают малой ширины (1 – 25 мкм).

Коллекторный переход является ускоряющим для неосновных носителей, поэтому его включают в обратном смещении. Неосновные носители базы под действием ускоряю­щего поля втягиваются в область коллектора, что приводит к созданию в его цепи управляемого коллекторного тока.

⇐ Предыдущая78910111213141516Следующая ⇒

Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: