Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Задание 1. Исследование работы биполярного транзистора в ключевом режиме.

Лабораторная работа №3.

Расчет и исследование работы транзисторных ключей.

Исследование логических схем

Группа: КТ-

Вариант: <по списку в журнале>

Студент: ФИО

Проверил: Климчук С.А.

Цель работы:

Исследовать биполярный и полевой транзистор в ключевом режиме (часть 1). Моделирование логических функций с помощью логических элементов (часть 2).

 

Краткие теоретические сведения

 

Часть 1. Транзисторные ключи выполняются на биполярных или полевых транзисторах. В свою очередь ключи на полевых транзисторах делятся на МДП-ключи и ключи на полевых транзисторах с управляющим p-n – переходом.

Транзисторные ключи являются одним из более распространенных элементов импульсных устройств. На их основе создаются триггеры, мультивибраторы, коммутаторы, блокинг-генераторы и т.д.

Ключи на биполярных транзисторах делятся на насыщенные и ненасыщенные. При анализе транзисторных ключей рассматривают два режима – статический и динамический.

Ключи на полевых транзисторах с управляющим р-n-переходом применяют в различных коммутаторах аналоговых сигналов. Их существенными преимуществами перед ключами на биполярных транзисторах являются:

1) малое остаточное напряжение на ключе в проводящем состоянии;

2) высокое сопротивление в непроводящем состоянии, и, как следствие, малый ток, протекающий через закрытый ключ;

3) малая потребляемая мощность от источника управляющего напряжения;

4) достаточно хорошая развязка между источником управления и источником коммутируемого сигнала;

5) возможность коммутации электрических сигналов низкого уровня (единицы милливольт и менее).

Часть 2. Основным понятием алгебры логики является высказывание – любое утверждение, в отношении которого имеет смысл говорить, что оно истинно или ложно. При этом считается, что каждое высказывание не может быть одновременно и истинно и ложно. Каждое высказывание можно обозначить определенным символом. Запись X = 1 означает, что высказанное истинно, а X = 0 – что высказывание ложно.

Логическая функция может быть записана аналитически различными сочетаниями операций сложения и умножения переменных. Запись логической функции в виде суммы произведений переменных называется дизьюнктивной нормальной формой (ДНФ) × + × +….

Запись функции в виде произведения сумм переменных называется коньюнктивной нормальной формой (КНФ) ( + )×( + )×….

Логическую функцию, заданную аналитическим выражением, можно преобразовать к ДНФ или КНФ, пользуясь правилами алгебры логики. Для каждой логической функции существует несколько равносильных дизьюктивных и коньюктивных форм.

Имеется только один вид КНФ и ДНФ, в которой функция может быть записана единственным образом, – совершенные нормальные формы.

В совершенных ДНФ (СДНФ) каждое входящее слагаемое включает все переменные (с инверсиями или без них), и нет одинаковых слагаемых.

В совершенных КНФ (СКНФ) каждый входящий сомножитель включает все переменные (с инверсиями или без них), и нет одинаковых сомножителей.

Логическая функция наиболее наглядно представляется так называемой таблицей соответствия или истинности, в которой для каждой комбинации перечисленных значений переменных указывается значение функции.

 

Основные логические функции:

Часть 1.

Задание 1. Исследование работы биполярного транзистора в ключевом режиме.

Постройте схему по рис. 1.

 

1. В схеме ключа (рис. 1) установите напряжение питания, указанные в табл. 1. С функционального генератора подаются прямоугольные импульсы амплитудой 2 В с частотой 1 кГц. Лицевая панель генератора с установленными параметрами представлена на рис. 1. Тип транзистора VT – идеальный. Исследуйте зависимость падения напряжения на ключе Vm от тока коллектора при изменении сопротивления Rк от 10 кОм до 100 Ом.

Рис. 1. Простейший ключ на биполярном транзисторе

 

Таблица 1

 

2. Изменяя сопротивление Rb в базе транзистора VT исследуйте зависимость падения напряжения на ключе от тока базы.

Таблица 2

 

 

3. Покажите осциллограмму работы ключа при подаче на базу транзистора прямоугольного и синусоидального сигнала (остальные параметры генератора указаны на рис. 1). Верхняя осциллограмма соответствует выходу ключа, нижняя - базе ключа.

4. Установите реальные транзисторы из библиотеки при напряжении питания Up, равном 12 В согласно табл. 3. Замеряйте Vm, В.

 

Таблица 3

 

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...