Определение деформаций оснований, сложенных набухающими грунтами
18. Подъем основания при набухании грунта hsw определяется по формуле , (18) где esw,i - относительное набухание грунта i -го слоя, определяемое в соответствии с указаниями п. 19; hi - толщина i- го слоя грунта; ksw,i - коэффициент, определяемый в соответствии с указаниями п. 20; n - число слоев, на которое разбита зона набухания грунта. 19. Относительное набухание грунта esw определяется по формулам: при инфильтрации влаги , (19) где hn - высота образца природной влажности и плотности, обжатого без возможности бокового расширения давлением р, равным суммарному вертикальному напряжению уz,tot на рассматриваемой глубине (значение уz,tot определяется в соответствии с указаниями п. 21); hsat - высота того же образца после замачивания до полного водонасыщения, обжатого в тех же условиях; при экранировании поверхности и изменении водно-теплового режима , (20) где k - коэффициент, определяемый опытным путем (при отсутствии опытных данных принимается k = 2); weq - конечная (установившаяся) влажность грунта; w 0 и e 0 - соответственно начальные значения влажности и коэффициента пористости грунта. 20. Коэффициент ksw, входящий в формулу (18), в зависимости от суммарного вертикального напряжения sz,tot на рассматриваемой глубине, принимается равным 0,8 при sz,tot = 50 кПа (0,5 кгс/см2) и 0,6 при sz,tot = 300 кПа (3 кгс/см2), а при промежуточных значениях sz,tot - по интерполяции. 21. Суммарное вертикальное напряжение sz,tot на глубине z от подошвы фундамента (рис. 5) определяется по формуле , (21) где szр, szg - вертикальные напряжения соответственно от нагрузки фундамента и от собственного веса грунта; уz,ad - дополнительное вертикальное давление, вызванное влиянием веса неувлажненной части массива грунта за пределами площади замачивания, определяемой по формуле
, (22) где kg - коэффициент, принимаемый по табл. 6. Таблица 6 Коэффициент kg
22. Нижняя граница зоны набухания Hsw (рис. 5): а) при инфильтрации влаги принимается на глубине, где суммарное вертикальное напряжение sz,tot (п. 21) равно давлению набухания psw; б) при экранировании поверхности и изменении водно-теплового режима - определяется опытным путем (при отсутствии опытных данных принимается Hsw = 5 м). Рис. 5. Схема к расчету подъема основания при набухании грунта 23. Осадка основания в результате высыхания набухшего грунта ssh определяется по формуле , (23) где esh,i - относительная линейная усадка грунта i -го слоя, определяемая в соответствии с указаниями п. 24; hi - толщина i -го слоя грунта; ksh - коэффициент, принимаемый равным 1,3; n - число слоев, на которое разбита зона усадки грунта, принимаемая в соответствии с указаниями п. 25. 24. Относительная линейная усадка грунта при его высыхании определяется по формуле , (24) где hn - высота образца грунта возможной наибольшей влажности при обжатии его суммарным вертикальным напряжением без возможности бокового расширения; hd - высота образца в тех же условиях после уменьшения влажности в результате высыхания. 25. Нижняя граница зоны усадки Hsh определяется экспериментальным путем, а при отсутствии опытных данных принимается равной 5 м. При высыхании грунта в результате теплового воздействия технологических установок нижняя граница зоны усадки Hsh определяется опытным путем или соответствующим расчетом.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|