Частотні спотворення в підсилювачах з резистивно-ємнісним зв’язком

 

Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв’язком застосовуються найбільш часто, оскільки вони прості і компактні. Коефіцієнт підсилення за напругою і за струмом в області середніх частот залишаються сталими, і практично не залежить від частоти. Проаналізуємо частотні спотворення транзисторного каскаду попереднього підсилення в схемі з спільним емітером, який зображений на рис.1.40.

 

 

Рис.1.40. Схема каскаду попереднього підсилення
в схемі з спільним емітером

 

В області низьких частот починають впливати розділювальні конденсатори С_р1 і С_р2, а також конденсатор в колі емітера С_е, спад напруги на якому зменшує значення коефіцієнта підсилення. Для змінної складової струму С_р1 і С_р2 відіграють роль послідовних елементів подільника з частотно-залежним опором. Збільшення ж опору С_е із зменшенням частоти викликає збільшення глибини послідовного від’ємного зворотного зв’язку за струмом, який зменшує підсилення, але одночасно збільшує вхідний опір. Якщо враховувати вплив тільки ємності конденсатора С_р2, то модуль коефіцієнта підсилення за напругою

 

 

де – стала часу вихідного кола;

R_вих – вихідний опір каскаду підсилення;

R_н.екв – еквівалентний опір навантаження каскаду.

Коефіцієнт частотних спотворень, який визначається впливом С_{р 2}

.

 

Збільшення значення ємності С_{р 2} при заданому значенні коефіцієнта частотних спотворень М_н2 викликає розширення смуги пропускання підсилювача в бік низьких частот. При заданому М_{н 2} для визначенні значення ємності С_р2 можна використати вираз

 

Аналогічна дія і вхідного розділювального конденсатора С_{р 1} при умові, що ,

 

де – повний вхідний опір каскаду підсилення,

R_г – опір джерела сигналу.

Значення ємності вхідного розділювального конденсатора при заданому М_{н 1} визначаємо за допомогою виразу

 

Коефіцієнт частотних спотворень за рахунок дії ємності С_е

 

де – стала часу емітерного кола транзистора

 

 

Якщо заданий допустимий коефіцієнт частотних спотворень М_н.е, то значення ємності блокуючого конденсатора С_е в колі емітера

 

 

Результуючий коефіцієнт частотних спотворень на низьких частотах, який враховує вплив конденсаторів С_р1, С_р2 і С_е буде складати

 

_.

 

Таким чином, зниження частотних спотворень в області низьких частот досягається збільшенням сталих часу вхідного, вихідного та емітерного кіл. Оскільки значення опорів, які входять у вирази для сталих часу переважно невеликі, то ємності конденсаторів, які розраховані згідно з розглянути виразів, для заданих значень М_н1, М_н2 і М_н.е досягають десятків і навіть сотень мікрофарад.

За границями області середніх частот зменшення підсилення зумовлено зменшенням модуля коефіцієнта підсилення за струмом β, а також за рахунок збільшення шунтуючого впливу ємності С_к.е, яка ввімкнена паралельно навантаженню.

Коефіцієнт частотних спотворень на високій частоті М_в.β за рахунок зміни β буде складати

 

де - стала часу, яка практично збігається з середнім часом життя неосновних носіїв в базі.

Коефіцієнт частотних спотворень на високій частоті, які вноситься за рахунок ємності С_к.е буде дорівнювати

 

де - стала часу розряду конденсатора С_к.е

 

 

Результуюче значення коефіцієнта частотних спотворень на верхній частоті буде складати

 

⇐ Предыдущая6789101112131415Следующая ⇒

Поделиться:

Читайте также:

Високочастотні діоди
Високочастотні та імпульсні діоди
Зворотні зв'язки в підсилювачах
Зворотні зв’язки у підсилювачах
Нелінійні спотворення в підсилювачах на транзисторах
Температурні і частотні властивості транзистора
Температурні та частотні властивості p-n переходу
ЧАСТОТНІ ВЛАСТИВОСТІ

Воспользуйтесь поиском по сайту: