 |
Электрическое сопротивление конденсатора
|
|
|
|
, 
, где XС – сопротивление, Ом; ¦ - частота, Гц; C – емкость, Ф.
Индуктивности
Катушки индуктивности позволяют запасать электрическую энергию в магнитном поле. Типичными областями их применения являются сглаживающие фильтры и различные селективные цепи. Электрические характеристики катушек индуктивности определяются их конструкцией, свойствами материала магнитопровода, числом витков обмотки.
Основные факторы при выборе катушек индуктивности:
а) требуемое значение индуктивности (Гн, мГн, мкГн, нГн);
б) максимальный ток катушки;
в) точность выполнения индуктивности;
г) активное сопротивление проводов обмотки;
д) добротность катушки.
Электрическое сопротивление катушки индуктивности определяется как отношение действующих значений напряжения и тока. Оно прямо пропорционально индуктивности и частоте изменения тока и измеряется в омах (Ом).
XL = UL/IL = 2p¦L,
где XL – сопротивление, Ом; ¦ - частота, Гц; L – индуктивность, Гн.
Трансформаторы
Трансформаторы дают возможность передавать энергию из одной части схемы в другую, непосредственно не связанную с первой. Отношение вторичного и первичного напряжений определяется коэффициентом трансформации, который может быть как больше единицы (повышающий трансформатор), так и меньше единицы (понижающий трансформатор)
Электрические характеристики трансформатора.
а) допустимые токи и напряжения для первичной и вторичной обмоток;
б) максимальная мощность, ВА;
в) диапазон рабочих частот.
Основные соотношения в трансформаторе.
Для низкочастотных трансформаторов, имеющих сердечник из сальных пластин справедливы следующие соотношения:
|
|
|
; 
; 
где 
и 
– число витков соответственно первичной и вторичной обмоток; 
и 
– первичное и вторичное напряжения; 
, 
– первичный и вторичный токи.
Расчетная мощность трансформатора.
Мощность, потребляемая трансформатором из питающей сети, может быть определена умножением коэффициента 1,1 на сумму мощностей, потребляемых всеми нагрузками.
. Тогда первичная (входная) мощность 
.
Диоды
Принцип работы диода
Основой современных полупроводниковых приборов является кремний или германий. Чтобы полупроводниковый элемент был пригоден для создания электронного устройства, в него необходимо добавить примесь. Существует два типа полупроводников c примесями: n–типа и p–типа. Для получения полупроводника n–типа в него добавляют донорную примесь (например, мышьяк, сурьма), которая обеспечивает появление в межатомном пространстве свободных электронов, а в кристаллической решетке появляется такое же количество неподвижных положительных ионов донора. Для получения полупроводника р–типа в него добавляют акцепторную примесь (например, индий, галлий), которая обеспечивает появление в межатомном пространстве свободных дырок, а в кристаллической решетке появляется такое же количество неподвижных отрицательных ионов акцептора. Дырка – это место в кристаллической решетке полупроводника, где недостает электрона. Положительный ион – это атом, потерявший электрон, а отрицательный ион – это атом, получивший электрон. В твердых телах атомы неподвижны, т.к. закреплены в узлах кристаллической решетки.
В полупроводниках n–типа ток переносят отрицательно заряженные частицы – электроны, а в полупроводниках p–типа – положительно заряженные частицы – дырки. Перемещение дырок – это перемещение мест с отсутствующими электронами в результате движения электронов.
Основой полупроводникового диода является двухслойная структура, созданная на основе кристалла полупроводника, имеющего две области. В одну область кристалла вводится донорная примесь (n- область), а в другую – акцепторная (p- область). Структура полупроводникового диода имеет вид, показанный на рис.1.
|
|
|
Рис. 1. Структура полупроводникового диода
Граница раздела двух областей с различной проводимостью называется. p-n переходом. Из-за встречной диффузии через p-n переход дырок (из р- в n- область) и электронов (из n- в р- область) в тонком слое вблизи p-n перехода происходит рекомбинация (взаимная компенсация) дырок и электронов (дырки заполняются электронами). В результате между р- и n- областями образуется так называемый обедненный слой, который имеет очень мало свободных носителей заряда. Как только электроны покидают n- область, в ней начинает действовать суммарный заряд лишних положительных ионов, который будет тянуть свободные электроны обратно и препятствовать их движению в сторону р-n перехода. Точно также, когда дырки покидают p- область, в ней начинает действовать суммарный заряд лишних отрицательных ионов, который будет тянуть свободные дырки обратно и препятствовать их движению в сторону р-n перехода. Заряды неподвижных ионов примесей оказываются не скомпенсированы и создадут по обе стороны p-n перехода область объемного заряда – рис.1. Этот объемный заряд образует потенциальный барьер. Энергия носителей зарядов оказывается недостаточной, чтобы преодолеть этот барьер, поэтому их диффузия прекращается.
Если к полупроводниковому диоду приложить внешнее напряжение так, чтобы его положительный потенциал присоединен к p-слою, то дырки и электроны будут как бы отталкиваются источником внешнего напряжения в сторону р-n перехода. Потенциальный барьер уменьшается, переход основных носителей зарядов через границу (электронов из n-слоя и дырок из p-слоя) и их взаимная компенсация возрастают, следовательно, через диод будет протекать ток. Источник будет поставлять в n-слой новые электроны, а в p-слое создавать новые дырки.
При обратном знаке напряжения электроны притягиваются к положительному потенциалу источника, а дырки. к отрицательному, потенциальный барьер в области p-n перехода увеличивается, переход зарядов через границу почти прекращается, ток через диод очень мал. Этот ток обусловлен тепловым разрушением ковалентных связей в обоих слоях и образованием пар электрон-дырка. Неосновные носители (электроны в p-слое и дырки в n-слое) имеют такой знак заряда, который способствует их прохождению через переход.
|
|
|
Полупроводниковый диод – это своеобразный конденсатор: области n и p можно рассматривать как обкладки конденсатора, а p-n переход – как изолятор между обкладками. Различают диффузионную (при прямом приложенном напряжении) и барьерную (при обратном напряжении) емкости диода. Емкость полупроводникового диода – это бесплатное приложение к его основному свойству – к односторонней проводимости. Во многих случаях это свойство является вредным, т.к. ухудшает работу диода на высоких частотах, в импульсных режимах и обуславливает его инерционность.
Изображение диода на электрической схеме показано на рис. 2. Вывод p-слоя называется анодом (А). Вывод n-слоя называется катодом (К).
Рис. 2. Изображение диода на электрической схеме
Включение диода в простейшую электрическую цепь показано на рис. 3, 4. На рис.3 диод является проводником, поэтому в цепи должен быть элемент, ограничивающий ток. Таким элементом является резистор Rн. Ток через него равен: 
. 
, поэтому I=U/Rн; URн=IRн=U.
Рис. 3 Рис. 4
Включение диода в простейшую электрическую цепь
При обратном включении диода через него протекает незначительный обратный ток. Для диодов на малые токи обратный ток может составлять десятки нА, у больших диодов - десятки mА. Схема при обратном включении диода представлена на рис. 4. Для нее 
, 
, т.к. 
, поэтому 
.
Часто диод включен в схему, где приложенное напряжение является переменным. Виды этих напряжений:
1. Синусоидальное, показано на рис. 5.
2. Прямоугольное, показано на рис.6
3. Треугольное.
4. Экспоненциальное.
Рис. 5. Синусоидальное напряжение Рис. 6. Прямоугольное напряжение
|
|
|
