 |
Вихідна провідність
|
|
|
|
h 22б = 
Iк / U к - при Iе = const (5.20)
і складає одиниці мікросіменсів і менш; вихідний опір 1/ h 22б звичайно складає сотні кілоом, тобто значно вище, ніж в схемі СЕ.
При будь-якій схемі ввімкнення h -параметри пов'язані з власними параметрами транзистора. Наприклад, для схеми СБ
h11б = rе + rб (1 -a); h21б = -a;
h12б = rб /rк; h22б = 1/rк, (5.21),
а для схеми з СЕ
З цих формул можна визначити власні параметри, якщо відомі h -параметри.
Всі формули зв'язку між параметрами виходять з розгляду відповідної еквівалентної схеми Наприклад, для схеми на рис.5.9 можна написати
так як rб << rк
Аналогічно можна отримати формули для схеми СЕ (рис.5.10).
У табл.5.1 для схем СЕ і СБ вказані значення h -параметрів, причому замість h22 даний вихідний опір 1/ h22
Знаходяться h -параметри за характеристиками для заданої точки відповідно до формул, приведених вище. Як приклад знайдемо h -параметри транзистора для схеми СЕ.
З вихідних характеристик (рис.5.12, а) можна знайти для заданої точки Т параметри h 21е і h 22 · За приростами Iк і Iб між точками А і Б при сталій напрузі Uк-е отримаємо
h21е = b = Iк / Iб = 1 мА/40 мкА = 25.
Таблиця 5.1. Значення h -параметрів
| Параметр | Схема СЕ | Схема СБ |
| h 11 | Сотні ом ÷ одиниці кілоом | Одиниці ÷ десятки Ом |
| h 12 | 10-3 ÷10-4 | 10-3 ÷10-4 |
| h 21 | Десятки ÷ сотні | 0,950 ÷ 0,998 |
| 1/ h 22 | Одиниці ÷ десятки кілоом | Сотні кілоом ÷ одиниці мегаом |
Відношення приростів Iк i Uк.-е між точками В і Г при сталому струмі I б дає можливість визначити
h 22е, = Iк / Uк-е, = 0,4.10-3 / 14 = = 28,6· 10-6 См,
що відповідає вихідному опору
1/ h 22е = 1/(28,6 · 10-6) См = 36 200 Ом = 36 ком.
На вхідній характеристиці (рис.5.12, б) вказана точка Т для того ж режиму, що і на вихідних характеристиках. За приростами Uбе, і Iб між точками А і Б при сталій напрузі Uке, знаходимо
|
|
|
h 11е = Uб.е / Iб = 50 мВ/20 мкА = 2500 Ом.
Для визначення h 12е необхідно мати не менш двох вхідних характеристик, знятих при різних значеннях Uк-е . Але в довідниках звичайно наводиться тільки одна характеристика, з якої h 22е знайти не можна (вхідну характеристику при Uк.е = 0 для визначення параметрів не потрібно використовувати). Оскільки параметр h 12 ·, не застосовується для найпростіших практичних розрахунків, ми не будемо займатися його визначенням з характеристики.
Крім системи h -параметрів користуються також системою параметрів у вигляді провідності, або у -параметрами. Для низьких частот вони є чисто активними, і тому їх іноді позначають літерою y з відповідними індексами. Ці параметри визначають при короткому замиканні для змінного струму на вході або на виході транзистора за наступними формулами. Вхідна провідність
y 11 = I 1 / U 1 при U 2= const. (5.23)
Неважко побачити, що y 11 є величиною, зворотною h 11:
y 11 = 1/ h 11. (5.24)
Провідність зворотного зв'язку
у 12 = I 1/ U 2 при U 1 = const. (5.25)
Параметр y 12 вказує, яка частина струму i 1 виникає за рахунок зворотного зв'язку при змінівихідної напруги U 2 на 1 В.
Провідність управління (крутизна)
у21 = I 2 / U l при U 2 = const. (5.26)
Величина у 21 характеризує керуючу дію вхідного напруги U 1 на вихідний струм I 2 і показує зміну I 2 при зміні U 1 на 1 В; значення у 21 - десятки і сотні міліампер на вольт (мілісіменс).
Вихідна провідність
у22 = I 2 / U 2 при U 1 = const. (5.27)
Відзначимо, що у 21 і у 22 є різними величинами, оскільки вони визначаються при різних умовах (u 1 = const і I 1 = const).
Параметр у 21пов'язаний з h -параметрами простим співвідношенням
y 21= h 21/ h 11, (5.28)
У систему у -параметрів інодідодають ще статичний коефіцієнт підсилення за напругою
m = U 2 / U 1 при I 2 = const (5.29)
Параметр m пов'язаний з іншими у -параметрами співвідношенням
m = У 11 / У 12 (5.30)
і складає для транзисторів тисячі.
|
|
|
За допомогою у -параметрів струми і напруження транзистора можна зв'язати рівняннями
Im 1= y 11 Um 1+ y 12 Um 2; (5.31)
Іm 2 =У 21 Um 1+ у 22 Um 2. (5.32)
Ці рівняння показують, що вхідний струм Im l складається з струму, який формується вхідною напругою Um 1 в елементі у 11 схеми, і струму, який виникає у вхідному колі від напруги Um 2 за рахунок зворотного зв'язку. А вихідний струм Im2 складається з підсиленого струму y 21 Um 1 і струму, який виникає в елементі у 22 напругою Um2.
Для системи у-параметрів може бути застосована еквівалентна схема, зображена на
рис.5.13, яка відповідає рівнянням (5.31) і (5.32). У цій схемі генератор струму y 21 Um 1 враховує підсилення, що створюється транзистором, а генератор струму y 12 Um 2 - внутрішній зворотний зв'язок в транзисторі. Іноді транзистор представляють у вигляді еквівалентної П-подібноїсхеми з провідністю (рис.5.14), які пов'язані з у -параметрами наступними співвідношеннями:
у1 = У 11 + У 12; У 2 = У 22 + У 12;
У 0 = - У 12; У = У21 - У12 (5.33)
Генератор струму Um 1 в даній схемі враховує підсилення струму.
|
|
|
