Методы обеспечения режима работы транзистора в каскадах
УСИЛЕНИЯ Для нормальной работы любого усилительного каскада необходимо установить определенные токи и напряжения во входной и выходной цепях транзистора при отсутствии входного сигнала. Такой режим называют статическим (режим по постоянному току, режим покоя). Значения постоянных составляющих токов и напряжений определяются источниками питания во входной и выходной цепях усилителя. В практических схемах отдельный источник смещения во входной цепи используется редко, а вводятся дополнительные элементы смещения (обычно резисторы), на которые подается напряжение от источника питания в выходной цепи. Рассмотрим основные способы обеспечения режима по постоянному току в схеме с ОЭ. Основным требованием при этом является обеспечение постоянства выбранного режима покоя при изменении температуры и замене транзистора. НЕСТАБИЛИЗИРОВАННЫЕ ЦЕПИ СМЕЩЕНИЯ
Рассмотрим две основные разновидности нестабилизированных цепей смещения. Схема усилительного каскада со смещением фиксированным током базы показана на рисунке 3.11. Сопротивление RБ выбирается во много раз большим сопротивления по постоянному току между коллектором и базой транзистора, напряжение UБЭО «Ек. Поэтому (3.10)
Схема усилительного каскада со смещением фиксированным напряжением база-эмиттер показана на рисунке 3.12.
Напряжение смещения UБЭ0 обеспечивается с помощью делителя напряжения Rl и R2 в цепи базы. Из схемы на рисунке 3.12 следует, что Ек = ImR2 + IдлR1 + IБ0R1, где Iдл — ток делителя. Отсюда Поскольку UБЭ0 = IдлR2, имеем (3.11)
ПРИЧИНЫ НЕСТАБИЛЬНОСТИ
Статические характеристики транзисторов могут существенно отличаться из-за технологического разброса параметров транзисторов от одного экземпляра к другому, к тому же они имеют сильную зависимость от температуры. Ток коллектора транзистора
Iко» h21Э (IБО + IКБО), (3.12)
где h21Э — низкочастотный коэффициент усиления по току в усилителе с ОЭ; IКБ0 — обратный ток коллектора при отключенном эмиттере транзистора, являющийся тепловым током неосновных носителей заряда через pn - переход. Как следует из (3.12), ток Iко даже при фиксированном токе базы зависит от h21Э и IКБ0. Коэффициент усиления h21Э может меняться от экземпляра к экземпляру транзистора в 2-3 раза. Ток IКБ0 резко зависит от температуры. Так, при увеличении температуры на каждые 10°С он увеличивается вдвое у германиевых и втрое у кремниевых транзисторов. Оба отмеченных фактора могут резко изменить режим работы транзистора. По указанным причинам усилительный каскад со смещением фиксированным током базы практически не применяется. При смещении фиксированным напряжением база-эмиттер разброс параметров транзистора и изменения температуры значительно меньше влияют на отклонения от заданного режима работы транзистора. Однако и в этом случае нестабильность режима может быть существенной. Изменения температуры и разброс параметров транзисторов приводят к изменению токов Iко и IБ0. При этом падение напряжения на резисторах R1 и R2 в усилительном каскаде (рисунок 3.12) изменяется. Для некоторого уменьшения этих изменений необходимо, чтобы выполнялось условие Iдл» IБО. Тогда изменения IБ0 мало влияют на напряжение смещения UБЭО. В то же время с увеличением Iдл приходится уменьшать сопротивление резисторов Rl и R2, что приводит к увеличению выделяемой на них мощности и уменьшению входного сопротивления каскада. Обычно в каскадах предварительного усиления выбирают Iдл = (5-10)IБ0, а в каскадах мощного усиления Iдл = (1-5)IБ0. Задаваясь значением Iдл, определяют сопротивление резистора R1 = UБЭО / Iдл, а сопротивление R2 находится из (9.11). Следовательно, нестабилизированные цепи смещения могут применяться только в тех случаях, когда усилитель работает при малых колебаниях температуры и при индивидуальном подборе резисторов цепей смещения для примененного в усилителе транзистора. Основные параметры каскада усиления по схеме с общим эмиттером сильно зависят от внешних воздействий.
К ним в первую очередь, как описано выше, следует отнести изменение температуры окружающей среды, вызывающее: Ø изменение обратного тока коллекторного перехода IКБ0. Ø изменение напряжения эмиттерного перехода транзистора. Ø изменение коэффициента передачи тока транзистора h21Э. Ø изменение напряжения питания, изменение сопротивления нагрузки и т. п. Все эти воздействия приводят к изменению тока коллектора, а следовательно и к изменению выходного напряжения усилительного каскада, но имеется возможность их компенсировать специальными схемотехническими решениями.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|