 |
Система обозначений полупроводниковых диодов
|
|
|
|
С помощью буквенно-цифровых обозначений полупроводниковые диоды классифицируют по функциональному назначению, материалу изготовления и некоторым другим параметрам.
Согласно ГОСТ первый элемент обозначения указывает материал, из которого изготовлен полупроводниковый диод. При этом буква обозначает, что диод предназначен для использования в бытовых и промышленных изделиях массового применения, цифра – для использования в специальных изделиях. Конкретно:
Г или 1 – германий и его соединения,
К или 2 – кремний и его соединения,
А или 3 − соединения галлия,
И или 4 − соединения индия.
Второй элемент обозначения указывает область функционального назначения, а именно подкласс прибора:
Д − диоды выпрямительные, универсальные и импульсные,
Ц − выпрямительные столбы и блоки,
А − диоды СВЧ,
В − варикапы,
И − диоды туннельные и обращённые,
Л − диоды излучающие,
Г − генераторы шума,
Б − приборы с объёмным эффектом Ганна,
С − стабилитроны, стабисторы (стабилизаторы напряжения),
К − стабилизаторы тока.
Третий элемент обозначения – цифра, определяющая область применения прибора (по мощности, частоте или др.).
Четвёртый и пятый элементы обозначения диодов, кроме стабилитронов и стабисторов, образуют число, определяющее порядковый номер разработки технологического типа прибора.
Для стабилитронов и стабисторов третий элемент обозначения – цифра, определяющая индекс (максимальную величину рассеиваемой) мощности, четвёртый и пятый элементы обозначения – напряжение стабилизации (В).
Шестой элемент обозначения – буква, обозначающая параметрическую группу данного технологического типа (напряжение, ток, диапазон рабочих температур и др.).
|
|
|
Примеры:
КД221Г – кремниевый (К) выпрямительный (Д) диод, маломощный (2 – на ток до 1 А) для устройств широкого применения (К), номер разработки – 21, технологическая группа Г,
ГД511Б – германиевый (Г) универсальный импульсный (Д) диод для устройств широкого применения (Г), номер разработки – 11, технологическая группа Б,
2С168А – кремниевый (2) стабилитрон (С) малой мощности (1) для использования в устройствах специального назначения, напряжение стабилизации 6,8 В (68), технологическая группа А.
По видам электрических контактов (по конструкции) полупроводниковые диоды делят на диоды с p-n-переходом (подавляющее большинство приборов) и диоды с переходом металл-полупроводник.
По частотным свойствам и назначению полупроводниковые диоды делят на группы:
− СВЧ-диоды (более 100 МГц) − детектирование, преобразование, измерения,
− ВЧ-диоды (от низких до СВЧ частот) − детектирование, преобразование, измерения,
− НЧ-диоды – выпрямительные,
− специальные (всех частот) – опорные, переключающие, фотодиоды и др.
Условные графические обозначения полупроводниковых диодов на схемах принципиальных электрических определяет ГОСТ 2.730-73. ЕСКД. "Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые" (рис. 1.1).
Рис. 1.1. Условные графические обозначения полупроводниковых диодов (а – выпрямительный, б – стабилитрон, в – варикап, г – светодиод, д – фотодиод)
Основные параметры полупроводниковых диодов
ГОСТ 25529-82 "Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров" даёт 146 определений параметров, в том числе 34 общих понятий и дополнительно для выпрямительных диодов 30 понятий, для туннельных диодов 10 понятий, для варикапов 5 понятий, для стабилитронов 10 понятий, для СВЧ диодов 47 понятий и для шумовых диодов 8 понятий.
|
|
|
Общими основными параметрами полупроводниковых диодов являются:
− максимально допустимый прямой ток,
− максимально допустимое постоянное обратное напряжение,
− постоянное прямое напряжение,
− постоянный обратный ток.
В то же время в зависимости от назначения диода, кроме общих, основными могут быть другие параметры. Например, для импульсных диодов это будут максимально допустимые или средние импульсные значения тока и напряжения, для варикапов – ёмкость и диапазон её изменения, для светодиодов – яркость и цвет свечения, для стабилитронов − напряжение стабилизации и его разброс.
Обязательным параметром для всех полупроводниковых диодов является диапазон рабочих температур.
Важным параметром для многих диодов являются частотные свойства, задаваемые либо через время восстановления, либо через максимальную рабочую частоту.
|
|
|
12 |
