Точность измерения четырехзондовым методом
Стр 1 из 2Следующая ⇒ Основные электрофизические свойства полупроводников. К основным электрофизическим характеристикам полупроводников относятся ширина запретной зоны Ширина запретной зоны Удельная электропроводимость характеризует способность материала проводить электрический ток. Для полу проводников:
где n и В собственных (беспримесных) полупроводниках при любой температуре Т. К концентрации свободных электронов и дырок приблезительно одинаковы и равны
Подвижность носителей заряда
Методы измерения удельного сопротивления. Для измерения удельного объемного сопротивления полупроводников существует ряд бесконтактных и контактных методов.
Бесконтактные реализуются без механического контакта между образцом и средством измерения. К ним относят методы вихревых токов, плазменного резонанса, поглощение СВЧ-энергии и наиболее простые - ёмкостный и индуктивные методы. Наибольшее распространение получили контактные методы измерения. Одним из первых способов измерения Методика измерения удельного поверхностного сопротивления четырехзондовым методом. Кроме высоких метрологических показателей преимущество четырехзондового метода состоит в том, что: не требуется создание омических контактов; возможно измерение удельного объемного сопротивления образцов самой разнообразной формы и размеров, а также Основное условие его применения - наличие плоской поверхности, линейные размеры системы зондов. Точность измерения четырехзондовым методом Точность этого метода сильно зависит от расстояния между зондами. Обычно оно берется равным 1,5-0,5 мм, а для более точных измерений - 0,25 мм. Общая погрешность метода - 10-20%. На нее влияют также отклонения формы образца условно принятой прямоугольной, точность изготовления контактной головки, геометрические размеры образца, состояние его поверхности, величины переходного сопротивления между металлическим зондом и поверхностью полупроводника и др. Значительно снижается точность измерений при малой толщине образцов. Среднее время жизни носителей заряда (для электрода)- время между моментом его генерации и моментом захвата дыркой.Оно зависит от скорости рекомбинации избыточных носителей (исчезновение носителей заряда в результате столкновения зарядов противоположных знаков (при «низких» скоростях)). Для полупроводниковых приборов, особенно импульсных и высокочастотных, необходимо, чтобы время жизни неравновесных носителей было минимальным, так как оно определяет время переключения прибора, т.е. его рабочую частоту.
При внешних воздействиях (облучения светом, бомбардировка различными частицами, вызывающие ионизацию, и т.п.) образуются избыточные или неравновесные носители заряда, т.е. происходит процесс образования неравновесных носителей заряда. Метод подвижного светового зонда используют для измерения диффузионной длинны носителей заряда. Этот способ основан на том, что падающий на поверхность полупроводника пучок света создает в некотором объеме избыточную неравновесную концентрацию неосновных носителей, которая спадает с увеличением расстояния по экспоненциальному закону.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ![]() ©2015 - 2025 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|