 |
Методы исследования материалов и структур электроники
|
|
|
|
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
Брянский государственный технический университет
 |
Кафедра:
"Электронные, радиоэлектронные и
электротехнические системы"
«УТВЕРЖДАЮ»
Первый проректор
по учебной работе
_______ В.И. Попков
«____»_______2008 г.
ПРОГРАММА МЕЖДИСЦИПЛИНАРНОГО ЭКЗАМЕНА
ПО сПЕЦИАЛЬНОСТИ 210104– «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Брянск 2012
Программа итогового государственного экзамена выпускников специальности 210104 – «Микроэлектроника и твердотельная электроника» для студентов дневной формы обучения. – Брянск: БГТУ, 2008.– 11 с.
Разработали:
В.А. Хвостов, к.т.н., доц.
Ю.Г. Сахаров, к.ф-м.н., доц.
А.И. Власов, к.т.н., доц.
М.Ю. Некрасова, к.ф-м.н.,доц.
А.И. Андриянов, к.т.н., доц.
А.А. Малаханов, к.т.н., доц
Рекомендовано кафедрой «Электронные, радиоэлектронные и электротехнические системы» БГТУ (протокол №9 от 14.01.06 г.)
Зав. кафедрой «ЭРЭиЭС» к.т.н., доц., В.А. Хвостов
«Согласовано»
Декан ФЭЭ к.т.н., доц., Ю.И. Фокин
ПРОГРАММА
итогового государственного экзамена
выпускников специальности 210104
«Микроэлектроника и твердотельная электроника»
для студентов дневной формы обучения
Итоговая государственная аттестация инженера включает защиту выпускной квалификационной работы и государственный экзамен. Программа государственного экзамена дипломированного специалиста определена преподавателями кафедры «ЭРЭиЭС» на основании Положения об итоговой государственной аттестации выпускников высших учебных заведений и государственного образовательного стандарта по направлению «Электроника и микроэлектроника».
|
|
|
Сроки подготовки и проведения аттестации
Итоговая государственная аттестация проводится после завершения программы обучения. На подготовку к экзамену выделяется не менее одной недели. В это время проводятся обзорные лекции и консультирование по дисциплинам:
– Физика полупроводниковых приборов;
– Твердотельная электроника;
– Математическое моделирование технологических процес-сов, полупроводниковых приборов и интегральных схем;
– Проектирование и конструирование интегральных микросхем и полупроводниковых приборов;
– Технология материалов электронной техники;
– Технология производства полупроводниковых приборов;
– Процессы микро- и нанотехнологий;
– Методы исследования материалов и структур электроники;
– Электронные цепи и микросхемотехника.
Порядок проведения экзамена
Экзамен проводится в устной форме по билетам, каждый из которых содержит по четыре вопроса, соответствующих основным разделам программы обучения.
Перечень вопросов, выносимых на экзамен (по дисциплинам)
Технология материалов электронной техники
Технология производства полупроводниковых приборов
Процессы микро- и нанотехнологий
Методы исследования материалов и структур электроники
1. Процессы разделения и очистки веществ, оборудование. Общая характеристика чистоты веществ. Процессы получения и очистки вспомогательных материалов электронной техники: вода, технологические газы.
2. Электронный кремний. Строение, тип решетки и дифрактограмма кремния. Электрофизические и механические свойства кремния. Применение кремния в микроэлектронике, солнечной энергетике и микросистемной технике.
- Методы выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов, легирование монокристаллов. Примеси и дефекты в монокристаллах кремния. Методы очистки монокристаллов от примесей. Определение концентрации кислорода и углерода в кремнии методами инфракрасной спектроскопии.
- Получение кремниевых пластин из слитка, предпроизводственная обработка пластин, маркировка. Определение ориентации пластин кремния и углов разориентации рентгенодифракционным методом.
- Принципы и методы эпитаксии. Эпитаксия из газовой фазы, технологическое оборудование и оптимизация технологического процесса.
- Автолегирование, особенности эпитаксии при наличии скрытых слоёв. Дефекты эпитаксиальных пленок. Методы оценки параметров эпитаксиальных структур (ЭС) (определение толщины, качества поверхности, удельного сопротивления).
- Молекулярно-лучевая эпитаксия. Физико-химические основы процесса, установки МЛЭ. Методы контроля послойного роста гетероструктур и сверхрешеток.
- Методы получения плёнок оксида кремния, сравнение методов, оборудование. Модель Дила-Гроува. Пленки ФСС и БСС. Электрофизические свойств окисных плёнок. Методы уменьшения и стабилизации заряда в окисле.
- Определение содержания фосфора в пленках ФСС. Определение характеристик нанесенных пленок эллипсометрическим методом. Методы определения толщины окисных плёнок (интерференционные, эллипсометрические, профилометрические).
- Методы получения плёнок нитрида кремния, сравнение методов, оборудование. Процессы нанесения и легирования плёнок поликремния, оборудование. Структура и свойства пленок поликремния. Применение пленок нитрида кремния и поликремния в ИС.
- Технология получения некристаллических материалов: стёкла, керамика, ситаллы. Кристаллизация и стеклование. Применение некристаллических материалов в электронной технике.
- Диффузия. Уравнение диффузии. Диффузия из неограниченного и ограниченного источников. Технология и оборудование диффузионных процессов на ЗАО «Группа Кремний-Эл». Методы измерения профиля концентрации примеси в диффузионных слоях и глубины залегания p-n перехода.
- Ионная имплантация примесей, параметры процесса, оборудование. Профиль распределения примеси при ионной имплантации. Образование и отжиг радиационных дефектов.
- Процессы фотолитографии. Негативные и позитивные фоторезисты. Установки совмещения и экспонирования, линии фотолитографии. Электронно-лучевая литография.
- Физико-химические основы травления при производстве ПП и ИС. Виды травления. Основные закономерности и параметры процесса травления. Жидкостное химическое травление. Травители для кремния, оксида кремния, нитрида кремния, поликремния, металлов.
- Сухое травление в производстве ИС. Травление кремния в ПГС, составы ПГС, режимы травления. Плазменное травление, его разновидности. Аппаратурное оформление процессов травления. БОШ – процесс.
- Методы формирования систем межсоединений. Материалы, оборудование. Методы контроля параметров металлических плёнок.
- Рентгенофлуоресцентный анализ состава элементов микросхем и толщины многослойных металлических пленок. Физические основы метода. Применение.
- Контроль и диагностика элементов полупроводниковых приборов и ИС растровой электронной микроскопией. Устройство и принцип действия РЭМ. Применение РЭМ на ЗАО «Группа Кремний-Эл».
- Послойный анализ ИС и сверхрешеток методом вторичной ионной масс-спектроскопии (ВИМС). Физические основы и принцип работы ВИМС. Возможности метода.
- Процессы сборки и герметизации. Chip Scale Package. Рентгеноскопические методы контроля дефектов герметизированных структур.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
