Общие характеристики схем формирования сигналов
СХЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ СИГНАЛОВ ПАССИВНЫХ ДАТЧИКОВ 3.1.1. Основные типы схем Вариации импеданса Zc пассивного (параметрического) датчика, связанные с изменениями измеряемой величины т, могут быть преобразованы в электрический сигнал путем включения датчика с источником напряжения еs или тока is в измерительную схему. При этом измерительная схема характеризуется собственным импедансом Zk, аизмеряемая величина преобразуется либо в напряжение выходного электрического сигнала как в случае потенциометрических и мостовых схем, либо в изменение частоты как в генераторных схемах. Потенциометрическая схема (рис. 3.1, а) привлекает своей простотой, но ее главным недостатком является чувствительность к паразитным помехам; то же справедливо и для реостатной схемы с источником тока (рис. 3.1, б), при Z1<<Zс. В мостовой схеме, содержащей два делителя, дифференциальным включением датчиков удается существенно снизить влияние внешних факторов. Когда в таких схемах формирования сигналов используют источник синусоидального напряжения еs, то выходной сигнал схемы является результатом модуляции питающего напряжения сигналом Zc. При этом для извлечения информации необходимо продетектировать, а затем отфильтровать выходной сигнал. Для выполнения этих операций желательно, чтобы частота источника по меньшей мере в 5 раз превосходила максимальную частотуизменения измеряемой величины. Однако если частота питающего напряжения относительно высока, то на погрешность измерений начинают заметно влиять реактивные сопротивления паразитных емкостей и индуктивностей и их необходимо учитывать при измерениях. В измерительных схемах на постоянном токе, когда датчик является чисто активным сопротивлением, этот фактор несуществен, однако следует заботиться об устранении термо-э.д.с. и дрейфов.
Генераторы, используемые в схемах формирования сигналов датчиков, могут быть источниками синусоидальных (рис. 3.1, г) или прямоугольных сигналов; информация содержится в частоте этих сигналов, что обеспечивает хорошую защиту от паразитных влияний, особенно в случае телеизмерений. Кроме того, упрощается преобразование измеряемой величины в код, для чего достаточно подсчитать число периодов колебаний в единицу времени. 3.1.2. Параметры схем формирования Чувствительность и линейность. Изменению Δm измеряемой величины соответствует изменение ΔZc импеданса датчика, которое в зависимости от типа схемы вызывает изменение либо амплитуды, либо частоты измеряемого напряжения. Общая чувствительность Sа измеряемой схемы равна
В этих выражениях чувствительность собственно схемы формирования равна соответственно:
а чувствительность датчика Для получения хорошей чувствительности схемы формирования важен соответствующий выбор Zk. Передаточная характеристика схемы линейна, если чувствительность схемы не зависит от Zc; соединение линейной схемы формирования с линейным датчиком обеспечивает пропорциональность сигнала измеряемой величине. Если схема формирования нелинейна, то ее можно линеаризовать, заменяя один из ее компонентов вторым датчиком (дифференциальное включение), имеющим обратную первому характеристику. Рассмотрим, не нарушая общности выводов, пример резистивного датчика с импедансом Rс и схемы формирования сигнала, состоящей из резисторов Rk, чувствительных к измеряемой величине; тогда можно написать Характеристика такой схемы с датчиком линейна при условии В простейшем случае, когда потенциометр состоит из сопротивления R1 и резистивного датчика Rc, имеем
и чувствительность равна Выбирая в качестве R1 датчик, подобный Rс, но такой, в котором воздействие измеряемой величины вызывает обратное познаку приращение сопротивления: получаем Общая чувствительность измерительной схемы в этом случае равна и постоянна. Поскольку линеен каждый из датчиков, линейна и вся схема. Если датчик сам по себе нелинеен, иногда удается скомпенсировать его нелинейность направленной в обратную сторону нелинейностью характеристики схемы формирования; тогда вся совокупность (датчик — схема формирования) оказывается квазилинейной по крайней мере в ограниченном диапазоне изменения измеряемой величины. Компенсация воздействия влияющих величии. Если датчик чувствителен к какой-либо из влияющих величин, например, температуре или излучению, необходимо по возможности устранить это влияние на выходной сигнал датчика. Рассмотрим резистивный датчик с соответствующей схемой формирования, для которой выполняется условие Влияющая величина амплитуды gможет воздействовать на определенные компоненты схемы формирования и на сам датчик; при этом ее приращения dg вызывают вариации dνm измеряемого напряжения Изменения величины gне оказывают влияния на выходное напряжение, когда выполняется условие Если, например, влиянию величины g подвержены только собственно резистивные элементы схемы, но их изменения при этом идентичны изменениям сопротивления R.с датчика: то компенсация вариаций величины gбудет достигаться при условии Для потенциометрической схемы, рассмотренной выше, этому условию удовлетворяет равенство абсолютных приращений сопротивлений R1=Rc. Потенциометрические схемы 3.2.1. Схемы с резистивными датчиками Датчик с изменяющимся сопротивлением Rc, включенный последовательно с резистором постоянного сопротивления R1, питается источником с внутренним сопротивлением Rs, э.д.с. еs которого постоянна или переменна (рис. 3.2). Выходное напряжение νm, измеряемое на выходе датчика прибором с входным сопротивлением Rd, равно Напряжение на выходе датчика не зависит от используемого измерительного прибора при Rd>>Rc, в этом случае оно равно
и является нелинейной функцией Rс.
Линеаризация измерений. Желательно, чтобы вариации Работа на малом участке характеристики. Сопротивление датчика меняется от Rc0 до Rc0 +ΔRc вызывая изменения напряжения При условии ΔRc<<Rc0+R1+Rs с точностью до малых величин второго порядка имеем Чувствительность схемы формирования Δνm/ΔRc максимальна, если выбрать Rs+R1=Rc0, в этом случае Если внутреннее сопротивление источника Rs мало, то чувствительность максимальна на относительно большом участке характеристики, что подтверждается предыдущей формулой, поскольку в этом случае с хорошим приближением можно полагать, что R1≈Rc0. Питание схемы источником тока. Внутреннее сопротивление источника Rs очень велико: Rs >>Rc0+R1. В этом случае должно выполняться условие ΔRc<<Rc0+R1+Rs. Подставляя is=es/Rs, получим
Исключение постоянной составляющей из выходного сигнала. Недостатком рассмотренной потенциометрической схемы является наличие в выходном сигнале постоянной составляющей, не содержащей полезной информации. Относительно большое значение этой составляющей требует использования вольтметров с неоправданно широким диапазоном измерений. Нередко это приводит к увеличению погрешности измерений и, во всяком случае, к неэффективному использованию измерительных средств. Для выделения полезной (переменной) составляющей сигнала можно использовать емкостную связь между датчиком и вольтметром, как это показано на рис. 3.4. Конденсатор С и внутреннее сопротивление Rd вольтметра образуют фильтр верхних частот. Если
В мостовой схеме, представленной на рис. 3.5, параллельно сопротивлениям R1 и Rc включают сопротивления R3 и R4, которые здесь предполагаются постоянными. Эти сопротивления выбирают такими, чтобы относительно массы потенциал в точке В равнялся
Условием равенства потенциала в точке В значению ото является соотношение
Это условие равновесия моста Уитстона, который детально описан в разд. 3.3.1. Потенциометрические схемы с симметричным питанием представлены на рис. 3.6. Выходное напряжение
Выбирая R1 равным сопротивлению датчика Rc0 при Um=Um0,. т. е. до начала воздействия измеряемой величины, и полагая Rs<<Rc0, при Rc=Rc0+ΔRc получим
Влияние нестабильности напряжения питания. Это влияние сказывается на изменении чувствительности потенциометрических схем. В схеме с несимметричным питанием (см. рис. 3.7, а) флуктуации Δе напряжения еs0 приводят в процессе измерений к приращениям выходного сигнала (с погрешностью до величины второго порядка значимости)
При этом трудно выделить приращения, обусловленные отдельно изменениями В схеме с симметричным питанием (рис. 3.7,6) следует учитывать два влияющих воздействия —
Кроме частного случая, когда 3.2.2. Измерительные схемы с индуктивными и емкостными датчиками Пусть датчик с импедансом 1.
При выборе
и через импеданс Это означает возможность замены источника напряжения 2.
В отсутствие измеряемой и влияющей величин импедансы датчиков равны При воздействиях этих величин импедансы датчиков изменяются, причем
где Здесь Выходное напряжение при этом равно Рис. 3.9. Потенциометрические схемы с дифференциальным включением идентичных датчиков. а – принципиальная схема; б – датчик расстояния, использующий токи Фуко с компенсацией влияющей величины ( а его изменение относительно начального значения Если датчик с импедансом
Когда Для случая взаимно обратных реакций датчиков на одно и то же воздействие измеряемой величины имеем Сигнал т. е. исключается также и влияющее воздействие. Такое включение целесообразно только для индуктивных датчиков с подвижным сердечником, предназначенных для измерения перемещений и расстояния (рис. 3.9,б, в, г). При включении в потенциометрическую схему емкостного датчика возникает погрешность, вызванная наличием паразитных емкостей, образуемых каждой пластиной конденсатора (датчика) с массой. Действительно, как видно на рис. 3.10, а, паразитные емкости В этом случае вместо потенциометрической лучше применять гальванометрическую схему, представленную на рис. 3.10,б. В этой схеме измеряется ток Пренебрегая значением Если В качестве примера работы двух включенных дифференциально конденсаторных датчиков а) датчики перемещения с изменяющейся площадью поверхности пластин
Рис. 3.10. Измерительные схемы с емкостным датчиком. а – потенциометрическая; б – гальванометрическая; в – гальванометрическая с трансформатором питающего напряжения с переменным коэффициентом трансформации. откуда б) датчики перемещения с изменяющимся расстоянием между пластинами конденсатора (см. разд. 7.3.3), для которых
и Рис. 3.11. Частотно-задающие контуры с индуктивными датчиками. а — последовательная схема; 6 — параллельный контур (Е1есtго-Согрогаtion). 1 - управляемый контакт; 2 — источник постоянного тока. Гальванометрические схемы в общем случае включают и трансформатор отношений (рис. 3.10,в): амплитуды напряжений на каждом выходе находятся в соотношении
Если 3.
При изменении емкости переменного конденсатора
Здесь
На рис. 3.11,б представлена схема, в которой катушка датчика с индуктивностью
Контур возбуждается источником постоянного тока
Такая схема позволяет обойтись без источника с регулируемой частотой, так как возбуждение схемы на соответствующей частоте происходит автоматически. 3.2.3. Недостатки потенциометрической схемы Основные трудности использования потенциометрической схемы связаны с опасностью изменения чувствительности из-за дрейфа источников питания и паразитных влияний. Несимметричное питание (рис. 3.11,а). При одновременном изменении в электрической цепи сопротивления датчика
Очевидно, трудно заранее определить составляющие Симметричное питание (рис. 3.11,б). В этом случае нужно рассмотреть паразитные влияния на
Вариацию, связанную только с изменением
Воспользуйтесь поиском по сайту: ![]() ©2015 - 2025 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|