Описание технологического процесса.

Ниже приведена блок–схема технологического процесса, характеризующая последовательность проведения технологических операций:

 

Контроль чистоты поверхности изделия

 

 

Промывка–1. Для промывки полупроводниковых изделий используется ультразвуковая установка УЗУ-0,1, которая состоит из: ультразвуковой ванны и генератора. Промывают полупроводниковые пластины, уложив их в специальную тару(кассету). Моющий раствор (фреон) заливают в ванны перед включением установки. Максимальная температура раствора не должна превышать 80 С. При появлении кавитации полупроводниковые пластины погружают в ванну и промывают. Пластины погруженные во фреон выдерживают 7 минут и частота ультразвуковых колебаний 400 кГц, температура раствора 60 С.

Сушка­–1. Сушка производиться в сушильном шкафу №3 завода «Электродело» при температуре 115 ± 10 С в течение 25–35 минут. Поддерживается заданная температура терморегулятором, имеющимся в сушильном шкафу, а контролируется ртутным термометром. В процессе сушки в шкаф подается ошушенный и очищенный воздух с точкой россы не выше —50 ⁰С

Контроль чистоты поверхности. Контроль производиться микроскопом, наблюдая в тёмном поле микроскопа светящихся точек (твёрдые загрязнения). Если светящихся точек более 3-х, то передаём изделия на дополнительную потмывку.

Покрытие–1. Покрытие производиться лаком МК –4У методом окунания. Предварительно наполняется ванна лаком МК–4У. Берётся изделие и погружается в ванну на 7 секунд. После чего в течение 1 минуты необходимо дать стечь излишкам лака. После чего изделие передается на операцию сушки.

Сушка­–2. Сушка производиться в сушильном шкафу №3 завода «Электродело» при температуре 180 С в течение 2 часов. Поддерживается заданная температура терморегулятором, имеющимся в сушильном шкафу, а контролируется ртутным термометром. В процессе сушки в шкаф подается осушенный и очищенный воздух с точкой россы не выше —50 ⁰С

Покрытие–2. Покрытие производиться компаундом КЛ–4 поверх лака МК –4У методом окунания. Изделие погружают в ванную с компаундом. Выдерживают в ванноц 10 секунд. После чего в течение 1 минуты даёт стечь излишкам компаунда и передаёт на последующую операцию.

Сушка­–3. Сушка производиться на стилажах в течение 24 часов. Под действием влаги воздуха происходит самовулканизация с образованием резиноподобного материала, длительно сохраняющего эластичные свойства в интервале температур от –60 до 200 С.

Покрытие–3. Окончательное покрытие производиться эпоксидной смолой ЭД–5. Предварительно Эпоксидную смолу смешивают с гексаметилендиамином. Наносят эпоксидную смолу также методом окунания. Предварительно разводиться эпоксидная смола с с гексаметилендиамином и заполняется ванна. Иизделие и погружается в ванну на 10 секунд. После чего в течение 1 минуты необходимо дать стечь эпоксидной смолы. После чего изделие передается на операцию сушки.

 

Сушка­–4. Сушка производиться в сушильном шкафу №3 завода «Электродело» при температуре 180 С в течение 15 минут. Поддерживается заданная температура терморегулятором, имеющимся в сушильном шкафу, а контролируется ртутным термометром. В процессе сушки в шкаф подается осушенный и очищенный воздух с точкой россы не выше —50 ⁰С

Испытание герметичности корпуса. Для проверки герметизации прибора используют установку ЖК–75.14. В колбы (в каждую колбу заливают 80 см³ уайт–­спирита)— стеклянные сосуды заливают жидкость и опускают контролируемый прибор, закрепляемые на зажимах. Освещаются колбы на рабочей позиции при вакуумировании жидкости и наблюдении за истечением пузырьков газа.

 

 

Список используемой литературы.

1. А.А. Маслов «Технология и конструкции полупроводниковых приборов».

2. А.И. Курносов «Основы полупроводниковой микроэлектроники»

3. А.И. Курносов «Матералы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем»

4. В.А. Брук «Производство полупроводниковых приборов»

5. Парфёнов «Технология микросхем»

6. В.А. Антонов «Технология производства электровакуумных и полупроводниковых приборов»

7. С.З. Нейштадт «Технология и оборудование производства радиодеталей и компонентов»

8. Й. Коутный «Технология серийного производства транзисторов и полупроводниковых диодов»

9. О.К. Мокеев «Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и микросхем»

Предыдущая123456789Следующая

Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: