Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!

Методические рекомендации по выполнению задачи №1

Выпишите условие задачи 1 и данные для расчета из таблицы 1 в соответствии с Вашим вариантом. ВАХ транзисторов необходимо взять из справочников.

Из таблицы 3 выпишите данные транзистора, заданного по условию, сведите их в таблицу следующей формы:

Таблица 2 Справочные данные

Тип транзистора	Структура	Р_{К МАХ}, Вт	U_{КЭ МАХ}, В	I _{К МАХ}, мА	f_ГР, МГц	h_21Э	r¹_Б, Ом
h_21МАХ	h_21МИН

Таблица 3 - Основные электрические параметры некоторых типов транзисторов

Тип транзистора

Структура

f_ГР, МГц

h_21МИН

h_21МАХ

Максимально допустимые значения

I_КБО, мкА

С _{К МАХ}, пФ

r¹_Б, Ом

R _ПЕР, ⁰С/мВт

Р_{К МАХ}, Вт

U_{КБ МАХ}, В

U_{КЭ МАХ}, В

I _{К МАХ}, мА

t_ПЕР, ⁰С

КТ315В

п-р-п

0,67

КТ312А

п-р-п

0,25

ГТ320А

р-п-р

0,225

КТ373А

п-р-п

0,05

0,6

КТ315Б

п-р-п

0,67

КТ203Б

р-п-р

3,1

0,5

КТ350А

р-п-р

0,6

ГТ320Б

р-п-р

0,225

КТ312В

п-р-п

0,25

КТ203В

р-п-р

3,1

0,5

Порядок решения задачи

1 Составьте принципиальную схему резисторного каскада по заданному условию. Элементы схемы выполните строго в соответствии со стандартом. Изображая транзистор и полярность источника питания, учитывайте структуру заданного транзистора. Не забудьте под рисунком указать его номер и название.

2 Выберите параметры рабочего режима транзистора:

· U_КО– выходное напряжение в точке покоя

· I_КО –выходной ток в точке покоя

· I_БО - входной ток в точке покоя

Ток покоя выбирается так, чтобы с запасом обеспечивалась заданная амплитуда входного сигнала следующего каскада I_{ВХ М СЛ,}:

I_КО≈ (1,2…1,5) I_КМ, где

I_КМ– сумма амплитуд переменных составляющих тока коллектора, протекающего через резисторы R, R_{Д1 СЛ}, R_{Д2 СЛ}и амплитуды тока I_{ВХ М СЛ}следующего каскада, т.е. всех цепей, нагружающих транзистор (см. рисунок 1)

Рисунок 1

Рассчитайте I_КМпо следующей формуле:

где U_{ВХ М СЛ}– входное напряжение следующего каскада, рассчитывается по формуле:

U_{ВХ М СЛ}= I_{ВХ М СЛ} *R_{ВХ М СЛ};

R_СР– ориентировочное значение сопротивления резистора в коллекторной цепи транзистора, рассчитывается по формуле:

Определив R_СРи U_{ВХ М СЛ}, рассчитайте I_КМ, выберите I_К0

Подставляйте в формулы величины в основных единицах.

Проверьте, правильно ли Вы выбрали I_К0. Для этого сравните его с IК МАХ из таблицы справочных данных транзистора. Если I_К0 < IК _МАХ, расчет I_К0 верен.

Если I_К0получился меньше 1мА, его следует округлить до 1мА и в дальнейших расчетах использовать I_К0=1мА, так как при меньших значениях I_К0параметры транзистора, указанные в справочнике, не гарантируются.

Рассчитайте выходное напряжение в точке покоя U_К0. U_К0 равно разности напряжения на резисторах R и R_Э, т.е.

U_К0=E-I_К0*R-I_К0*R_Э

Обычно выбирают:

сопротивление резистора в коллекторной цепи

сопротивление резистора в эмиттерной цепи

Значения коэффициентов при Е следует брать такими, чтобы сумма коэффициентов составила 0,5…0,6.

Рассчитав значения R и R_Э, выберите ближайшие номиналы по таблице №5

При расчете U_К0в формулу подставляйте выбранные значения.

Проверьте правильность расчета U_К0и выбора R и R_Э

Если 3 В<U_К0<(0.3…0.4)U_{КЭ МАХ},U_{КЭ МАХ} берется из справочных данных транзистора, то выбор сделан верно. Если же это условие не соблюдается, следует пересчитать R, R_Эи U_К0, изменив коэффициенты при Е

Входной ток в точке покоя I_Б0определяется расчетным путем для наихудшего транзистора, т.е. имеющего наименьший коэффициент усиления по току h_21Э:

, h_21МИНберется из справочных данных транзистора

Рассчитайте коэффициенты усиления каскада по току К_I, напряжению К_U, мощности К_Pдля наихудшего транзистора. Прежде чем рассчитать коэффициент усиления каскада по току К_Iнадо определить:

· Сопротивление делителя смещения следующего каскада

· Входное сопротивление следующего каскада

· Сопротивление нагрузки выходной цепи транзистора току сигнала

, где

R – сопротивление в цепи коллектора

Теперь можно рассчитать коэффициент усиления по току

Коэффициент усиления каскада по напряжению определяется по формуле:

, где

R_{ВХ Э}– входное сопротивление транзистора, определяется по формуле:

r¹_Б– сопротивление области базы, берется из справочных данных транзистора

h_21Э– типовое значение коэффициента передачи тока, определяется по формуле:

Коэффициент усиления каскада по мощности определяется по формуле:

К_P= К_I* К_U

· Рассчитайте емкость разделительного конденсатора С.

Известно, что частотные искажения на низких частотах в резисторных каскадах создаются разделительным конденсатором С и конденсатором эмиттерной стабилизации С_Э. поэтому емкости конденсаторов С и С_Эрассчитываются, исходя из допустимых частотных искажений в области нижних частот:

В этой формуле не известно R_{ЭКВ Н}– внутреннее сопротивление эквивалентного генератора в области нижних частот. В расчетах можно считать R_{ЭКВ Н}приблизительно равным сопротивлению в коллекторной цепи транзистора R, т.е. R_{ЭКВ Н}≈ R.

М_Нподставляется в формулу в относительных единицах. В условии задачи М_Нзадается в децибелах. Переведите значение М_Нв относительные единицы по таблице №4.

Таблица 4 - Таблица перевода М из децибел в относительные единицы

М,дБ	М, отн. ед.	М,дБ	М, отн. ед	М,дБ	М, отн. ед	М,дБ	М, отн. ед	М,дБ	М, отн. ед
0,005 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08 0,09 0,1 0,2 0,3	1,0000 1,0006 1,0012 1,0023 1,0035 1,0046 1,0058 1,0069 1,0081 1,0093 1,0104 1,012 1,023 1,035	0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7	1,047 1,059 1,072 1,084 1,096 1,109 1,122 1,135 1,148 1,161 1,175 1,189 1,202 1,216	1,8 1.9 2,0 2,1 2, 2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8 2,9 3.0 3,1	1,230 1,245 1,259 1,274 1,288 1,303 1,318 1,334 1,349 1,365 1,380 1,396 1,413 1,429	3,2 3,3 3,4 3,5 3,6 3,7 3,8 3,9 4,0 4,1 4,2 4,3 4,4 4,5	1,445 1,462 1,479 1,496 1,514 1,531 1,549 1,567 1,585 1,603 1,622 1,641 1,660 1,679	4,6 4,7 4,8 4,9 5,0 5,1 5,2 5,3 5,4 5,5 5,6 5,7 5,8 5,9	1.698 1,718 1,738 1,758 1,778 1,799 1,820 1,841 1,862 1,884 1,905 1,928 1,950 1,972

Рассчитав С, выберите стандартное значение, округляя в большую сторону.

Таблица 5 - Шкала номинальных значений сопротивлений и емкостей

5% 10% 20%	1,0 1,0 1,0	1,1	Точность	1,2 1,2	1,3	1,5 1,5 1,5	1, 6	1,8 1,8	2,0	2,2 2,2 2,2	2,4	2,7 2,7	3,0
5% 10% 20%	3.3 3.3 3.3	3.6	Точность	3.9 3.9	4,3	4,7 4,7 4,7	5,1	5,6 5,6	6,2	6,8 6,8 6,8	7,5	8,2 8,2	9,1

Примечания: номиналы сопротивлений и емкостей больше 10 получаются умножением этой шкалы на 10, 100, 1000 и т. д.

· Рассчитайте элементы схемы температурной стабилизации.

Расчет схемы эмиттерной стабилизации заключается в расчете сопротивлений резисторов делителя смещения R_Д1, R_Д2по выбранному значению R_Э.

Сначала рассчитайте общее сопротивление делителя:

, где

S – коэффициент нестабильности, по которому оценивается эффективность стабилизации.

Обычно для нормальной работы каскада величина S должна быть в пределах от 2 до 5. В нашем случае при небольшом изменении температуры (5…40⁰С) достаточно выбрать S=3.

Рассчитав R_Д, рассчитайте R_Д1и R_Д2:

Сопротивление гасящего резистора

Сопротивление резистора смещения

Выберите стандартные значения сопротивлений R_Д1и R_Д2. Округляйте их значения в большую сторону.

Задание№2

Вариант 1

Теоретическая часть

1. Назовите характеристики идеального операционного усилителя.

Вариант 2

Теоретическая часть

1. Дайте определение напряжения сдвига.

Вариант 3

Теоретическая часть

1. Назовите основную причину возникновения и на входе ОУ на биполярных транзисторах.

Вариант 4

Теоретическая часть

1. Укажите основные различия между ОУ со входом на полевых транзисторах и со входом на биполярных транзисторах.

Вариант 5

Теоретическая часть

1. Указать условия, выполнение которых приводит к самовозбуждению операционного усилителя.

Вариант 6

Теоретическая часть

1. Перечислите четыре способа частотной коррекции, и коротко опишите каждый из них.

Вариант 7

Теоретическая часть

1. Указать, что произойдет с , , при увеличении петлевого коэффициента усиления.

Вариант 8

Теоретическая часть

1. Указать причины появления сдвига выходного напряжения под действием .

Вариант 9

Теоретическая часть

1. Укажите преимущества двухтактного выходного каскада перед однотактным.

Вариант 10

Теоретическая часть

1.Укажите основные различия между ОУ со входом на полевых транзисторах и со входом на биполярных транзисторах.

Вариант 11

Теоретическая часть

1. Указать условие, благодаря которому коэффициент усиления идеального усилителя с замкнутой обратной связью полностью определяется цепью обратной связи.

Вариант 12

Теоретическая часть

1. Указать условия, выполнение которых приводит к самовозбуждению операционного усилителя.

Вариант 13

Теоретическая часть

1. Укажите преимущества двухтактного выходного каскада перед однотактным.

Вариант 14

Теоретическая часть

1. Дайте определение КОСС. Назовите два основных фактора, приводящих к появлению температурного дрейфа операционного усилителя.

Вариант 15

Теоретическая часть

1. Укажите, почему усиление синфазного сигнала нежелательно. Синфазная погрешность инвертирующего усилителя незначительна. Объясните, почему.

Вариант 16

Теоретическая часть

1.В каких случаях используются ОУ с полевыми транзисторами на входе?

Вариант 17

Теоретическая часть

1. Указать две причины, приводящие к появлению частотной зависимости коэффициента усиления операционного усилителя.

Вариант 18

Теоретическая часть

1. Укажите основные причины появления собственных шумов в усилителе.

Вариант 19

Теоретическая часть

1. Объясните сдвиг фаз на 180 между входным и выходным напряжениями сигнала в схеме резистивного каскада с общим эмиттером.

2. Укажите принципы появления дрейфа нуля в схемах транзисторных УПТ.

Вариант 20

Теоретическая часть

1.Укажите признаки классификации электронных усилителей.

Вариант 21

Теоретическая часть

1. Обёясните почему разделительные конденсаторы в схемах транзисторных УНЧ чаще всего электролитические.

Вариант 22

Теоретическая часть

1. Укажите принципы появления дрейфа нуля в схемах транзисторных УПТ.

Вариант 23

Теоретическая часть

1.Объясните, почему дифференциальный усилитель используется как базовый элемент многих аналоговых ИМС..

Вариант 24

Теоретическая часть

1. Перечислите причины возникновения обратной связи в усилителях.

Вариант 25

Теоретическая часть

1.Объясните почему в схемах ОУ используются УПТ.

Вариант 26

Теоретическая часть

1.Укажите основные различия между ОУ со входом на полевых транзисторах и со входом на биполярных транзисторах.

Вариант 27

Теоретическая часть

Вариант 28

Теоретическая часть

1.Укажите основные причины появления собственных шумов в усилителе.

Вариант 29

Теоретическая часть

1.Укажите какие электронные схемы могут быть построены на основе ДУ. Приведите примеры таких схем, укажите их маркировку..

Вариант 30

Теоретическая часть

1.Дайте определение напряжения сдвига.

Приложение 1

Государственное бюджетное профессиональное образовательное

учреждение Республики Крым

«Симферопольский колледж радиоэлектроники»

Курсовая работа

по дисциплине «Электронная техника»

на тему: «Расчет элементов резистивного каскада»

Студента 2 курса группы__________

Специальность:_____________________

______________________________________________________________________

(фамилия и инициалы)

Руководитель: Преподаватель ___________________________________

(фамилия и инициалы)

Члены комиссии

________________ __________________

(подпись) (фамилия и инициалы)

________________ __________________

(подпись) (фамилия и инициалы)

Симферополь

201_ г

Приложение 2

Государственное бюджетное профессиональное образовательное учреждение Республики Крым

«Симферопольский колледж радиоэлектроники»

Рассмотрено

Цикловой комиссией № 3

«_____»_______ 201 г

Председатель ЦК

________________Т.В.Сапрыкина

Дисциплина: Электронная техника

Специальность: _____________________________________________________________

Курс __2___ Группа _______ Семестр ____4____

Задание

⇐ Предыдущая 1 23

Воспользуйтесь поиском по сайту: