Отображение информации индикаторными приборами

Приборы позволяют представлять наблюдателю двоичную информацию, используя для этого светящееся или несветящееся состояние, или же сигнальную информацию, использую для этого местоположение светящейся точки внутри полоски секций. В отличие от них индикаторные устройства могут представлять значительно больший объем информации, поскольку они способны отобрать не только светящееся или несветящееся, но и дополнительные состояния. На каждой позиции цифрового индикатора могут отображаться цифры 0…9, а на каждой позиции буквенно-цифрового – цифры или буквы (в некоторых случаях полный алфавит), а также несколько специальных символов. Индикаторы могут содержать один или множество цифровых разрядов или знакомест. В свою очередь каждая позиция индикатора состоит или из набора прямоугольных сегментов или из матрицы точек. На рис. 7.23 – 7.26 примеры наиболее употребительных форматов шрифтов и показаны типичные цифры, буквы и символы, которые они позволяют отображать.

 

Рис. 7.22. Семисегментный шрифт: формат и обозначение сегментов (а); типичная реализция схемы на СД (б);

Таблица 7.5. Таблица истинности

Входной ДКД-код	Состояния дешифратора-формирователя	Отображаемые фифры
23 22 21 20	А'	B'	C'	D'	E'	F'	G'
0 0 0 0
0 0 0 1								I
0 0 1 0
0 0 1 1
0 1 0 0
0 1 0 1
0 1 1 0
0 1 1 1
1 0 0 0
1 0 0 1
Логический уровень 0-сегменты светятся, логический уровень 1-сегменты не светятся

Рис. 7.23. 14-сегментный шрифт: формат и обозначение сегментов (сегменты A и D состоят из двух половинок, которые возбуждаются одновременно) (а); типичный набор отображаеых символов (б).

Рис. 7.24. 16-сегментный шрифт: формат и обозначение сегментов (а); типичный набор отображаемых символов (б).

Рис. 7.25. Модифицированный точечно-матричный шрифт 4+7; формат точек (а); типичный набор отображаемых шестнадцатеричных символов (б).

Рис. 7.26. Полный точечно-матричный шрифт 5x7; формат (а); типичный набор символов кода ASCII (б).

 

Тестовые вопросы к главе 7 «Индикаторные приборы»

7.1. На каком явлении основан принцип действия жидкокристаллических индикаторов с динамическим рассеянием:

 

а) на использовании рассеяния электронов;

б) на основе рассеяния дырок;

в) на основе ионов;

г) на основе рассеяния фотонов.

 

 

7.2. На каком явлении основан принцип действия жидкокристаллических индикаторов с твист-эффектом:

 

а) на использовании рассеяния электронов;

б) на основе рассеяния дырок;

в) на основе ионов;

г) на основе рассеяния фотонов.

 

 

7.3. Определите, чему соответствует элемент ЖКИ с динамическим рассеянием, указывающий на прокладку:

	а) 1; б) 2; в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; ж) 7.

 

 

7.4. Определите, чему соответствует элемент ЖКИ с динамическим рассеянием, указывающий на жидкие кристаллы:

	а) 1; б) 2; в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; ж) 7.

 

 

 

7.5. Используя рис., в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на стекло:

	а) 1; б) 2; в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; ж) 7.

 

 

 

7.6. Используя рис., в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на прозрачный электрод:

	а) 1; б) 2; в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; ж) 7.

 

 

 

7.7. Используя рис., в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на изолирующую пленку:

	а) 1; б) 2; в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; ж) 7.

 

 

7.8. Используя рис., в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на слой люминофора:

	а) 1; б) 2; в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; ж) 7.

 

 

 

7.9. Используя рис., в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на металлический электрод:

а) 1; б) 2; в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; ж) 7.

 

 

 

7.10.

а) 1; б) 2; в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; ж) 7.

Используя рис., в устройстве электролюминесцентного индикатора укажите номер, который указывает на пластмассовый корпус:

 

 

ПРИМЕНЕНИЕ ОПТОЭЛЕКТРОННХ ПРИБОРОВ

Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов

Блокинг - генератор

 

Вариант импульсного устройства типа блокинг-генератор представ­лен на рис. 8.1. Применение диодного оптрона позволяет исключить импульсный трансформатор, не поддающийся микроминиатюризации. Оптрон пропускает постоянный ток, поэтому схема формирует импуль­сы прямоугольной формы, длительность которых ограничена лишь инерционностью транзистора и параметрами С -цепи. Важным досто­инством является высокая помехоустойчивость схемы по цепи пи­тания.

Схема работает следующим образом (в соответствии с рис. 8.1)

а б

Рис. 8.1. Оптронный блокинг – генератор:

а-схема, б-диаграмма работы.

 

При поступлении на вход запертого транзистора запускающего сигнала i_r транзистор переходит в активный режим, через СИД оптро­на начинает протекать ток коллектора транзистора i_к и в базу тран­зистора через фотодиод оптрона и конденсатор С поступает ток обрат­ной связи i_б. Под действием сигнала обратной связи транзистор пере­ходит в режим насыщения. Амплитуды выходного напряжения U_вых и коллекторного тока насыщения I_КН равны

U_вых = U_п-U_н-U_сд;

I_кн = . (8.1)

Транзистор и СИД соединены последовательно.

Современные СИД имеют меньшее значение максимально допусти­мого прямого тока, чем транзистор. Поэтому предельное значение выходного тока в схеме определяется не транзистором, а СИД оптрона и составляет (100÷200) мА. Длительность выходного импульса t_и рав­на интервалу времени, на котором базовый ток транзистора спадает от начального значения I_БО до тока на границе насыщения I_БН, т. е.

i_б(t_и)= I_{б н}= I_{б о} , (8.2)

где I_{б н}=I_кн/b; b – коэффициент передачи по току транзистора;

; (8.3)

где k₁ – коэффициент передачи по току оптрона,

r_б –сопротивление базы транзистора; t_с= r_бС.

Получим выражение для расчета длительности импульса

t_и=t_сlnI_бо/ I_бн=t_сlnk₁b. (8.4)

Таким образом, для формирования импульсов большой длительности необходимо применение транзисторов с большим b, так как k₁ диодных оптронов менее 5-10^-2.

Длительность паузы между импульсами t_n определяется временем восстановления базовой цепи – длительностью разряда хронирующего конденсатора С через резистор R

. (8.5)

Оптронный блокинг – генератор по сравнению с трансформаторным обладает повышенной термостабильностью, так как коэффициент пере­дачи оптрона с ростом температуры уменьшается, а транзистора уве­личивается; кроме того, схема проще конструктивно, технологичнее. Недостатком схемы является снижение энергии выходного импульса, связанное с малой допустимой мощностью рассеяния СИД оптрона.

В импульсных схемах оптрон может выступать как многофункциональный элемент, т. е. возможно использование дополнительно к элек­трической изоляции других свойств оптрона. Например, наличие на вольт-амперных характеристиках фотодиодов диодных оптронов участ­ков с большим дифференциальным сопротивлением позволяет исполь­зовать их в качестве источника постоянного тока для заряда емкости в генераторах линейно изменяющегося напряжения (ГЛИН).

 

⇐ Предыдущая43444546474849505152Следующая ⇒

Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: