Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Перечень принятых сокращений




 

А номинальная числовая апертура
АВС активный волоконный световод
АИМ амплитудно-импульсная модуляция
АПП абсолютный показатель преломления
АЦП аналого-цифровой преобразователь
ВАХ вольтамперная характеристика
ВКР вынужденное комбинационное рассеяние
ВОЛС волоконно-оптическая линия связи
ВОС волоконно-оптическая система
ВОСП волоконно-оптическая система передач
ВОСС волоконно-оптические системы связи
ВУ вращательные уровни
ГИП газоразрядная индикаторная панель
ГИС гигантская интегральная схема
ГЛИН генератор линейно изменяющегося напряжения
ДА диэлектрическая анизотропия
ДГС двойная гетероструктура
ДКВ двойная корреляционная выборка
Еф энергия соответствующая уровню Ферми
ЖК жидкий кристалл
ЖКИ жидкокристаллический индикатор
ЖКЭ жидкокристаллический экран
ЗУ запоминающее устройство
ИК инфракрасный
ИМС интегральная микросхема
ИС информационная система
КМОП комплементарные приборы со структурой металл-окисел-полупроводник
КПД коэффициент полезного действия
КУ колебательный уровень
ЛВС локально-вычислительная система
ЛД лазерный диод
ЛФД лавинный фододиод
МКО международная комиссия по освещению
МП мультиплексор
МЭВ монохроматическая электромагнитная волна
НЖК нематематические жидкие кристаллы
ОВ оптическое волокно
ОЗУ оперативное запоминающее устройство
ОИ окно интерфейса
ОК оптический канал
ОКГ оптический квантовый генератор
ООС отрицательная обратная связь
ОС обратная связь
ОУ операционный усилитель
ОЭП оптоэлектронные приборы
ПВО полное внутреннее отражение
ПОВ планарный оптический волновод
ПОС положительная обратная связь
ППЛ полосковый полупроводниковый лазер
ПФП пиротехнический фотоприемник
СБИС сверхбольшая интегральная схема
СВ стекловолокно
СД светодиод
СИД светоизлучающий диод
СКР спонтанное комбинационное рассеяние
СПФ спонтанный фотон
ССИД суперлюминесцентный светоизлучающий диод
СТФ стимулированный фотон
СЭ солнечный элемент
СЭУ солнечная энергетическая установка
УБИС ультрабольшая интегральная схема
ФАПЧ фазовая автоподстройка частоты
ФД фотодиод
ФКВ фотонно-кристалическое волокно
ФНЧ фильтр нижних частот
ФП фотоприемник
ФПЗС фотоприемные приборы с зарядовой связью
ФЭС фотоэлектрические системы
ЦАП цифро-аналоговый преобразователь
ЦСК цилиндрическая система координат
ЭДС электродвижущая сила
ЭКП экран коллективного пользования
ЭЛИ электролюминесцентный индикатор
ЭР электронный регулятор
ЭУ электронные устройства
ЭУ электронный уровень
DWDM многоканальная система передачи с плотным мультиплексированием
EDFA эрбиевый усилитель
G-Ethernet пакетная технология передачи информации компьютерных сетей;  
   
NZDSF волокно с ненулевой смещенной дисперсией
OTH оптическая транспротная иерархия – стандарт построение гибких мультисервисных оптических сетей
PON технология пассивных оптических сетей  
SDH синхронная цифровая иерархия
SMF одномодовое волокно
WAN система глобальной связи
WDW система со спектральным мультиплексированием
ZWPE волокно с нулевым водяным пиком  
  Приложение П5
  Перечень принятых обозначений
   
Аэ механический эквивалент света
B синий свет
с скорость света в свободном пространстве
Сд емкость диода
Dn коэффициент диффузии электронов
Е вектор напряженности
Е энергия, освещенность поверхности
Еф энергия фотона
Ефон энергия фонона
Ез энергетическая ширина запрещенной зоны
Еп дно зоны проводимости – минимальное значение энергии свободного
  электрона
Ев потолок валентной зоны – максимальное значение энергии валентного
  электрона
Евын энергия вынуждающего излучения
Еe облученность поверхности
ЕF энергия Ферми
Ею модуль Юнга
e f заряд электрона частота
G зеленый свет
Фе поток излучения
h постоянная Планка
lr длина когерентности
K Ki Постоянная Больцмана коэффициент передачи по току
КV коэффициент световой эффективности
Кл коэффициент усиления лазера
Кп коэффициент потерь излучения в резонаторе лазера
k1, k2 коэффициенты отражения зеркал резонатора
I ток
In электронная составляющая тока
Ip дырочная составляющая тока
Iобр
 
обратный ток

Iпов ток утечки по поверхности
Iпр прямой ток
Iрек ток рекомбинации
Iтун ток туннельный
IV сила света
L яркость светящейся поверхности
M светимость излучающей поверхности
Mф масса фотона
Мe энергетическая светимость
n показатель преломления
Nа число Авогадро
P мощность
Pвых выходная мощность
Pпогл поглощаемая мощность
Pпред предельная мощность
Pэ импульс электрона
Pизл мощность излучения
Pген мощность генерируемая внутри кристалла
Pλ мощность излучения для длины волны λ
Пv плотность энергии электромагнитного поля
Q добротность
rп сопротивление потерь
rд сопротивление диода
Rт.с. темновое сопротивление
R красный свет
S площадь поверхности
t время
tИ длительность импульса
UП напряжение источника питания
UПР напряжение прямого смещения
UОБР напряжение обратного смещения
Vф фазовая скорость
Vг групповая скорость
Vк объем когерентности
α коэффициент поглощения, коэффициент затухания света
β коэффициент, учитывающий потери
c толщина слоя
h внешний квантовый выход
hопт коэффициент вывода света
hэ внутренний квантовый выход
l длина волны
n частота оптического излучения
υц центральная частота излучения
τj время жизни на уровне j
τк время когерентности
τф время излучения фотона
Q угол излучения, характеристическая температура Дэбая
Θр расходимость излучения
Ω телесный угол

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...