А
| номинальная числовая апертура
|
АВС
| активный волоконный световод
|
АИМ
| амплитудно-импульсная модуляция
|
АПП
| абсолютный показатель преломления
|
АЦП
| аналого-цифровой преобразователь
|
ВАХ
| вольтамперная характеристика
|
ВКР
| вынужденное комбинационное рассеяние
|
ВОЛС
| волоконно-оптическая линия связи
|
ВОС
| волоконно-оптическая система
|
ВОСП
| волоконно-оптическая система передач
|
ВОСС
| волоконно-оптические системы связи
|
ВУ
| вращательные уровни
|
ГИП
| газоразрядная индикаторная панель
|
ГИС
| гигантская интегральная схема
|
ГЛИН
| генератор линейно изменяющегося напряжения
|
ДА
| диэлектрическая анизотропия
|
ДГС
| двойная гетероструктура
|
ДКВ
| двойная корреляционная выборка
|
Еф
| энергия соответствующая уровню Ферми
|
ЖК
| жидкий кристалл
|
ЖКИ
| жидкокристаллический индикатор
|
ЖКЭ
| жидкокристаллический экран
|
ЗУ
| запоминающее устройство
|
ИК
| инфракрасный
|
ИМС
| интегральная микросхема
|
ИС
| информационная система
|
КМОП
| комплементарные приборы со структурой металл-окисел-полупроводник
|
КПД
| коэффициент полезного действия
|
КУ
| колебательный уровень
|
ЛВС
| локально-вычислительная система
|
ЛД
| лазерный диод
|
ЛФД
| лавинный фододиод
|
МКО
| международная комиссия по освещению
|
МП
| мультиплексор
|
МЭВ
| монохроматическая электромагнитная волна
|
НЖК
| нематематические жидкие кристаллы
|
ОВ
| оптическое волокно
|
ОЗУ
| оперативное запоминающее устройство
|
ОИ
| окно интерфейса
|
ОК
| оптический канал
|
ОКГ
| оптический квантовый генератор
|
ООС
| отрицательная обратная связь
|
ОС
| обратная связь
|
ОУ
| операционный усилитель
|
ОЭП
| оптоэлектронные приборы
|
ПВО
| полное внутреннее отражение
|
ПОВ
| планарный оптический волновод
|
ПОС
| положительная обратная связь
|
ППЛ
| полосковый полупроводниковый лазер
|
ПФП
| пиротехнический фотоприемник
|
СБИС
| сверхбольшая интегральная схема
|
СВ
| стекловолокно
|
СД
| светодиод
|
СИД
| светоизлучающий диод
|
СКР
| спонтанное комбинационное рассеяние
|
СПФ
| спонтанный фотон
|
ССИД
| суперлюминесцентный светоизлучающий диод
|
СТФ
| стимулированный фотон
|
СЭ
| солнечный элемент
|
СЭУ
| солнечная энергетическая установка
|
УБИС
| ультрабольшая интегральная схема
|
ФАПЧ
| фазовая автоподстройка частоты
|
ФД
| фотодиод
|
ФКВ
| фотонно-кристалическое волокно
|
ФНЧ
| фильтр нижних частот
|
ФП
| фотоприемник
|
ФПЗС
| фотоприемные приборы с зарядовой связью
|
ФЭС
| фотоэлектрические системы
|
ЦАП
| цифро-аналоговый преобразователь
|
ЦСК
| цилиндрическая система координат
|
ЭДС
| электродвижущая сила
|
ЭКП
| экран коллективного пользования
|
ЭЛИ
| электролюминесцентный индикатор
|
ЭР
| электронный регулятор
|
ЭУ
| электронные устройства
|
ЭУ
| электронный уровень
|
DWDM
| многоканальная система передачи с плотным мультиплексированием
|
EDFA
| эрбиевый усилитель
|
G-Ethernet
| пакетная технология передачи информации компьютерных сетей;
|
|
|
NZDSF
| волокно с ненулевой смещенной дисперсией
|
OTH
| оптическая транспротная иерархия – стандарт построение гибких мультисервисных оптических сетей
|
PON
| технология пассивных оптических сетей
|
SDH
| синхронная цифровая иерархия
|
SMF
| одномодовое волокно
|
WAN
| система глобальной связи
|
WDW
| система со спектральным мультиплексированием
|
ZWPE
| волокно с нулевым водяным пиком
|
| Приложение П5
|
| Перечень принятых обозначений
|
| |
Аэ
| механический эквивалент света
|
B
| синий свет
|
с
| скорость света в свободном пространстве
|
Сд
| емкость диода
|
Dn
| коэффициент диффузии электронов
|
Е
| вектор напряженности
|
Е
| энергия, освещенность поверхности
|
Еф
| энергия фотона
|
Ефон
| энергия фонона
|
Ез
| энергетическая ширина запрещенной зоны
|
Еп
| дно зоны проводимости – минимальное значение энергии свободного
|
| электрона
|
Ев
| потолок валентной зоны – максимальное значение энергии валентного
|
| электрона
|
Евын
| энергия вынуждающего излучения
|
Еe
| облученность поверхности
|
ЕF
| энергия Ферми
|
Ею
| модуль Юнга
|
e
f
| заряд электрона
частота
|
G
| зеленый свет
|
Фе
| поток излучения
|
h
| постоянная Планка
|
lr
| длина когерентности
|
K
Ki
| Постоянная Больцмана
коэффициент передачи по току
|
КV
| коэффициент световой эффективности
|
Кл
| коэффициент усиления лазера
|
Кп
| коэффициент потерь излучения в резонаторе лазера
|
k1, k2
| коэффициенты отражения зеркал резонатора
|
I
| ток
|
In
| электронная составляющая тока
|
Ip
| дырочная составляющая тока
|
Iобр
| обратный ток
|
Iпов
| ток утечки по поверхности
|
Iпр
| прямой ток
|
Iрек
| ток рекомбинации
|
Iтун
| ток туннельный
|
IV
| сила света
|
L
| яркость светящейся поверхности
|
M
| светимость излучающей поверхности
|
Mф
| масса фотона
|
Мe
| энергетическая светимость
|
n
| показатель преломления
|
Nа
| число Авогадро
|
P
| мощность
|
Pвых
| выходная мощность
|
Pпогл
| поглощаемая мощность
|
Pпред
| предельная мощность
|
Pэ
| импульс электрона
|
Pизл
| мощность излучения
|
Pген
| мощность генерируемая внутри кристалла
|
Pλ
| мощность излучения для длины волны λ
|
Пv
| плотность энергии электромагнитного поля
|
Q
| добротность
|
rп
| сопротивление потерь
|
rд
| сопротивление диода
|
Rт.с.
| темновое сопротивление
|
R
| красный свет
|
S
| площадь поверхности
|
t
| время
|
tИ
| длительность импульса
|
UП
| напряжение источника питания
|
UПР
| напряжение прямого смещения
|
UОБР
| напряжение обратного смещения
|
Vф
| фазовая скорость
|
Vг
| групповая скорость
|
Vк
| объем когерентности
|
α
| коэффициент поглощения, коэффициент затухания света
|
β
| коэффициент, учитывающий потери
|
c
| толщина слоя
|
h
| внешний квантовый выход
|
hопт
| коэффициент вывода света
|
hэ
| внутренний квантовый выход
|
l
| длина волны
|
n
| частота оптического излучения
|
υц
| центральная частота излучения
|
τj
| время жизни на уровне j
|
τк
| время когерентности
|
τф
| время излучения фотона
|
Q
| угол излучения, характеристическая температура Дэбая
|
Θр
| расходимость излучения
|
Ω
| телесный угол
|