 |
Выбор элементов узла управления
|
|
|
|
Рассчитываем резистор запуска R7
Через резистор запуска протекает ток зарядки конденсаторов цепи управления (С 9, С 10, С 12) и ток запуска микросхемы DA 1, равный 0,5 мА. Напряжение запуска микросхемы DA 1 (Uзап) составляет 16 В. Предпологается, что суммарный ток запуска (IЗАП) равен удвоенному току запуска микросхемы (1 мА), тогда
кОм.
Принимаем резистор R7=67 кОм. Мощность, рассеиваемая резистором в установившемся режиме при максимальном входном напряжении
Вт.
Выбор элементов цепи обратной связи по току
Сопротивление открытого канала транзистора КП809Б1, использованное для расчета потерь, приведено для наихудшего случая. При выборе компонентов цепи обратной связи по току лучше руководствоваться типовым значением, которое, как правило, составляет (0,5…0,8) от максимального. Напряжение на выводе 3 микросхемы DA 1 (U 3DA1) и, следовательно, на резисторе R 11, при котором начинается ограничение длительности импульса, составляет 1 В при максимальном пиковом токе. Исходя из того, что пиковый ток через R 11 находится в пределах (0,5…1) мА, его номинал равен
кОм.
Примем R11=1,2 кОм.
Считая падение напряжения на диоде VD 8 (UVD8) равным 0,6 В, вычисляем сопротивление резистора R 10:
Нижний предел сопротивления R 9 рассчитывается исходя из того, что ток, протекающий через него (I R9.max), не должен превышать 10 мА при номинальном напряжении питания узла управления и минимальном падении напряжения на транзисторе VT1 и диоде VD8. Максимальное сопротивление резистора R 9 выбирают так чтобы при напряжении на выходе 7, микросхемы DA 1, близком к напряжению отключения (Uоткл =10 В), и максимальном напряжении на открытом транзисторе VT1 диод VD8 был открыт.
|
|
|
;
Примем R 9= 2,2 кОм.
Расчет сопротивления резистора R 12 в цепи затвора:
Выходной ток микросхемы DA1 требуемый для переключения транзистора VT1 с учетом того, что время переключения совпадает с временем спада (t СП)
А.
где Q 3 =60 нКл – полный заряд транзистора VT1.
Ом.
Примем R 12=22 Ом.
Выбор элементов генератора:
Согласно документации на микросхему КР1033ЕУ15А, если выбрать номинал резистора генератора (R 6) равным 20 кОм, то емкость конденсатора генератора (С 7):
пФ.
Примем С 7=4700 пФ.
Мощность, выделяемая на микросхеме DA1
Потери на управление коммутирующим транзистором:
Вт.
Потери на микросхеме:
Вт,
где IМС =20 мА – ток, потребляемый во включенном состоянии.
Общие потери на управление, выделяемые на микросхеме DA1:
Вт.
Эта мощность меньше чем максимальная мощность, рассеиваемая микросхемой (1 Вт).
Выбор элементов обратной связи по напряжению:
Образцовое напряжение микросхемы DA 2 составляет 2,5 В. Выходное напряжение приводят к образцовому при помощи делителя, верхнее плечо которого R 16, R 17, а нижнее R 18. При токе делителя (I дел) 10 мА сопротивление резистора нижнего плеча делителя:
Ом.
Верхнее плечо делителя:
кОм.
Исходя из полученных результатов, выбираем R 16=100 кОм, R 18=240 Ом. Резистор R 17=10..20 кОм служит для точной установки напряжения на нагрузке.
Расчет демпфирующей цепи
Предполагается, что индуктивность рассеяния трансформатора (Ls) находится в интервале (0,5…1,5) мкГн. Примем Ls=1,5 мкГн.
По закону сохранения энергии E LS= E CД= Е С13,
где E LS – энергия, накопленная в индуктивности рассеяния трансформатора к окончанию этапа накопления;
Е СД – энергия, которую должен поглотить конденсатор демпфирующей цепи С13 при заданном приращении напряжения на нем (UС д= ULS =25 В).
Из Ls*I1и2 =С13*U С д2:
нФ.
|
|
|
Выбираем конденсатор ОМБГ-1 емкостью 0,5 мкФ на номинальное напряжение 1000 В.
Амплитуда напряжения на демпфирующем конденсаторе:
В.
Сопротивление демпфирующего резистора RД (R 14) рассчитаем исходя из того, что напряжение на демпфирующем конденсаторе уменьшается на Δ UCД за период, чтобы к моменту следующей коммутации конденсатор мог поглотить новую порцию энергии.
Ом.
Выбираем резистор R 14=150 Ом для обеспечения заведомой разрядки демпфирующего конденсатора во всех режимах работы преобразователя в двое меньше расчетного.
Напряжение на резисторе R 14 равно:
В.
Мощность, рассеиваемая резистором:
Вт.
Выбираем резистор мощностью 3 Вт.
Диод демпфирующей цепи должен выдерживать импульсный ток
I1И= 50,6 А, обратное напряжение Uобр VT1 = 366,5 В и иметь повышенное быстродействие.
Принимаем диод КД206А.
Расчёт КПД
;
.
Полученное значение КПД примерно равно принятому в начале расчетов.
Список литератур ы
1. Семенов Б. Ю. Силовая электроника: от простого к сложному, М: Солон – Пресс, 2005.
2. Утляков Г. Н. Источники вторичного электропитания бортового оборудования летательных аппаратов: Учебное пособие. – М.: Изд-во МАИ, 2002.
3. Электротехнический справочник. В 3-х т./Под общ. ред. профессоров МЭИ В. Г. Герасимова, П. Г. Грудинского, Л. А. Жукова и др. – 6-е изд., испр. и доп. – М.: Энергия, 1980 – 520 с.
4. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Г. С. Найвельт, К.Б. Мазель, Ч. И. Хусаинов и др. Под ред. Г. С. Найвельта.-М.: Радио и связь, 1986.
5. <http://www.inp.nsk.su/~kozak/diodes/dih00.htm>
5. <http://www.inp.nsk.su/~kozak/pt/pth00.htm
6. < http://www.tkkt.ru/catalogue/index.php>
Приложение
|
|
|
