 |
Таблица буквенного кодирования рабочего напряжения, используемого в маркировке конденсаторов
|
|
|
|
Таблица буквенного кодирования рабочего напряжения, используемого в маркировке конденсаторов
| Ном. напряжение, В | Буквенный код | Ном. напряжение, В | Буквенный код |
| 1, 0 | I | S | |
| 1, 6 | R | J | |
| 2, 5 | M | K | |
| 3, 2 | A | L | |
| 4, 0 | C | N | |
| 6, 3 | B | P | |
| D | Q | ||
| E | Z | ||
| F | W | ||
| G | X | ||
| H | T |
Таким принципам обозначения характеристик конденсатора в маркировке соответствуют в большинстве случаев изделия и отечественного, и зарубежного производства.
Биполярные транзисторы: принцип работы, характеристики и параметры
ООО «РадиоЭлемент»
14 января 2020
Биполярные транзисторы – электронные полупроводниковые приборы, отличающиеся от полевых способом переноса заряда. В полевых (однополярных) транзисторах, используемых в основном в цифровых устройствах, заряд переносится или дырками, или электронами. В биполярных же в процессе участвуют и электроны, и дырки. Биполярные транзисторы, как и другие типы транзисторов, в основном используются в качестве усилителей сигнала. Применяются в аналоговых устройствах.
Особенности устройства биполярного транзистора
Биполярный транзистор включает в себя три области:
· эмиттер;
· базу – очень тонкую, которая изготавливается из слаболегированного полупроводника, сопротивление этой области высокое;
· коллектор – его область больше по размерам, чем область эмиттера.
К каждой области припаяны металлоконтакты, служащие для подсоединения прибора в электроцепь.
Электропроводность коллектора и эмиттера одинакова и противоположна электропроводности базы. В соответствии с видом проводимости областей, различают p-n-p или n-p-n приборы. Устройства являются несимметричными из-за разницы в площади контакта – между эмиттером и базой она значительно ниже, чем между базой и коллектором. Поэтому К и Э поменять местами путем смены полярности невозможно.
|
|
|
Принцип работы биполярного транзистора
Этот тип транзистора имеет два перехода:
· электронно-дырочный между эмиттером и базой – эмиттерный;
· между коллектором и базой – коллекторный.
Дистанция между переходами маленькая. Для высокочастотных деталей она составляет менее 10 мкм, для низкочастотных – до 50 мкм. Для активации прибора на него подают напряжение от стороннего ИП. Принцип действия биполярных транзисторов с p-n-p и n-p-n переходами одинаков. Переходы могут функционировать в прямом и обратном направлениях, что определяется полярностью подаваемого напряжения.
Режимы работы биполярных транзисторов
Режим отсечки
Переходы закрыты, прибор не работает. Этот режим получают при обратном подключении к внешним источникам. Через оба перехода протекают обратные малые коллекторные и эмиттерные токи. Часто считается, что прибор в этом режиме разрывает цепь.
Активный инверсный режим
Является промежуточным. Переход Б-К открыт, а эмиттер-база – закрыт. Ток базы в этом случае значительно меньше токов Э и К. Усиливающие характеристики биполярного транзистора в этом случае отсутствуют. Этот режим востребован мало.
Режим насыщения
Прибор полностью открыт. Оба перехода подключаются к источникам тока в прямом направлении. При этом снижается потенциальный барьер, ограничивающий проникновение носителей заряда. Через эмиттер и коллектор начинают проходить токи, которые называют «токами насыщения».
Схемы включения биполярных транзисторов
В зависимости от контакта, на который подается источник питания, различают 3 схемы включения приборов.
С общим эмиттером
|
|
|
Эта схема включения биполярных транзисторов обеспечивает наибольшее увеличение вольтамперных характеристик (ВАХ), поэтому является самой востребованной. Минус такого варианта – ухудшение усилительных свойств прибора при повышении частоты и температуры. Это означает, что для высокочастотных транзисторов рекомендуется подобрать другую схему.
С общей базой
Применяется для работы на высоких частотах. Уровень шумов снижен, усиление не очень велико. Каскады приборов, собранные по такой схеме, востребованы в антенных усилителях. Недостаток варианта – необходимость в двух источниках питания.
С общим коллектором
Для такого варианта характерна передача входного сигнала обратно на вход, что существенно уменьшает его уровень. Коэффициент усиления по току – высокий, по напряжению – небольшой, что является минусом этого способа. Схема приемлема для каскадов приборов в случаях, если источник входного сигнала обладает высоким входным сопротивлением.
Какие параметры учитывают при выборе биполярного транзистора?
· Материал, из которого он изготовлен, – арсенид галлия или кремний.
· Частоту. Она может быть – сверхвысокая (более 300 МГц), высокая (30-300 МГц), средняя – (3-30 МГц), низкая (менее 3 МГц).
· Максимальную рассеиваемую мощность.
Конвертер единиц емкости конденсатора
ООО «РадиоЭлемент»
14 октября 2020
Предыстория
Основной характеристикой конденсатора является его ёмкость, характеризующая способность конденсатора накапливать электрический заряд. В обозначении конденсатора фигурирует значение номинальной ёмкости, в то время как реальная ёмкость может значительно меняться в зависимости от многих факторов. Реальная ёмкость конденсатора определяет его электрические свойства. Так, по определению ёмкости, заряд на обкладке пропорционален напряжению между обкладками (q = CU). Типичные значения ёмкости конденсаторов составляют от единиц пикофарад до тысяч микрофарад. Однако существуют конденсаторы (ионисторы) с ёмкостью до десятков фарад.
|
|
|
