Расчет коэффициента усиления напряжения усилителя
Исходные данные Вариант №20–30
Расчетная часть
Расчет коэффициента усиления напряжения усилителя
Вычислим амплитудное значение напряжения на выходе:
,
По известным значениям Uнm и Uвхm рассчитываем Koc
Усилителю с отрицательной обратной связью соответствует коэффициент передачи:
. (1).
Определим число каскадов усилителя. Пусть число каскадов равно 1 (n = 1):
, ,
где M ос (w) – коэффициент частоты каскадов. Из этой формулы составим квадратное уравнение, и решим его относительно K b. , тогда получим корни , выбираем отрицательный корень , и подставляем в уравнение (1), , т.е. одного каскада будет не достаточно. Пусть число каскадов усилителя равно 2 (n = 2):
,
Из этой формулы составим квадратное уравнение, и решим его относительно K b
тогда из полученных корней выбираем отрицательный , и подставляем в уравнении (1), т.е. двух каскадов тоже будет не достаточно. Пусть число каскадов усилителя равно 3 (n = 3):
,
Из этой формулы составим квадратное уравнение, и решим его относительно K b
тогда из полученных корней выбираем отрицательный , и подставляем в уравнение (1), т.е. усилитель может быть реализован на трех каскадах. Расчет элементов выходного каскада
Выбор рабочей точки транзистора Выбор рабочей точки А транзистора в режиме покоя, когда входной сигнал отсутствует, сводится к выбору тока коллектора I кА и напряжения U кэ A в схеме рис. 1, в первоначальном предположении R э= 0. т.е. при заземленном эмиттере.
Точку покоя выберем исходя из заданных значений амплитуды напряжения на коллекторе U НМ и тока коллектора I НМ, которые по заданным значениям U Н и I Н определяются как U НМ = U Н = 44.4 [В] и I НМ = I Н. = = 0.0098 [А]. Определим вид транзистора: P К = U НМ I НМ =0.43 [Вт], транзистор средней мощности. Определим напряжение U КЭА из выражения: =46.4 [В], (для транзисторов средней мощности U ЗАП = (2¸2.5) [В])
Рис. 1. Схема усилительного каскада
где K З –коэффициент запаса равный (0.7¸0.95) ЕП=2 U КЭА =92.88 [B] Сопротивление RK находим как: Сопротивление RЭ вычисляется: Считаем, что на вход подается какой-либо переменный сигнал, тогда для переменного сигнала параллельно включается . Для переменного сигнала будет идти по какой-либо другой динамической линии нагрузки. Она будет обязательно проходить через А. Поэтому строим динамическую линию нагрузки. Через точку А проводим линию динамической нагрузки, под углом .
; ;
где KM =1000 масштабный коэффициент. Выбирая значенияEП из стандартного ряда, тем самым изменяя положениединамической линии нагрузки, проверяем условие . В нашем случае условие выполнилось при E П =100 [B]. Расчет элементов фиксации рабочей точки Фиксация рабочей точки A каскада на биполярном транзисторе (рис. 1) осуществляется резистивным делителем R 1, R 2. Выберем такой транзистор, у которого и . В нашем случае таким транзистором может быть транзистор КТ814Г. Из положения рабочей точки и выходных характеристик транзистора, рассчитаем величину дифференциального коэффициента передачи тока базы b:
Так же из входной характеристики находим входное дифференциальное сопротивление транзистора h 11Э :
Рассчитаем величину по следующему эмпирическому соотношению: , где - тепловой ток коллекторного перехода, заданный в справочнике при температуре t 0; А = 2,5 для кремниевых транзисторов. вычислим как , выберем . Рекомендуемое значение N вычисленное как
;
Вычислим R1, R2 :
где Корректность расчета оценим вычислением тока I дел, причем необходимо соблюдение неравенства . Вычислим I дел по формуле:
Полученное значение удовлетворяет соотношению Найдем сопротивление резистивного делителя:
Найдем входное сопротивление данного каскада
. Расчет емкостных элементов усилительных каскада Для каскадов на биполярном транзисторе (рис. 1) значение емкостей конденсаторов C 1,
; ; ;
Расчет коэффициента усиления напряжения каскада
Определим выходные параметры для промежуточного каскада:
2.3 Расчет элементов промежуточного каскада Выбор рабочей точки транзистора Выбор рабочей точки А транзистора в режиме покоя, когда входной сигнал отсутствует, сводится к выбору тока коллектора I кА и напряжения U кэ A в первоначальном предположении R э= 0. т.е. при заземленном эмиттере. Точку покоя выберем исходя из заданных значений амплитуды напряжения на коллекторе U НМ и тока коллектора I НМ, которые по заданным значениям U Н и I Н определяются как U НМ = U Н = 1.05 [В] и I НМ = I Н. == 0.0008 [А]. Определим вид транзистора: P К = U НМ I НМ =0.84 [мВт], значит транзистор малой мощности Определим напряжение U КЭА из выражения: =3.55 [В], (для транзисторов малой мощности U ЗАП = (1¸2.5) [В]) где K З –коэффициент запаса равный (0.7¸0.95) ЕП=2 U КЭА =7,1 [B] Сопротивление RK находим как: Сопротивление RЭ вычисляется: Считаем, что на вход подается какой-либо переменный сигнал, тогда для переменного сигнала параллельно включается . Для переменного сигнала будет идти по какой-либо другой динамической линии нагрузки. Она будет обязательно проходить через А. Поэтому строим динамическую линию нагрузки. Через точку А проводим линию динамической нагрузки, под углом .
; ;
где KM =1000 масштабный коэффициент Выбирая значенияEП из стандартного ряда, тем самым изменяя положениединамической линии нагрузки, проверяем условие . В нашем случае условие выполнилось при E П =10 [B]. Расчет элементов фиксации рабочей точки
Фиксация рабочей точки A каскада на биполярном транзисторе (рис. 1) осуществляется резистивным делителем R 1, R 2. Выберем такой транзистор, у которого и . В данном случае таким транзистором может быть транзистор КТ209A. Из положения рабочей точки и выходных характеристик транзистора, рассчитаем величину дифференциального коэффициента передачи тока базы b:
где D I К, D I Б – окрестность рабочей точки А Найдем ток I БА: Так же из входной характеристики находим входное дифференциальное сопротивление транзистора h 11Э :
Рассчитаем величину по следующему эмпирическому соотношению: , где - тепловой ток коллекторного перехода, заданный в справочнике при температуре t 0; А = 2,5 для кремниевых транзисторов. вычислим как , выберем . Рекомендуемое значение N вычисленное как
;
Вычислим R1, R2 :
где Корректность расчета оценим вычислением тока I дел, причем необходимо соблюдение неравенства . Вычислим I дел по формуле:
Полученное значение удовлетворяет соотношению Найдем сопротивление резистивного делителя:
Найдем входное сопротивление данного каскада
. Расчет емкостных элементов усилительных каскада Для каскадов на биполярном транзисторе (рис. 1) значение емкостей конденсаторов C 1, C 2, C 3 рассчитаем по следующим формулам:
; ; ; Расчет коэффициента усиления напряжения каскада:
Определим выходные параметры для входного каскада:
2.4 Расчет элементов входного каскада Выбор рабочей точки транзистора Выбор рабочей точки А транзистора в режиме покоя, когда входной сигнал отсутствует, сводится к выбору тока коллектора I кА и напряжения U кэ A в первоначальном предположении R э= 0. т.е. при заземленном эмиттере. Точку покоя выберем исходя из заданных значений амплитуды напряжения на коллекторе U НМ и тока коллектора I НМ, которые по заданным значениям U Н и I Н определяются как U НМ = U Н = 0.11 [В] и I НМ = I Н. = 0.00012 [А].
Определим вид транзистора: P К = U НМ I НМ =0.013 [мВт], транзистор малой мощности Определим напряжение U КЭА из выражения: =2.61 [В], (для транзисторов малой мощности U ЗАП = (1¸2.5) [В]) где K З –коэффициент запаса равный (0.7¸0.95) ЕП=2 U КЭА =5.22 [B] Сопротивление RK находим как: Сопротивление RЭ вычисляется: Считаем, что на вход подается какой-либо переменный сигнал, тогда для переменного сигнала параллельно включается . Для переменного сигнала будет идти по какой-либо другой динамической линии нагрузки. Она будет обязательно проходить через А. Поэтому строим динамическую линию нагрузки. Через точку А проводим линию динамической нагрузки, под углом .
; ;
где KM =10000 масштабный коэффициент Выбирая значенияEП из стандартного ряда, тем самым изменяя положениединамической линии нагрузки, проверяем условие . В нашем случае условие выполнилось при E П =6.3 [B]. Расчет элементов фиксации рабочей точки Фиксация рабочей точки A каскада на биполярном транзисторе (рис. 1) осуществляется резистивным делителем R 1, R 2. Выберем такой транзистор, у которого и . В данном случае таким транзистором может быть транзистор КТ209A. Из положения рабочей точки и выходных характеристик транзистора, рассчитаем величину дифференциального коэффициента передачи тока базы b:
где D I К, D I Б – окрестность рабочей точки А Найдем ток I БА: Так же из входной характеристики находим входное дифференциальное сопротивление транзистора h 11Э :
Рассчитаем величину по следующему эмпирическому соотношению: , где - тепловой ток коллекторного перехода, заданный в справочнике при температуре t 0; А = 2,5 для кремниевых транзисторов. вычислим как , выберем . Рекомендуемое значение N вычисленное как ; Вычислим R 1, R 2:
где Корректность расчета оценим вычислением тока I дел, причем необходимо соблюдение неравенства . Вычислим I дел по формуле:
Полученное значение удовлетворяет соотношению Найдем сопротивление резистивного делителя: Найдем входное сопротивление данного каскада
.
Расчет емкостных элементов усилительных каскада Для каскадов на биполярном транзисторе (рис. 1) значение емкостей конденсаторов C 1, C 2, C 3 рассчитаем по следующим формулам:
; ; ; Расчет коэффициента усиления напряжения каскада
2.5 Расчет элементов цепи ООС По вычисленным в п. 2.1. значениям и рассчитаем величину
.
Найдем величину сопротивления обратной связи из следующего соотношения:
; ; RОС = 77160 [Ом]. Расчет коэффициента усиления напряжения усилителя
Рассчитываемый коэффициент усиления всего усилителя равен произведению коэффициентов. усиления всех трех каскадов:
Что превышает необходимое 222.
Моделирование Моделирование будем выполнять с помощью пакета схемотехнического моделирования Micro-Cap 3. В результате моделирования получим переходные и частотные характеристики как отдельных каскадов усилителя, так и всей структуры в целом. Целью моделирования является установление корректности расчета и степени соответствия расчетных параметров требованиям технического задания.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|