Определение параметров нелинейной модели биполярного транзистора Эберса –Молла.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Объектно-ориентированное программирование и программное моделирование устройств телекоммуникаций Вариант 4
Студентка гр.ТЭ261: Савицкая В.И. Преподаватель: Шатило Н.И. Минск Контрольное задание 1
Определение параметров нелинейной модели биполярного транзистора Эберса –Молла.
Эквивалентная схема нелинейной модели биполярного транзистора Эберса-Молла изображена на рисунке 1.1.
Исходными данными для расчета параметров модели являются справочные параметры транзистора КТ340А, приведенные в таблице 1.1.
Таблица 1.1 – Справочные параметры транзистора КТ340А
В результате расчета требуется определить прямой и инверсный коэффициенты передачи по току в схеме с общей базой, ток насыщения I , омические сопротивления базы r , эмиттера r и коллектора r , прямое и инверсное время пролета носителей через базу, барьерную емкость эмиттерного С и коллекторного С переходов при нулевых смещениях на переходах. 1. Вычислим среднегеометрическое значение статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ: 2. Определяется значение : 3. По выходным характеристикам транзистора (рисунок 1.2) определим омическое сопротивление коллектора: Ом
Рисунок 1.2 – Входные и выходные характеристики транзистора (I = f (U ) и I =f (U )) КТ340А 4. Вычислим инверсный коэффициент передачи:
где токи, при которых измеряется температурный потенциал. При Т = 293К 0,026 В.
5. Определим значения барьерных емкостей при нулевых смещениях:
где и - напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах, при которых производились измерения емкостей и ; = ≈ 0,33 – коэффициенты, характеризующие крутизну вольт-фарадных характеристик переходов; –контактная разность потенциалов, для кремния равная 1,0 В. пФ, пФ,
6. Определим ток базы транзистора, соответствующий режиму измерения : мА Напряжение В (ему соответствует заданная величина на входной характеристике).
7. Т.о. определим значения и : пФ, пФ, где - напряжение коллектор-база, при котором измерялась величина . Учитываем, что > 0, а < 0.
8. Т.о. среднее время полета в прямом включении :
9. Вычислим постоянную времени рассасывания через время рассасывания :
где – режимы измерения , определяемые по таблице 1.1.
10. Определим среднее время пролета в инверсном включении :
11. Вычисляется объемное сопротивление базы : Ом, где - емкость коллекторного перехода, соответствующая режиму измерения . Примем объемное сопротивление эмиттера
12. Для определения теплового тока насыщения задаемся величиной базового тока мА. По входной характеристике при (см. рисунок.1.2) находим значение соответсвующее выбранному току и вычисляем по формуле:
2. Определение параметров линейной модели биполярного транзистора Джиаколетто.
Принципиальная схема усилителя представлена на рисунке 1.3.
Рисунок 1.3 – электрическая принципиальная схема усилителя
Произведем расчет схемы по постоянному току. В данном усилителе используется комбинированная схема стабилизации статического режима. Поэтому составляю систему уравнений, описывающую статический режим каскада. . Полагая и , получаем следующую систему: .
Коэффициент передачи по току транзистора КТ340А равен:
Подставим в систему численные значения. Напряжение выбираем равным 0,5В.
Решая систему находим мкА, мкА, мА.
Потенциал базы равен: В.
Потенциал эмиттера транзистора равен: В.
Потенциал коллектора равен: В.
Напряжение коллектор-эмиттер равно: В.
Напряжение коллектор-база равно: В.
Рассчитаем ток в резисторе, подключенном к эмиттеру транзистора: А где – сопротивление в цепи эмиттера.
Вычислим ток коллектора в рабочей точке: А
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|