Порядок расчета блокинг-генератора
При расчете блокинг-генератора обычно бывают заданы: длительность импульсов tи; амплитуда импульсов Um; период следования импульсов Т; максимальная длительность фронта τф max; сопротивление нагрузки Rн; пределы изменения температуры окружающей среды tокр min … tокр max. В результате расчета должны быть определены параметры схемы и выбран импульсный трансформатор. 1) Определяем напряжение источника питания Ек. Это напряжение зависит от амплитуды напряжения на коллекторной обмотке UKm с учетом остаточного падения напряжения на насыщенном транзисторе , (1) где , nн – коэффициент трансформации напряжения из коллекторной обмотки в нагрузочную (nн = Wн/Wк). Коэффициент трансформации обычно выбирают в пределах . Ориентировочно величина nн при заданных Um и Rн может быть определена из выражения , (2) где - ток в нагрузочном сопротивлении. 2) Выбираем тип транзистора. Считая выходные импульсы блокинг-генератора прямоугольными (τф << τи), можно оценить частотные свойства транзистора по формуле , (3) где - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. Напряжение UКБ max транзистора должно удовлетворять условию . (4) Напряжение UКЭ max определяется из выражения . (5) Коэффициент k1 = (1,2…1,7) учитывает послеимпульсный выброс напряжения на коллекторе. Если в схеме применена шунтирующая цепочка, то k1 = (1,05…1,1). Максимальный коллекторный ток транзистора рассчитывается по формуле . (6) Необходимо, чтобы максимально допустимый импульсный ток коллектора выбранного транзистора превышал это значение . (7) 3) Задаемся коэффициентом трансформации nБ базовой обмотки импульсного трансформатора таким образом, чтобы напряжение между базой и эмиттером UБЭ выбранного транзистора было не более максимально допустимой величины UБЭ max. Обычно n ≈ 0,5…0,7.
4) Определяем индуктивность первичной (коллекторной) обмотки импульсного трансформатора . (8) В соответствии с найденной величиной и заданной длительностью импульса выбираем стандартный тип импульсного трансформатора. 5) Находим емкость конденсатора из условия . (9) Чтобы можно было не считаться с разрядом времязадающего конденсатора С1 на срезе импульса, его емкость выбирается порядка нескольких десятков тысяч пикофарад. Сопротивление резистора R1 выбирается в пределах от 5 до 30 кОм. 6) Рассчитываем сопротивление Rдоб добавочного резистора, которое надо установить в цепи базы. Для этого предварительно определяем максимальное входное сопротивление (Ом). (10) Максимальное значение добавочного сопротивления . (11) Сопротивление резистора Rдоб выбирается на (10…20)% менее Rдоб max. 7) Определяем длительность фронта импульса , (12) где - входное сопротивление транзистора, приведенное к коллекторной цепи; - нагрузочное сопротивление блокинг-генератора, приведенное к коллекторной цепи. Полученное значение τф должно быть меньше заданного . (13) 8) Рассчитываем температурную нестабильность периода следования импульсов Т в заданном диапазоне температур tокр min … tокр max по формуле , (14) где Т1 – период следования импульсов при температуре окружающей среды tокр min; Т2 – период следования импульсов при температуре окружающей среды tокр max. Значения Т1 и Т2 рассчитываются по формулам ; (15) , (16) где - обратный ток коллектора при температуре tокр min (обычно 200С); - обратный ток коллектора при повышенной температуре tокр max. Значение может быть принято равным справочному значению этого тока. Тогда . (17) 9) Выбираем сопротивление резистора R2 и диод VD2 демпфирующей цепочки. при этом учитывается, что выброс напряжения ΔUКЭm в коллекторной цепи транзистора должен удовлетворять условию
, (18) а спад тока намагничивания Iμ имеет апериодический характер . (19) Таким образом, . (20) Диод VD1 должен пропускать прямой ток не меньше Iμ и иметь максимально допустимое обратное напряжение . (21) На основании полученных данных выбираем стандартное значение резистора R2 и конкретный тип демпфирующего диода.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|