Порядок расчета блокинг-генератора
При расчете блокинг-генератора обычно бывают заданы: длительность импульсов tи; амплитуда импульсов Um; период следования импульсов Т; максимальная длительность фронта τф max; сопротивление нагрузки Rн; пределы изменения температуры окружающей среды tокр min … tокр max. В результате расчета должны быть определены параметры схемы и выбран импульсный трансформатор. 1) Определяем напряжение источника питания Ек. Это напряжение зависит от амплитуды напряжения на коллекторной обмотке UKm с учетом остаточного падения напряжения на насыщенном транзисторе
где nн – коэффициент трансформации напряжения из коллекторной обмотки в нагрузочную (nн = Wн/Wк). Коэффициент трансформации обычно выбирают в пределах Ориентировочно величина nн при заданных Um и Rн может быть определена из выражения
где 2) Выбираем тип транзистора. Считая выходные импульсы блокинг-генератора прямоугольными (τф << τи), можно оценить частотные свойства транзистора по формуле
где Напряжение UКБ max транзистора должно удовлетворять условию
Напряжение UКЭ max определяется из выражения
Коэффициент k1 = (1,2…1,7) учитывает послеимпульсный выброс напряжения на коллекторе. Если в схеме применена шунтирующая цепочка, то k1 = (1,05…1,1). Максимальный коллекторный ток транзистора рассчитывается по формуле
Необходимо, чтобы максимально допустимый импульсный ток коллектора выбранного транзистора превышал это значение
3) Задаемся коэффициентом трансформации nБ базовой обмотки импульсного трансформатора таким образом, чтобы напряжение между базой и эмиттером UБЭ выбранного транзистора было не более максимально допустимой величины UБЭ max. Обычно n ≈ 0,5…0,7.
4) Определяем индуктивность первичной (коллекторной) обмотки импульсного трансформатора
В соответствии с найденной величиной и заданной длительностью импульса выбираем стандартный тип импульсного трансформатора. 5) Находим емкость конденсатора из условия
Чтобы можно было не считаться с разрядом времязадающего конденсатора С1 на срезе импульса, его емкость выбирается порядка нескольких десятков тысяч пикофарад. Сопротивление резистора R1 выбирается в пределах от 5 до 30 кОм. 6) Рассчитываем сопротивление Rдоб добавочного резистора, которое надо установить в цепи базы. Для этого предварительно определяем максимальное входное сопротивление
Максимальное значение добавочного сопротивления
Сопротивление резистора Rдоб выбирается на (10…20)% менее Rдоб max. 7) Определяем длительность фронта импульса
где
Полученное значение τф должно быть меньше заданного
8) Рассчитываем температурную нестабильность периода следования импульсов Т в заданном диапазоне температур tокр min … tокр max по формуле
где Т1 – период следования импульсов при температуре окружающей среды tокр min; Т2 – период следования импульсов при температуре окружающей среды tокр max. Значения Т1 и Т2 рассчитываются по формулам
где
Значение
9) Выбираем сопротивление резистора R2 и диод VD2 демпфирующей цепочки. при этом учитывается, что выброс напряжения ΔUКЭm в коллекторной цепи транзистора должен удовлетворять условию
а спад тока намагничивания Iμ имеет апериодический характер
Таким образом,
Диод VD1 должен пропускать прямой ток не меньше Iμ и иметь максимально допустимое обратное напряжение
На основании полученных данных выбираем стандартное значение резистора R2 и конкретный тип демпфирующего диода.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ![]() ©2015 - 2025 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|