Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Занятие 5. Интегральные схемы (ИС)

Министерство образования и науки Российской Федерации

Иркутский государственный технический университет

Факультет ____ энергетический_ ___________________________

Кафедра _ электропривода и электрического транспорта _____

 

М.П.Дунаев

 

 

СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Методические указания для практических занятий

 

Укрупненная группа направлений и специальностей 140000 – Энергетика, энергетическое машиностроение и электротехника
Направление подготовки: 140400 – Электроэнергетика и электротехника

 

Профиль: 140400.62 – Электропривод и автоматика
Квалификация (степень): Бакалавр

 

 

Иркутск

 

2012 г.


М.П.Дунаев. Силовая электроника:Методические указания для практических занятий. – Иркутск: Изд-во ИрГТУ, 2012. – 23 с.

Рассмотрены основные характеристики диодов, выпрямительных блоков, тиристоров, транзисторов, интегральных схем, а также приемы измерения их основных характеристик.

 

ОСНОВНАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. М.П.Дунаев. Силовая электроника. Методические указания для лекционыхзанятий. – Иркутск, Изд-во ИрГТУ, 2012. 64 с. ЭИ.

2. М.П.Дунаев. Силовая электроника. Методические указания для лабораторных занятий. – Иркутск, Изд-во ИрГТУ, 2012. 46 с. ЭИ.

3. Силовая электроника. Методические указания для самостоятельной работы. – Иркутск, Изд-во ИрГТУ, 2012. 6 с. ЭИ.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ЛИТЕРАТУРА

4. Онищенко Г.Б. Электрический привод. М.: Академия, 2008.

5. Терехов В.М., Осипов О.И. Системы управления электроприводов. М.: Академия, 2005.

 

Содержание

Стр.

Практическое занятие №1……………………………………………………...3

Практическое занятие №2………………………………………….……….….9

Практическое занятие №3…………………………………………………….13

Практическое занятие №4…………………………………………………….20

Практическое занятие №5…………………………………………………….21


Занятие 1. Диоды

Диод – это двухслойная полупроводниковая структура, состоящая из полупроводников двух типов: n -типа, обладающих электронной проводимостью (полупроводниковая пластина с примесью атомов фосфора), и р -типа, обладающих дырочной проводимостью (полупроводниковая пластина с примесью атомов алюминия). Переход (стык) этих двух видов полупроводников обладает переменным сопротивлением, величина которого зависит от полярности и амплитуды приложенного к выводам полупроводниковых слоев напряжения. Вывод от проводника n -типа называют катодом, а вывод от проводника р -типа – анодом. Структура полупроводникового диода и его условное графическое обозначение показаны на рис.1.

 
 

Под действием приложенного внешнего напряжения полупроводниковый диод может находиться в двух состояниях: открытом (проводящем), когда напряжение приложено в прямом направлении (плюс на аноде, минус на катоде); и закрытом (непроводящем), когда напряжение приложено в обратном направлении (плюс на катоде, минус на аноде).

Классификация диодов:

- по материалу: германиевые, кремниевые и арсенид-галлиевые;

- по типу (области применения): выпрямительные, высокочастотные, импульсные, стабилитроны, светодиоды, фотодиоды.

Маркировка диодов:

- разработанных до 1964 г.: состоит из трех элементов: первый – буква Д (диод); второй – число, определяющее материал и тип (1-100, 301-400 – германиевые, 101-300, 800-1000 – кремниевые), третий – разновидность данного диода.

- разработанных после 1964 г.: состоит из четырех элементов: первый – буква или цифра, обозначающая материал (Г или 1 – германий, К или 2 – кремний, А или 3 – арсенид галлия); второй – буква, определяющее область применения (Ц – выпрямительные блоки, А – СВЧ-диоды, Д – универсальные, С – стабилитроны, Ф – фотодиоды, И – туннельные, Н – динисторы, У - тиристоры), третий – группу мощности, четвертый - разновидность данного диода.

 
 

Выпрямительные диоды используются в различных выпрямительных схемах, работающих на низких частотах. Вольтамперная характеристика (ВАХ) выпрямительного диода показана на рис.2. В настоящее время в качестве основы для полупроводников обычно выступают германий и кремний. ВАХ имеет прямую ветвь с линеаризованной характеристикой U= U0 + I Rд (диод находится в проводящем состоянии, где его сопротивление Rд=ctg β и составляет порядка 0,3…0,5 Ом для германиевых диодов и 1,0…1,5 Ом для кремниевых диодов) и обратную ветвь (диод находится в непроводящем состоянии, где его сопротивление составляет десятки и сотни кОм). Основные данные выпрямительных диодов указаны в табл. 1.

Основные данные выпрямительных диодов. Таблица 1.

Тип Максимальный ток, А Максимальное напряжение, В Прямое падение напряжения, В Область применения Диапазон температур,0С
Д7Ж 0,3   0,5 выпрямительный -60…+70
КД213А       выпрямительный -60…+120
КД213Б       выпрямительный -60…+120
КД213Г     1,5 выпрямительный -60…+120
КД203А       выпрямительный -55…+100
Д305     0,7 выпрямительный -55…+100
Д246А       выпрямительный -60…+130
Д248А     1,5 выпрямительный -60…+130
Д226Д 0,3     выпрямительный -60…+80

 

Импульсные диоды используются в качестве ключевых элементов при малых длительностях импульсов и переходных процессов.

Основные данные некоторых маломощных импульсных диодов указаны в табл.2.

Основные данные импульсных диодов. Таблица 2

Тип Максимальный ток, А Максимальное напряжение, В Прямое падение напряжения, В Материал Диапазон температур,0С
Д310 0,25   0,5 Германий -55…+60
Д237А 0,3     Кремний -60…+120
Д237Б 0,3     Кремний -60…+120

 

Стабилитроны (опорные диоды) предназначены для стабилизации уровня напряжения при изменении величины протекающего через диод тока. В стабилитронах рабочим является обратный участок вольтамперной характеристики (рис.2). На этом участке напряжение на диоде остается практически постоянным при значительном изменении тока, протекающем через диод.

Основные данные некоторых стабилитронов указаны в табл.5.

Основные данные стабилитронов. Таблица 5

Тип Максимальный ток, А Напряжение стабилизации, В Максимальная допустимая мощность, Вт Материал Диапазон температур,0С
КС133А 0,08 3,3 0,3 Кремний -55…+100
КС147А 0,07 4,7 0,3 Кремний -55…+100
КС156А 0,055 5,6 0,3 Кремний -55…+100
Д814В 0,032 9-10,5 1,5 Кремний -55…+100
Д815А 1,4 5,6   Кремний -60…+100

Светодиоды обладают свойством создавать некогерентное оптическое излучение определенного спектрального состава при прохождении через него прямого тока. В зависимости от выбранного материала излучение светодиода может лежать в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой области спектра. Светодиоды используются в качестве световых индикаторов, источников излучения в оптоэлектронных парах, в устройствах автоматики.

Основные данные некоторых светодиодов указаны в табл.6.

Основные данные светодиодов. Таблица 6

Тип Максимальный ток, А Максимальное прямое напряжение, В Яркость, кд/м*м Свечение Диапазон температур,0С
КЛ101А 0,01 5,5   Желтое -10…+70
АЛ102А 0,01 3,2   Красное -60…+70
АЛ102Б 0,02 4,5   Красное -60…+70
АЛ102В 0,03 4,5   Зеленое -60…+70
АЛ106А 0,12 1,7 - Инфракрасное -60…+85

 

ПРОТОКОЛ

к практическому занятию № 1 «Диоды»

Тип Предельные параметры tраб, град Мате-риал Измерения Область применения Вывод
U, В I, А ∆U,В RА-К RК-А
                     
                     
                     
                     
                     

 

Выполнили студенты_____________________________________________________________________________________________________________гр._________________________
Занятие 2. Выпрямительные блоки

Выпрямительныеблоки используются в различных выпрямительных схемах, работающих на низких частотах. Схема выпрямительного блока типа КЦ402 показана на рис.1. Основные данные некоторых выпрямительных блоков указаны в табл.1.

 
 

Маркировка состоит из четырех элементов: первый – буква или цифра, обозначающая материал (К или 2 – кремний); второй – буква, определяющее область применения (Ц – выпрямительные блоки), третий – группу мощности (301…399 – малая, 401…499 – средняя, 501…599 – большая), четвертый - разновидность данного выпрямительныго блока.

Основные данные выпрямительных блоков. Таблица 1.

Тип Максимальный ток, А Максимальное напряжение, В Вид схемы   Диапазон температур,0С
КЦ402А     Однофазный выпрямительный мост -40…+70
КЦ402Б     Однофазный выпрямительный мост -40…+70
КЦ403А     2 однофазных выпрямительных моста -40…+70
КЦ404В     2 однофазных выпрямительных моста -40…+70
КЦ404Г     2 однофазных выпрямительных моста -40…+70
КЦ404И     2 однофазных выпрямительных моста -40…+70
КЦ405А     Однофазный выпрямительный мост -40…+70
КЦ405Е     Однофазный выпрямительный мост -40…+70
КД205А 0,5   2 выпрямительных диода -40…+70

 

ПРОТОКОЛ

к практическому занятию № 2 «Выпрямительные блоки»

Тип Предельные параметры Измерения Вывод
U, В I, А RА1-К1 RК1-А1 RА2-К2 RК2-А2 RА3-К3 RК3-А3 RА4-К4 RК4-А4
                         
                         

 

Выполнили студенты __________________________________________________________ ___________________________________________________гр.________________
Занятие 3. Тиристоры

 
 

Незапираемый тиристор (однооперационный тиристор, тринистор) представляет собой четырехслойную полупроводниковую структуру, показанную на рис.1.

 

Под действием внешнего напряжения полупроводниковый тиристор может находиться в двух состояниях: открытом (проводящем), когда напряжение приложено в прямом направлении (плюс на аноде, минус на катоде), а на управляющий электрод подано напряжение управления (плюс на УЭ, минус на катоде); и закрытом (непроводящем), когда напряжение приложено в обратном направлении (плюс на катоде, минус на аноде). Вольтамперная характеристика (ВАХ) тиристора показана на рис.2. В настоящее время в качестве основного материала для тиристора выступает кремний. ВАХ имеет прямую ветвь (тиристор находится в проводящем состоянии, где его сопротивление составляет порядка 1,0…1,5 Ом) и обратную ветвь (тиристор находится в непроводящем состоянии, где его сопротивление составляет сотни кОм).

 
 

Условия нахождения тиристора в проводящем состоянии:

U0 ≤ U ≤ Uмакс и I > Iуд.

Условия нахождения тиристора в запертом состоянии:

I < Iуд или Uпр < U < 0.

Тиристоры, также как выпрямительные диоды, выбираются по величине среднего прямого тока Iср и допустимому обратному напряжению Uобр = (0,6…0,7)Uпр .

Основные данные некоторых тиристоров указаны в табл.1 и 2.

Таблица 1

Марка Максима-льный ток, А Максимальное напряжение, В Прямое паде-ние напряже- ния, В Тип прибора Диапазон температур,0С Частота, Гц
КУ201Б       и.тиристор -60…+100  
КУ201Е       и.тиристор -60…+100  
КУ201Л       и.тиристор -60…+100  
КУ201К       и.тиристор -60…+100  
КУ202Г       и.тиристор -25…+55  
КУ202Е       и.тиристор -25…+55  
КУ202Ж       и.тиристор -25…+55  
КУ202Н       и.тиристор -25…+55  
КУ208Г       и.тиристор -55…+70  
Т112-16   100-1200 1,2 н/ч тиристор -60…+125  
Т10-50   100-1200 1,14 н/ч тиристор -50…+125  

 

Таблица 2

Тиристор Т112 Т112 Т122 Т122 Т142 Т132 Т132 Т142 Т142
Iср, А                  
Δ Uтир , В 1,25 1,2 1,15 1,1 1,25 1,05 1,03 0,95 0,93

 

Пример обозначения тиристора: Т132-50-7 (50 – средний ток в амперах, 7 – максимальное напряжение в сотнях вольт).

ПРОТОКОЛ

к практическому занятию № 3 «Тиристоры»

Тип Предельные параметры tраб, град Измерения Область применения Вывод
U, В I, А ∆U,В RА-К RК-А RК-УЭ
                     
                     
                     

 

Выполнили студенты_____________________________________________________________________________________________________________гр._____________________
Занятие 4. Транзисторы

 
 

Биполярный транзистор – это трехслойная полупроводниковая структура, состоящая из полупроводников n -типа и р -типа. Биполярные транзисторы бывают рnp -типа (рис.1) и npn -типа (рис.2).

 
 

Под действием внешнего напряжения биполярный транзистор может находиться в двух состояниях: открытом (проводящем), когда напряжение приложено в прямом направлении (плюс на эмиттере, минус на коллекторе), а на базу подано напряжение управления (Uкэ > 0, Uбэ > 0); и закрытом (непроводящем), когда напряжение приложено также в прямом направлении, но на базе отсутсвует напряжение управления (Uкэ > 0, Uбэ = 0).

Транзисторы могут включаться по трем основным схемам: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК).

       
   

Включение транзистора по схемам с ОБ, ОЭ и ОК показаны на рис.3 – 5.

 

 

Классификация транзисторов:

- по материалу: германиевые (tраб = – 600С - +700С) и кремниевые (tраб = – 600С - +700С);

- по диапазону рабочих частот: низкочастотные (до 9 МГц), среднечастотные (от 9 до 30 МГц) и высокочастотные (свыше 30 МГц);

- по мощности: малой (до 0,3 Вт), средней (от 0,3 до 1,5 Вт) и большой мощности (свыше 1,5 Вт).

 

Маркировка транзисторов:

- разработанных до 1964 г.: состоит из трех элементов: первый – буква П (полупроводниковый триод, для модернизированных вначале добавлена буква М); второй – цифра, определяющее номер разработки, третий – буква, определяющая разновидность данного транзистора.

- разработанных после 1964 г.: состоит из четырех элементов: первый – буква или цифра, обозначающая материал (Г или 1 – германий, К или 2 – кремний); второй – буква Т (транзистор); третий – цифра, определяющее номер разработки, четвертый – буква, определяющая разновидность данного транзистора.

 

 

Основные данные транзисторов. Таблица 1.

Тип Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», В Максимальный ток коллектора, А Мощность, Вт Макси-мальная частота, мГц Тип транзи-стора Мате-риал
МП26Б   0,08 0,2 0,5 p-n-p германий
МП38   0,02 0,15   n-p-n германий
МП39   0,03 0,15 0,5 p-n-p германий
П416   0,025 0,1   p-n-p германий
ГТ308Б   0,05 0,15   p-n-p германий
1Т308Б   0,05 0,15   p-n-p германий
МП113   0,02 0,15   n-p-n кремний
ГТ402В   0,5 0,6   p-n-p германий
ГТ402И   1,25   0,008 p-n-p германий
КТ940А   0,1     n-p-n кремний
КТ801А         n-p-n кремний
КТ801Б         n-p-n кремний
КТ815Г   1,5     n-p-n кремний
2Т603Г   0,3 0,5   n-p-n кремний
КТ604Б   0,2     n-p-n кремний
КТ805БМ         n-p-n кремний
КТ814А   1,5     p-n-p кремний
КТ816Г         p-n-p кремний
КТ361А   0,05 0,15 2,5 p-n-p кремний
П213     11,5 0,15 p-n-p германий
П216   7,5   0,1 p-n-p германий
П217В   7,5   0,1 p-n-p германий

 

ПРОТОКОЛ

к практическому занятию № 4 «Транзисторы»

Тип Предельные параметры tраб, град Ма-те-риал Измерения Область приме-нения Вы-вод
Uкэ, В Iк, А Р, Вт     Rэк Rэб Rбэ Rкб Rбк    
                           
                           
                           
                           
                           

 

Выполнили студенты_____________________________________________________________________________________________________________гр.____________________________________


 
 

Занятие 5. Интегральные схемы (ИС)

 

Классификация ИС:

- по технологии изготовления: полупроводниковые ИС, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме и на поверхности полупроводника (группы 1, 5, 6, 7); пленочные ИС, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в виде пленок (группа 3); гибридные ИС, в состав которых включены отдельные элементы и кристаллы (группы 2, 4, 8);

- по виду сигнала: аналоговые ИС (преобразование и обработка непрерывных сигналов); цифровые ИС (преобразование и обработка сигналов в цифровом коде);

- по функциям: на подгруппы (генераторы, усилители, триггеры, преобразователи и т.д.); на виды (например: преобразователи частоты, фазы, напряжения и т.п.).

Маркировка ИС:

- разработанных до 1979 г.: состоит из шести элементов: первый – цифра, обозначающая группу; второй – буква, указывающая подгруппу; третий – буква, определяющая вид; четвертый – двухзначное число (от 0 до 99), обозначающее номер серии; пятый – число, определяющее порядковый номер ИС в данной серии; шестой – буква, указывающая отличие ИС по электрическим параметрам.

- разработанных после 1979 г.: состоит из пяти элементов: первый – цифра, обозначающая группу; второй – двухзначное число (от 0 до 99), обозначающее порядковый номер серии; третий – буква, определяющая подгруппу; четвертый – буква, определяющая вид, пятый – цифра (и буква), указывающая отличие ИС по электрическим параметрам. Перед обозначением ИС может стоять буква К, указывающая условия приемки.

 

 

Основные данные ИС. Таблица 1.

Марка Тип ИС Назначение (подгруппа и вид) Напряжение питания, В Технология изготовления Число элементов
155АГ1 Цифровая Формирователь импульсов +5 Полупроводниковая  
155ЛА2 Цифровая Логический элемент 8И-НЕ +5 Полупроводниковая  
155ЛА3 Цифровая Логические элементы 2И-НЕ +5 Полупроводниковая  
155ЛИ1 Цифровая Логические элементы 2И +5 Полупроводниковая  
155ЛА8 Цифровая Логические элементы 4И-НЕ с открытым коллектором +5 Полупроводниковая  
2УС261А Аналоговая Усилитель дифференциальный +5, -12 Гибридная  
2УС282 Аналоговая Усилитель дифференциальный +4, -9 Гибридная  
2УС283 Аналоговая Усилитель дифференциальный +4, -9 Гибридная  
2УС284 Аналоговая Усилитель дифференциальный +4, -9 Гибридная  
228УВ1 Аналоговая Усилитель высокой частоты +4, -9 Гибридная  
1УТ401А Аналоговая Операционный усилитель +6, -6 Полупроводниковая  
140УД1А Аналоговая Операционный усилитель +6, -6 Полупроводниковая  
140УД1Б Аналоговая Операционный усилитель +12, -12 Полупроводниковая  
1УТ402 Аналоговая Операционный усилитель +12, -12 Полупроводниковая  
1ЛБ331 Цифровая Логический элемент 4И-НЕ +5 Полупроводниковая  
1ЛБ333 Цифровая Логические элементы 2И-НЕ +5 Полупроводниковая  
2ГФ182 Аналоговая Генератор сигналов +5, -12 Гибридная  
1ТК331 Цифровая Триггер комбинированный +5 Полупроводниковая  
5НТ042А Аналоговая Пара полевых транзисторов   Полупроводниковая  
284УД1А Аналоговая Операционный усилитель +12, -12 Гибридная  
1КТ011Б Аналоговая Коммутатор тока   Полупроводниковая  
140УД2А Аналоговая Операционный усилитель +12, -12 Полупроводниковая  
133ЛА3 Цифровая Логические элементы 2И-НЕ +5 Полупроводниковая  

 

ПРОТОКОЛ

к практическому занятию № 5 «Интегральные схемы»

Наиме-нование (марка) Тип (анало-говая или цифровая) Назначение Параметры
Uпит, В Число выводов Тип корпуса Число элементов
               
               
               
               
               

Выполнили студенты __________________________________________________________ ______________________________________________________________гр.____________

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...