 |
Техническое задание на определение параметров биполярного транзистора
|
|
|
|
Введение
В радиоэлектронных и других технических системах различного назначения используются биполярные и полевые транзисторы в с широким спектром параметров и характеристик дискретном или интегральном исполнениях. Например, биполярные и полевые транзисторы в первичных преобразователях неэлектрических величин усиливают и формируют электрические сигналы. В цифровой технике транзисторы работают в ключевых режимах и являются основой построения логических элементов, комбинационных схем, триггерных устройств, арифметико-логических устройств, микроконтроллеров и микропроцессоров. Следовательно, сегодня трудно определить область радиоэлектроники, где бы ни применялись биполярные и полевые транзисторы.
Поэтому знание структуры, принципа действия, основных параметров и характеристик биполярных и полевых транзисторов является важным звеном правильного применения транзисторов в процессе проектирования радиоэлектронных средств.
Выполнение РГР в соответствии с требованиями настоящих методических указаний позволяют студенту освоить навыки инженерных расчетов основных параметров биполярных и полевых транзисторов по входным и выходным вольтамперным характеристикам.
Техническое задание на определение параметров биполярного транзистора
1. Выберите из справочника биполярный транзистор малой мощности, высокой частоты, n-p-n или p-n-p типа. Скопируйте ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ или ОБ.
2. Графоаналитическим способом определите по входным ВАХ ОЭ в двух произвольных рабочих точках статическое (1/h11эст) и динамическое входные сопротивления (1/h11эдин).
По семейству входных ВАХ постройте характеристику обратной связи Uбэ=f(Uкэ) при Iб=const и определите коэффициент обратной связи по напряжению (h12эдин = ΔUбэ/ ΔUкэ ).
|
|
|
По входным ВАХ определите предельно-допустимые прямые и обратные токи и напряжения на переходе база-эммитер в схеме ОЭ.
3. По входным ВАХ ОБ (при их наличии в справочниках) определите в двух произвольных рабочих точках статическое (1/h11бст) и динамическое входные сопротивления (1/h11бдин).
По семейству входных ВАХ постройте характеристику обратной связи Uэб=f(Uкб) при Iэ=const и определите коэффициент обратной связи по напряжению (h12бдин = ΔUэб/ ΔUкб ).
По входным ВАХ определите предельно-допустимые прямые и обратные токи и напряжения на переходе эммитер-база в схеме ОБ
4. По выходным ВАХ при включении транзистора по схеме ОЭ определите в двух произвольных рабочих точках:
· статическое выходное сопротивление (1/h22эст);
· динамическое выходное сопротивления (1/h22эдин);
· коэффициент передачи тока (β=h21эдин) в режиме КЗ по выходным ВАХ;
· постройте характеристику прямой передачи Ik=f(Iб) и определите также β=h21эдин. Сравните со значением β, который определен по выходным ВАХ;
· по выходным и входным ВАХ транзистора,включенного по схеме ОЭ, постройте характеристику прямой передачи Ik=f(Uбэ) и определите крутизну Sэ=ΔIk/Δ Uбэ.;
Рассчитайте крутизну по формуле:
 , [  ].
|
Сравните вычисленное значение с найденным по графику.
· определите предельно-допустимые параметры Ikдоп и Uкэдоп транзистора по справочнику и постройте на выходных ВАХ гиперболу допустимой мощности.
5. По выходным ВАХ при включении транзистора по схеме ОБ определите в двух произвольных рабочих точках:
· статическое выходное (1/h22бст);
· динамическое выходное сопротивления (1/h22бдин);
· коэффициент передачи тока (α=h21бдин) в режиме КЗ в выходной цепи.
· постройте характеристику прямой передачи Ik=f(Iэ) и определите коэффициент передачи тока в схеме ОБ α=h21бдин =ΔIk/ΔIэ.
|
|
|
· определите предельно-допустимые параметры Ikдоп и Uкэдоп транзистора и постройте на выходных ВАХ гиперболу допустимой мощности.
6. Определите по справочным данным объемное сопротивление базы и емкость коллекторного перехода для схем включения ОЭ и ОБ.
7. Оцените частотные свойства транзистора: определите предельную и граничную частоты транзистора по значению модуля коэффициента передачи, измеренного на заданной частоте, указанной в справочнике.
8. Сравните Ваши расчетные параметры по п.п. 2,3,4,5 с имеющимися в справочнике данными.
|
|
|
