Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!

В арианты заданий к листу 1

1 Спектральная характеристика экрана S = f (λ)

λ, мм	455	485	500	510	525	535	555	565	600	615	636	650
S, %	5	20	40	60	80	98	88	80	54	40	20	12

2 Фазовая характеристика колебательного контура φ=f ()

, кГц	3,25	4	4,65	6,2	7	8	9
φ (˚)	-79	-75	-68	0	64	44	34

3 Зависимость статистических характеристик и Н-параметров биполярного транзистора Н=f (I_э)

I_э, мА	100	1000	1500	2000	3000	4000	5000	6000
Н, Ом	17,3	20,8	21,6	22,5	22,1	20,4	19,0	16,4

4 Характеристика прямой передачи операционного усилителя

U_вых = f (U_вх)

U_вх, мВ	-1	0	0,5	0,85	1,25	1,4	1,5	1,7	2	2,5	3	4
U_вых,В	-6	-6	-6	-6	-3,5	0	1,5	4	6	8	8	8

5 Зависимость тока коллектора от тока базы для транзистора I_к= f (I_б)

I_к, мА	2	14	17,5	19	22,5	26	27,5	29
I_б, мА	0	1	2	2,5	5	10	15	20

6 Частотная характеристика колебательного контура U_z=f ()

, кГц	2,0	3,0	4,0	5,9	6,0	8,0	10	12
U_z, В	0,1	0,4	1,0	2,0	2,0	0,6	0,2	0

7 Экспериментальная зависимость напряжения на индуктивности колебательного контура от частоты U = f ()

, кГц	3,25	4	4.65	6.2	7	8	9
U, В	18	34	52	85	84	77	70

8 Экспериментальная зависимость напряжения на конденсаторе колебательного контура от частоты U_с= f ()

, кГц	3,25	4	4,65	6,2	7	8	9
U_с, В	65	75	84	85	64	44	34

9 Спектральная характеристика фотоэлемента K = f (λ)

К	0,6	0,8	0,9	0,6	0,5	0,4	0,6	0,7	0,9	1,0	0,9	0,7	0,4
	3,0	3,2	3,8	4,5	5,0	5,5	6,5	7,0	7,5	8,0	8,5	9,0	1,0

Зависимость тока луча Iл от напряжения на модуляторе Uмод.

Iл = f (Uмод.)

Uс, В	0	10	20	25	30	35	40	42	50	55	60	70	80
Iа, мА	0	0,3	0,6	1	1,2	2	2,6	3	3,5	4	3,9	3,5	3

11 Зависимость пропускной способности симметричного канала

C/V = f (P)

Р	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1
С/V	1	0,5	0,26	0,1	0,03	0	0,03	0,1	0,26	0,5	1

12 Зависимость напряжения на конденсаторе колебательного контура от частоты U_с=f ()

, кГц	3,25	4	4,65	6,2	7	8	9
U_С, В	65	75	84	85	64	44	34

13 Спектральная характеристика экрана S = f (λ)

λ, мм	0	412	430	465	480	510	540	550	560	575	580	650
S, %	0	20	40	60	72	87	80	60	48	20	15	12

14 Частотная характеристика колебательного контура Uz = f ()

, кГц	2,0	3,0	4,0	5,9	6,5	8,0	10	12
Uz, В	0,1	0,4	1,0	2,0	1,6	0,6	0,2	0

15 Диаграмма зависимости статистического Н-параметра биполярного транзистора Нст = f (Iэ)

Iэ, мА	100	1000	1500	2000	2500	3000	3500
Нст, Ом	24,0	28,6	30,0	31,2	38,5	30,5	28,2

Рисунок 1 – Диаграмма функциональной зависимости

Рисунок 2 – Шрифт чертежный по ГОСТ 2.304-81

ЛИСТ 2

Схема алгоритма программы решения математического выражения

Порядок выполнения листа.

Оформить формат А4(210*297) чертёжной бумаги. На формате выполнить рамку, но не вычерчивать основную надпись.

Написать шрифтом (h=5) в верхней части формата по центру наименование схемы алгоритма программы решения математического выражения.

Заменить схему решения алгоритма программы, составляющие которой заданы условно в виде прямоугольников на определенные символы по ГОСТ 19.701-90 согласно таблице в правом нижнем углу индивидуального варианта задания.

Выбрать размеры условных графических обозначений символов программы из таблицы «Графические обозначения символов в схемах алгоритмов и программ» (рисунок 3).

Выполнить в тонких линиях компановку схемы алгоритма программы по центру формата, выбирая расстояния между символами не менее половины высоты символа. Желательно, чтобы расстояния между символами схемы алгоритма программы были больше или равны высоте символов.

Вписать вовнутрь символов необходимые поясняющие надписи чертежным шрифтом (h=5 или h=3.5) по ГОСТ 2.304-81.

Указать на линиях взаимосвязи стрелки, если направление потока информации отличается от стандартного. Стандартным считается направление потока информации сверху вниз и слева направо.

Обвести изображения символов схемы алгоритма программы решения математического выражения контурными линиями толщиной s = 0,7 - 0,8мм.

Написать шрифтом (h=5) свою фамилию и инициалы, номер группы и вариант в нижней части рабочего поля формата.

Пример выполнения схемы алгоритма представлен на рисунке 4.

Варианты заданий к листу 2 на стр. 12-26.