 |
Принцип действия: см. вопрос 14.
|
|
|
|
Стоковые характеристики:
Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с р-n- переходом и каналом n- типа. Они отражают зависимость тока стока от напряжения Uси при фиксированном напряжении Uзи: Ic = f(Uси) при Uзи = const.
Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом, принцип действия, стокозатвроные характеристики:
Принцип действия:
В полевых транзисторах с изолированным затвором последний отделен от полупроводника диэлектриком. Структура такого транзистора показана на рисунке.
Здесь, кроме электродов исток, сток и затвор, имеется еще один электрод (так называемый «подложка»), напряжение на котором также может менять свойства транзистора.
Если напряжение на затворе относительно истока отрицательно, то имеет место явление обеднения канала (уменьшение числа носителей заряда): в данном случае электроны выталкиваются из канала в p - область, что приводит к уменьшению тока через канал; при положительном же напряжении затвор-исток наоборот имеет место обогащение канала электронами, пришедших в канал из областей p и n+, что приводит к увеличению тока через канал. Таким образом этот полевой транзистор может работать и при положительных и при отрицательных значениях напряжения затвор-исток. При этом ток через затвор не протекает, так затвор изолирован от канала.
На принципиальных схемах полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом в соответствии с типом проводимости канала обозначается в виде, показанном на рисунке.
Стокозатворные характеристики:
Управляющие (стокозатворные) характеристики. Эти характеристики показывают управляющее действие затвора и представляют собой зависимость тока стока от напряжения на затворе при постоянстве напряжения стока:
|
|
|
 .
|
Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом, принцип действия, стоковые характеристики:
Принцип действия: см. вопрос 16.
Стоковые характеристики:
Семейство этих характеристик представляет собой зависимость тока стока от напряжения стока при неизменном напряжении на затворе:
 .
|
Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом, принцип действия, стокозатвроные характеристики:
Принцип действия:
Структура такого вида полевого МДП - или МОП - транзистора показана на рисунке.
При нулевом напряжении U ЗИ = 0 канал между истоком и стоком отсутствует. Встречно направленные p–n – переходы препятствуют движению электронов от истока к стоку: канал отсутствует. При U ЗИ > 0 возникающее под затвором электрическое поле будет отталкивать положительные заряды (дырки, являющиеся основными носителями в p –полупроводнике) в глубь полупроводника. При некотором пороговом значении напряжения между стоком и истоком под затвором накапливается достаточный слой электронов. Создается (индуцируется) проводящий канал, толщина которого может составлять 1...2 нанометра и она далее практически не меняется. Удельная проводимость канального слоя зависит от концентрации электронов в нем. Изменяя U ЗИ, можно менять величину тока стока.
На принципиальных схемах полевой транзистор с индуцированным каналом в соответствии с типом проводимости канала обозначается в виде, показанном на рис.4.10.
Стокозатворные характеристики:
Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом, принцип действия, стоковые характеристики:
|
|
|
