 |
Способы получения h- параметров
|
|
|
|
h-параметры можно получить экспериментальным путем:
- прямым измерением, с помощью вольт-амперных характеристик.
h- параметры
ВАХ транзистора существенно нелинейные.
Поэтому значение h-параметров зависит от точки, в которой они определяются.
Изменение температуры также влияет на вид и положение ВАХ транзистора.
Поэтому значение h-параметров зависит и от температуры.
Эти зависимости приводятся в справочной литературе.
В справочной литературе приводятся также таблицы переводов из одной системы параметров в другие системы, для схемы включения транзистора ОБ и ОЭ.
Полевой транзистор
Полупроводниковый электропреобразовательный прибор, способный усиливать мощность электрических сигналов.
Особенность работы транзисторов состоит в том, что: выходной ток управляется с помощью электрического поля, в процессе протекания электрического тока участвуют только основные носители
Электрическое поле является управляющим, выходной ток является управляемым.
В англоязычной литературе эти транзисторы называют транзисторами типа FET (Field Effect Transistor).
В зависимости от того, как изолирован управляющий электрод от управляемого токопроводящего канала различают транзисторы:
- с управляющим p-n-переходом, с изоляцией диэлектриком - МДП-транзисторы
Если в качестве изолятора используется двуокись кремния SiO2, то транзистор называют МОП-структурой (металл-окисел-полупроводник).
В зависимости от конструктивного исполнения проводящего канала различают МДП транзисторы:
-встроенный канал,-индуцированный канал
Встроенный канал организуется при технологическом изготовлении транзистора
Индуцированный канал образуется во время работы транзистора.
|
|
|
В зависимости от того, какие носители являются переносчиками тока, различают:
- n-типа (n-канальные), - р-типа (р-канальные).
Принцип работы ПТ
Структура ПТ с управляющим p-n-переходом
ПТ представляет собой пластину слаболегированного полупроводника n-типа, на боковой грани которой сформирована область обогащенного полупроводника р-типа. Эти области образуют p-n-переход
Структура ПТ с управляющим p-n-переходом
Электрод, через который в канал втекают носители тока называется исток (и). Электрод, через который носители тока вытекают из канала – сток. Электрод, называемый затвором, предназначен для регулирования поперечного сечения канала.
Концентрация носителей n-типа в канале много меньше концентрации дырок в области затвора.
Поэтому область p-n-перехода, обедненная носителями, будет располагаться в основном, в канале.
Подключим к структуре внешние источники напряжения. Управляющий p-n-переход включен в обратном направлении и имеет высокое сопротивление.
Принцип действия такого транзистора заключается в том, что при изменении напряжения на затворе изменяется толщина обедненного слоя, а следовательно, изменяется сечение канала, проводимость канала и ток стока.Т.е. изменением напряжения на затворе можно управлять током стока.
При некотором напряжении U зи канал полностью перекроется обедненной областью p-n-перехода и ток стока уменьшится до нуля. Это напряжение является параметром транзистора и называется
напряжением отсечки тока стока U зи.отс.
Примем Uзи = 0. При небольших напряжениях сток-исток Uси канал ведет себя как линейное сопротивление. По мере роста напряжения обедненный слой будет расширяться, причем около стока в большей мере, чем около истока. Сечение канала будет уменьшаться и рост тока замедлится.
Начиная с напряжения Uси = Uзи.отс в транзисторе будет наблюдаться режим насыщения. Этот эффект называют эффектом модуляции длины канала.
|
|
|
|
|
|
