 |
Правила выполнения контрольной работы
|
|
|
|
При выполнении контрольной работы необходимо соблюдать следующие правила:
1. В контрольной работе обязательно должен быть указан год издания методического пособия, которым пользовался студент, и должны быть записаны условия задач.
2. Решение задач должно сопровождаться подробными пояснениями по каждому пункту задания.
3. Все графические построения надо выполнять карандашом, отчетливо и аккуратно.
4. Все величины, определяемые из графика, должны быть указаны на этом графике.
5. Если работа не допущена к зачету, то исправление решения задач или их новое решение производятся на чистых листах незачтенной работы, или новая тетрадь подшивается к старой, и обе они посылаются на повторное рецензирование.
6. В конце работы студент должен указать литературу, которой он пользовался при выполнении контрольной работы, поставить свою подпись и дату выполнения работы.
Основные вопросы курса «Физические основы оптоэлектроники»
1. Классификация и система обозначений оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем [1, стр. 19-21]. Основные понятия и определения оптоэлектроники [1, стр.11].
2. Особенности оптической электроники [1, стр.9-11].
3. История развития оптоэлектроники [1, стр. 12-17]
4. Энергетические и световые параметры [1, стр. 29-30].
5. Когерентность оптического излучения [1, стр. 33-36].
6. Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов [1, стр. 36-43].
7. Ширина спектральной линии [1, стр. 43-46].
8. Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля [1, стр. 46-50].
9. Механизм генерации излучения в полупроводниках [1, стр. 50-54]. Прямозонные и непрямозонные полупроводники [1, стр.54-58].
10. Внешний квантовый выход и потери излучения [1, стр. 58-60].
|
|
|
11. Излучательная и спектральная характеристики [2, стр. 51-53].
12. Параметры светоизлучающих диодов [2, стр.130-134].
13. Излучающие диоды на основе гетероструктур [1, стр. 61-63].
14. Электрическая модель светодиода. Конструкции светодиодов [1, стр. 120-121], [2, стр. 101-102].
15. Светодиоды инфракрасного излучения. Характеристики и параметры. Особенности конструкций и применения [1, стр. 128-129].
16. Полупроводниковые цифро-буквенные индикаторы. Устройство и принцип действия семисегментного индикатора [1, стр. 238-254].
17. Физические основы усиления и генерации лазерного излучения. Населенность и инверсия населенности [1, стр. 137-140].
18. Структурная схема лазера. Генерация лазерного излучения. Порог генерирования лазера. Параметры и режимы работы лазеров [4, стр. 145-154], [1, стр. 140-145].
19. Устройство и принцип действия твердотельного лазера. Характеристики, параметры и режимы работы [1, стр. 145-146].
20. Устройство и принцип действия полупроводникового инжекционного лазера. Характеристики, параметры и режимы работы [1, стр. 152-154].
21. Устройство и принцип действия полупроводникового лазера с гетероструктурой. Характеристики, параметры и режимы работы [1, стр. 154-159].
22. Светоизлучающие диоды для волоконно-оптических систем. Суперлюминесцентный диод. Устройство, принцип действия и применение [1, стр. 164-168].
23. Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов [1, стр. 169-172].
24. Квантовые эффекты в наноструктурных материалах [1, стр. 383-386].
25. Фотонные нанокристаллы и их применение [1, стр. 396-398].
26. Наноэлектронные лазеры. Устройство, принцип действия, характеристики [1, стр. 409-417].
27. Излучающие приборы на основе органических наноматериалов [1, стр. 432-450].
28. Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой. Характеристики, параметры, применение [1, стр.196-197].
29. Характеристики и параметры фотоприемников. Электрическая и шумовая модели фотоприемников [1, стр. 176-188].
|
|
|
30. Устройство и принцип действия фотодиода на основе p-n перехода. Характеристики, параметры, режимы эксплуатации [1, стр. 188-190].
31. Устройство и принцип действия фотодиода с p-i-n структурой. Характеристики, параметры, применение [1, стр. 191-193].
32. Устройство и принцип действия фотодиода Шоттки. Характеристики, параметры, применение [1 стр. 193-196].
33. Устройство и принцип действия фотодиодов с гетероструктурой. Характеристики, параметры, применение [1, стр. 196-197].
34. Устройство и принцип действия лавинного фотодиода. Характеристики, параметры, применение [1, стр. 197-199].
35. Устройство и принцип действия фототранзисторов. Характеристики, параметры, применение [1, стр. 199-202].
36. Устройство и принцип действия фототиристора. Характеристики, параметры, применение [1, стр. 202-203].
37. Наноэлектронные фотоприемники. Устройство, принцип действия, характеристики. [1, стр 459-467].
38. Устройство и принцип действия оптронов. Типы и параметры. Электрическая модель оптрона [1, стр. 219-222; стр. 227-229], [4, стр. 102-121].
39. Устройство и принцип действия оптоэлектронных усилителей [1, стр. 280-281], [4, стр. 134-137].
40. Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов[1, стр. 270-273], [4, стр. 131-133].
41. Устройство и принцип действия оптоэлектронных аналоговых ключей [1, стр. 274-276], [4, стр. 138].
42. Устройство и принцип действия оптоэлектронных цифровых ключей [1, стр. 281-284], [4, стр. 133-134].
43. Применение оптронов для выполнения логических функций И, ИЛИ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ [1, стр. 276-277], [4, стр. 138-139].
44. Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений (102-104 В) и управления устройствами большой мощности [1, стр. 284-285], [4, стр. 138-139].
45. Применение оптронов в качестве аналогов электрорадиокомпонентов [1, стр. 278-280].
46. Волоконно-оптические датчики [1, стр.323-327].
47. Физические основы светопередачи по волокну. Закон Снеллиуса. Понятия о числовой апертуре и дисперсии [1, стр. 74-75].
48. Методы ввода излучения в световоды [1, стр. 164-167].
49. Методы вывода излучения из световодов [1, стр. 164-167].
50. Устройство и принцип действия волстрона [1, стр. 229].
51. Лазерный микропроектор со спиральной разверткой.
52. Оптоэлектронные сенсорные системы. Устройство и принцип действия базовых элементов.
|
|
|
53. Физические основы работы жидко-кристаллических индикаторов. Характеристики и параметры индикаторов [1, стр. 238-254].
54. Устройство и принцип действия индикаторов на основе эффекта динамического рассеяния [1, стр. 241-242].
55. Устройство и принцип действия индикаторов на основе твист-эффекта [1, стр. 242-243].
56. Устройство и принцип действия электролюминисцентного индикатора. Применение электролюминесцентных индикаторов [1, стр. 255-259].
57. Инженерно- психологические требования к элементам индикации [1, стр. 265-267].
58. Принцип цифровой оптической записи информации [1, стр. 291-307].
59. Принцип лазерно - оптического считывания информации [1, стр. 289-291].
60. Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации [1, стр. 286-288].
61. Устройство и принцип действия оптических устройств считывания информации [7, стр. 289-291].
62. Классификация волоконно-оптических систем распределения. [1, стр. 320-321].
63. Схемы волоконно-оптических систем распределения [1, стр 321-323].
64. Оптические передатчики. Приемники волоконно-оптических систем связи [1,стр 323-324], [1, стр327-329], [1,стр 332-334].
65. Структурная схема цифровой волоконно-оптической системы связи [1, стр 334-336].
66. Структурная схема аналоговой волоконно-оптической системы связи [1,стр 347-348].
67. «Умные» соединители на основе смартлинков [1, стр 348-357].
68. Волоконно-оптические технологии для сетей доступа [1,стр. 359-362].
69. Медиаконверторы и их применение в оптических системах связи
П.1 Справочные данные светодиодов АЛ102
1.Особенности.
Светодиоды фосфидогаллиевые эпитаксиальные с направленным излучением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Маркируются цветными точками на корпусе: АЛ102А – одна красная; АЛ102Б – две красные; АЛ 102В – одна зеленая; АЛ 102Г – три красные; АЛ102Д – две зеленые; ЗЛ102А – одна черная; ЗЛ102Б – две черные; ЗЛ102В – одна белая; ЗЛ102Г – три черные; ЗЛ102Д – две белые точки.
2. Электрические и световые параметры при Токр= 25 °С:
Сила света, не менее:
АЛ102А……………………………………………………..0,04 мкд
АЛ102Б, ЗЛ102Б……………………………………….…....0,1 мкд
|
|
|
АЛ102В, ЗЛ102Д…………………………………….….…...0,2 мкд
АЛ102Г, ЗЛ102В…………………………………….……..0,25 мкд
АЛ102Д…………………………………………….…..…….0,4 мкд
ЗЛ102А………………………………………………….…..0,02 мкд
ЗЛ102Г……………………………………………...………0,06 мкд
Постоянное прямое напряжение, не более:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102В, АЛ102Г, АЛ102Д, ЗЛ102В………………………………….……………….….…..2,8 В
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, ЗЛ102Д….………………….…..3,0 В
Цвет свечения:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д……………………………………….…..красный
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В……………………………….…зеленый
Максимум спектрального распределения излучения на длине волны:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д…………………………………………..0,69 мкм
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В…………………………………0,53 мкм
3.Предельные эксплуатационные данные:
Постоянный прямой ток:
при Токр £ 50 °С:
АЛ102А………………………………………..………………..10 мА
АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д………………………………..……………....20 мА
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В……………………..…………...….22 мА
при Токр £ 70 °С:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г……………………..……...…..…10 мА
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, ЗЛ102Д ……………..…..……….11 мА
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В………………………….………….22 мА
Обратное импульсное напряжение………………………..…………...2 В
Диапазон рабочей температуры окружающей среды…….- 60 ¸ + 70 °С
 |
4.Основные характеристики:
Зависимость силы све- Спектры излучения све- Вольт-амперная харак-
та в относительных товодов: теристика (указаны
единицах от прямого 1-красного, 2-зеленого зона разброса и усред-
тока цвета свечения ненная кривая)
|
|
|
