 |
Порядок выполнения.
|
|
|
|
Расчет, монтаж и исследование радиоэлектронных устройств
студента __________________
(Ф.И.О.) группа
«____»___________ 2013 г. _______________
(дата представления работы) (подпись студента)
Преподаватель: Максимов А.В.
(Ф.И.О.)
д-р физ-мат. наук, профессор
(должность)
__________________
(оценка)
__________________
(дата, подпись)
Череповец, 2013 г.
Занятие 1. Исследование характеристик и параметров
биполярного транзистора.
Цель занятия: ознакомиться со статическими характеристиками и собственными параметрами биполярных транзисторов.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
(выполняется в лаборатории радиоэлектроники ЧГУ- ауд. 411).
Приборы и оборудование: монтажная плата, исследуемый транзистор, мультиметр, миллиамперметр, блоки питания.
ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ.
Задание 1. Получите транзистор и запишите в Таблицу 1 паспортные данные его параметров в указанной рабочей точке.
Таблица 1. Паспортные данные (параметры) транзистора
|
, Rвых = R2 = Задание 2. В середине монтажной платы (из непроводящего материала размерами 150х 100 мм) припаяйте коллектор и эмиттер данного транзистора к ее верхней и нижней шинам (1*2* и 12 на рис.1).
Задание 3. Соберите схему (рис.1).
Рис.1. Схема для снятия входных и выходных характеристик транзистора.
ПРИМЕЧАНИЕ 1: при сборке схемы следите за полярностью подключения к клеммам 33* и 44* блоков питания (на рис.1 они обведены пунктиром).
ПРИМЕЧАНИЕ 2: регулятором напряжения r 1 блока питания устанавливается напряжение база - эмиттер U бэ, контролируемое мультиметром V 1 (не более 0,5 В). Регулятором r 2 второго блока питания устанавливается напряжение между эмиттером и коллектором U кэ (не более 10В). Миллиамперметром мА измеряется ток коллектора I к.
|
|
|
ПРИМЕЧАНИЕ 3: ток базы I б измеряется косвенным методом при использовании калибровочного сопротивления r * = 100 кOм и показаниям вольтметра V на блоке питания в цепи базы. Для определения тока базы используется следующая эмпирическая формула:
I б[мкA] = 10 
Nv, (1.1)
где N v - число делений по шкале вольтметра V.
Задание 4. Снимите две входные характеристики транзистора - зависимости Iб (Uбэ) при Uкэ =0 и Uкэ = 5В. Для этого, зафиксировав напряжение Uкэ = 0, регулятором r 1 дискретно устанавливайте ток базы от 10 до 40 мкА через 5 мкА, а значение напряжения Uбэ (показания мультиметра V 1) запишите в первую строку таблицы 1. Затем, зафиксировав Uкэ =5В, установите тот же набор токов базы и заполните вторую строку этой таблицы.
Таблица 1. Статические входные характеристики транзистора.
 Uкэ, В Iб, мкА
| |||||||
 0 Uбэ, В
| |||||||
| 5 Uбэ, В |
Задание 5. Снимите 5 выходных характеристик - зависимости Iк (Uкэ) при I б=20, 25, 30, 35,40 мкА. Для этого, зафиксировав регулятором r 1 требуемый ток базы Iб, с помощью регулятора r 2 дискретно устанавливайте напряжение U кэ от 0 до 10В, а значения тока коллектора (вмА) запишите в соответствующую строку таблицы 2. Затем, зафиксировав другой ток базы, установите тот же набор напряжений U кэ и заполните следующую строку таблицы 2 и т. д.
Таблица 2. Статические выходные характеристики транзистора.
|
|
|
II. Методика и порядок составления родословной
II. Порядок выполнения курсовой работы
II. Порядок заполнения страницы 001 формы декларации
II. Порядок обучения по охране труда
II. Порядок подання податкового розрахунку
II. Порядок проведения проверок
II. Порядок расследования пищевых отравлений.
II. Порядок формирования экспертных групп, организация экспертизы заявленных на Конкурс проектов и регламент работы Конкурсной комиссии
II. УСЛОВИЯ И ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ КОНКУРСА
III .Порядок применения
